公开(公告)号：JP6735940B2

公开(公告)日：2020-08-05

申请号：JP2020017057

申请日：2020-02-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  神長 正美 ,  黒崎 大輔 ,  井口 貴弘 ,  後藤 尚人 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6367655B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2014180815

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鈴木 幸恵 ,  小野 幸治 ,  後藤 尚人 ,  神長 正美 ,  井口 貴弘

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2017174811A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2017052019

申请日：2017-03-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 神保 安弘 ,  横山 浩平 ,  玉造 祐樹 ,  後藤 尚人 ,  神長 正美 ,  土橋 正佳 ,  中田 昌孝 ,  千田 章裕 ,  千田 尚之

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5338

Abstract: 【課題】作製歩留りの高い表示装置を提供する。隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供する。 【解決手段】第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着層とを有し、第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、第1の開口部及び第2の開口部は、第1の画素電極と、第2の画素電極の間に設けられ、上面視において、第2の開口部の外周は、第1の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第2の絶縁層より下部において第2の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017034251A

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：JP2016149223

申请日：2016-07-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  神長 正美 ,  井口 貴弘 ,  後藤 尚人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  C23C16/45525 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107

Abstract: 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。 【解決手段】第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上のゲート電極と、第2の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、酸化物半導体膜、ゲート電極、及び金属酸化膜上の第3の絶縁膜と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート電極と重なるチャネル領域と、第3の絶縁膜と接するソース領域と、第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、ソース領域及びドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの1以上を有する。 【選択図】図1

Abstract translation: 为了提供包括氧化物半导体的晶体管，它抑制在电特性的变化，从而提高了可靠性。 和所述第一绝缘膜上的半导体层上形成一氧化物，在氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，在所述第二绝缘膜上的栅电极，与所述第二绝缘膜的侧面接触 和金属氧化物膜，所述氧化物半导体膜，栅电极，以及在所述金属氧化物膜的第三绝缘膜，所述氧化物半导体膜，沟道区重叠与栅电极，第三绝缘膜 接触的源极区，与所述第三绝缘膜接触的漏区，具有源区和漏区，氢，硼，碳，氮，氟，磷，硫，氯，钛或稀有气体，1 具有上述。 点域1

公开(公告)号：JP6871253B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2018532846

申请日：2017-05-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 大野 正勝 ,  保本 清治 ,  後藤 尚人 ,  安達 広樹

IPC: G09F9/46 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H05B33/06 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28 ,  H05B33/24 ,  G02F1/13 ,  G09F9/00

公开(公告)号：JP2017076123A

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016199701

申请日：2016-10-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 中村 太紀 ,  横山 浩平 ,  神保 安弘 ,  佐々木 俊毅 ,  中田 昌孝 ,  後藤 尚人 ,  井口 貴弘

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  G09F9/46

CPC classification number: H01L27/3267 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3232 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】利便性に優れ、消費電力の低い新規な表示装置を提供する。 【解決手段】液晶層を有する表示素子と、発光層を有する表示素子と、画素回路と、を有する表示装置である。液晶層を有する表示素子の電極、及び発光層を有する表示素子の電極は、画素回路と電気的に接続される。液晶層を有する表示素子の電極は、反射膜を有し、反射膜は、開口部を有する。画素回路は、半導体膜を含むトランジスタを有する。開口部と重なる領域における絶縁膜の層数は、半導体膜と重なる領域を有する絶縁膜の層数より少ない。また、発光層を有する表示素子は、2つの発光素子を有する。一方の発光素子が重なる光学素子の数は、他方の発光素子が重なる光学素子の数より少ない。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2016201539A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2016077934

申请日：2016-04-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  木村 肇 ,  神長 正美 ,  保坂 泰靖 ,  後藤 尚人 ,  井口 貴弘 ,  黒崎 大輔 ,  肥塚 純一

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/323 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G06F2203/04103

Abstract: 【課題】導電性を有する酸化物半導体膜を備えたタッチパネルを提供する。 【解決手段】トランジスタと、第2の絶縁膜と、タッチセンサと、を有するタッチパネルであって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、第1の絶縁膜と、第2の酸化物半導体膜と、を有し、第2の絶縁膜は、第2の酸化物半導体膜が第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とによって挟持されるように、第2の酸化物半導体膜上に設けられ、タッチセンサは、第1の電極と、第2の電極と、を有し、第1の電極及び第2の電極のいずれか一方が、第2の酸化物半導体膜を含む、タッチパネル。 【選択図】図8

Abstract translation: 以提供具有具有氧化物半导体膜的导电的触摸面板。 和晶体管，第二绝缘膜，具有触摸传感器的触摸面板，晶体管包括栅电极，栅极绝缘膜，第一氧化物半导体膜，源电极和漏极 电极，第一绝缘膜，第二氧化物半导体膜包括第二绝缘膜，所述第二氧化物半导体膜和所述第一绝缘膜和第二绝缘膜 作为夹持通过在第二氧化物半导体膜提供，触摸传感器包括：第一电极，第二电极，所述第一电极和所述第二电极 或另一个包括第二氧化物半导体膜，触摸面板。 点域8

公开(公告)号：JP6986862B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2017111699

申请日：2017-06-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 後藤 尚人 ,  保坂 泰靖 ,  矢口 瑞穂

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6835937B2

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：JP2019205512

申请日：2019-11-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 久保田 大介 ,  初見 亮 ,  神長 正美 ,  重信 匠 ,  後藤 尚人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2020190734A

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：JP2020120631

申请日：2020-07-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  神長 正美 ,  黒崎 大輔 ,  井口 貴弘 ,  後藤 尚人 ,  山崎 舜平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30

Abstract: 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共 に、信頼性を向上させる。 【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第1のゲート 電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜 と、第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、第1の酸化物半導体膜に 電気的に接続されるドレイン電極と、第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の 絶縁膜上の第2のゲート電極として機能する第2の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導 体膜上の第3の絶縁膜と、を有し、第2の絶縁膜は、過剰酸素領域を有し、過剰酸素領域 が濃度勾配を有する。 【選択図】図1