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公开(公告)号：JPWO2020084398A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JPIB2019058799
申请日：2019-10-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H02J7/04 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02J7/10
Abstract: 新規な構成の電池制御回路、新規な構成の電池保護回路、および当該電池回路を備えた蓄電装置を提供すること。第1の回路部と、第2の回路部と、第3の回路部と、二次電池と、を有する蓄電装置であり、第1の回路部は、二次電池の充電を制御する機能を有し、第1の回路部は、二次電池の充電の開始時刻と、終了時刻と、を第3の回路部に与える機能を有し、第2の回路部は、第1の電圧および第1の電流を生成して第3の回路部に与える機能を有し、第3の回路部は、第1の電流を容量素子に充電することにより第2の電圧を生成する機能を有し、第3の回路部は、第1の電圧と第2の電圧を比較する機能を有する蓄電装置。
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公开(公告)号：JP6864132B2
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2020042672
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G11C8/08 , G11C11/408
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公开(公告)号：JP2020031503A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018156453
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 【課題】高温環境下でも正常に動作する半導体装置を提供する。 【解決手段】第1及び第2の電荷転送スイッチを有する半導体装置。当該半導体装置は、入力電位より例えば低い電位を出力する、チャージポンプとしての機能を有する。第1の電荷転送スイッチは、ダイオード接続されたSiトランジスタを複数有し、当該Siトランジスタが直列に接続されている。第2の電荷転送スイッチは、ダイオード接続されたOSトランジスタを複数有し、当該OSトランジスタが直列に接続されている。第1の電荷転送スイッチが正常に動作する場合には、第1の電荷転送スイッチの出力電位が半導体装置から出力される。半導体装置が高温環境下に置かれている場合等、第1の電荷転送スイッチが正常に動作しない場合には、第2の電荷転送スイッチの出力電位が半導体装置から出力される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020021955A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2019187345
申请日：2019-10-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H04N5/369 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L31/10 , H01L27/146
Abstract: 【課題】生産性が良好でダイナミックレンジが向上した固体撮像装置を提供する。 【解決手段】i型半導体層を有する光電変換素子と、機能素子と、配線と、を有する撮像装置において、平面視における機能素子および配線と、i型半導体層が重なる面積を、平面視におけるi型半導体層の面積の好ましくは35%以下、より好ましくは15%以下、さらに好ましくは10%以下とする。複数の光電変換素子を同一の半導体層中に設けることで、それぞれの光電変換素子を分離する工程を削減できる。複数の光電変換素子が有するそれぞれのi型半導体層は、p型半導体層またはn型半導体層により分離される。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6641037B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2019004069
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G11C11/405 , H01L21/8242
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6633845B2
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：JP2015127345
申请日：2015-06-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
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公开(公告)号：JP6603657B2
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：JP2016526750
申请日：2015-05-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H04N5/374 , H01L27/146
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公开(公告)号：JP6585124B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2017130124
申请日：2017-07-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L21/477 , H01L21/8242
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公开(公告)号：JP6012450B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2012274546
申请日：2012-12-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , G11C11/405
CPC classification number: H03K17/063 , G11C11/403 , G11C2211/4016
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公开(公告)号：JP2016140054A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015167335
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L27/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H04N5/374 , H04N5/357 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L29/7869
Abstract: 【課題】高品質な撮像データを得ることのできる撮像装置を提供する。 【解決手段】回路11と、回路12と、を有し、回路11は、フォトダイオード60と、トランジスタ51と、トランジスタ52と、トランジスタ53と、トランジスタ54と、トランジスタ55と、トランジスタ56と、トランジスタ57と、容量素子C1と、容量素子C2と、容量素子C3と、を有し画素回路として機能する。回路12は、トランジスタ58を有する撮像装置であり、回路11が有する増幅トランジスタのしきい値電圧のばらつきの補正を行う基準電流源回路として機能する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够获得高质量成像数据的成像装置。解决方案：成像装置包括电路11和电路12.电路11包括光电二极管60，晶体管51，晶体管52， 晶体管53，晶体管55，晶体管56，晶体管57，电容器C1，电容器C2，电容器C3，作为像素电路。 电路12包括晶体管58，并且用作用于补偿包括在电路11中的放大器晶体管的阈值电压的变化的参考电流源电路。选择的图示：图1
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