イオン注入装置
    12.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020155256A

    公开(公告)日:2020-09-24

    申请号:JP2019051014

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 【課題】装置外の中性子線量率を抑制する。 【解決手段】イオン注入装置100は、装置本体58と、装置本体58を少なくとも部分的に包囲する筐体60とを備える。装置本体58は、イオンビームが輸送されるビームラインBLに沿って配置される複数のユニット12,14,16,18と、ビームラインBLの最下流に配置される基板搬送処理ユニット20とを含み、高エネルギーのイオンビームの衝突により中性子線が発生しうる中性子線発生源を有する。イオン注入装置100は、中性子線発生源から筐体60までの距離が所定以下となる方向に中性子線発生源から出射される中性子線が入射しうる位置に配置される中性子線散乱部材をさらに備える。 【選択図】図4

    イオン注入装置およびイオン注入方法

    公开(公告)号:JP2020153748A

    公开(公告)日:2020-09-24

    申请号:JP2019051015

    申请日:2019-03-19

    Inventor: 松下 浩

    Abstract: 【課題】中性子線の発生状況を低コストで適切にモニタする。 【解決手段】イオン注入装置100は、イオンビームが輸送されるビームラインBLに沿って配置される複数の装置と、ビームラインの近傍の複数の位置に配置され、高エネルギーのイオンビームの衝突によりビームラインの複数箇所で発生しうる中性子線を測定する複数の中性子線測定器51,52,53,54と、複数の中性子線測定器51〜54のうち少なくとも一つの中性子線測定器の測定値に基づいて、複数の装置の少なくとも一つをモニタする制御装置と、を備える。 【選択図】図4

    イオン注入装置、イオンビーム被照射体およびイオン注入方法

    公开(公告)号:JP2018206504A

    公开(公告)日:2018-12-27

    申请号:JP2017107476

    申请日:2017-05-31

    Inventor: 松下 浩

    Abstract: 【課題】比較的高いエネルギーをもつイオンビームの使用に起因して生じうる核反応に対処する。 【解決手段】イオン注入装置100は、非放射性核種のイオンを含むイオンビームを生成するよう構成されたイオン源と、イオンビーム被照射体を支持するよう構成されたビームラインと、イオンビーム被照射体70に入射する非放射性核種のイオンと以前に行われたイオンビーム照射の結果としてイオンビーム被照射体70に蓄積された非放射性核種との核反応により発生する放射線の推定線量を演算するよう構成された制御装置50と、を備える。 【選択図】図5

    イオン注入装置
    17.
    发明专利
    イオン注入装置 有权
    离子植入装置

    公开(公告)号:JP2015225708A

    公开(公告)日:2015-12-14

    申请号:JP2014108008

    申请日:2014-05-26

    Abstract: 【課題】広い範囲で使用することのできるイオン注入装置を提供する。 【解決手段】イオン注入装置は、基準軌道Zに沿って入射するイオンビームBに偏向電界を作用させて、基準軌道Zと直交する横方向にイオンビームBを走査させる走査電極装置400と、走査電極装置400の下流に配置され、横方向に走査されたイオンビームBが通過する開口部が設けられる下流電極装置500と、を含む走査ユニット1000を備える。走査電極装置400は、基準軌道Zを挟んで横方向に対向して設けられる一対の走査電極410R、410Lを有する。下流電極装置500の開口部は、基準軌道Zおよび横方向の双方と直交する縦方向の開口幅および/または基準軌道Zに沿った方向の厚さが、基準軌道Zが位置する中央部と、走査電極410R、410Lの下流端部422と対向する位置の近傍と、で異なるように構成される電極体を有する。 【選択図】図16

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可在宽范围内使用的离子注入装置。解决方案:离子注入装置具有扫描单元1000,扫描单元1000具有扫掠电极装置400,用于使偏转电场作用于沿着 在垂直于基准轨迹Z的横向上扫描离子束的基准轨迹;以及设置在扫掠电极装置400的下游侧的下游侧电极装置500,具有开口部,离子束B通过该开口部扫过 横向通过。 扫掠电极装置具有一对扫掠电极410R,410L,它们被设置为在横向上相对于参考轨迹Z彼此相对。下游电极装置500的开口部分具有电极体, 垂直于基准轨迹Z和沿着基准轨迹Z的方向的基准轨迹Z和横向方向和/或厚度的纵向方向在基准轨迹Z所在的中心部分与其位置附近的位置之间是不同的, 电极体面对扫掠电极410R,410L的下游端部422。

    イオン注入装置
    18.
    发明专利
    イオン注入装置 有权
    离子植入装置

    公开(公告)号:JP2015225707A

    公开(公告)日:2015-12-14

    申请号:JP2014108007

    申请日:2014-05-26

    Abstract: 【課題】広い範囲で使用することのできるイオン注入装置を提供する。 【解決手段】イオン注入装置は、基準軌道Zに沿って入射するイオンビームBに偏向電界を作用させて、基準軌道Zと直交する横方向にイオンビームBを走査させる走査電極装置400と、走査電極装置400の上流に設けられる複数の電極体により構成される上流電極装置300と、を含む走査ユニット1000を備える。走査電極装置400は、基準軌道Zを挟んで横方向に対向して設けられる一対の走査電極410R、410Lと、基準軌道Zを挟んで横方向と直交する縦方向に対向して設けられる一対のビーム輸送補正電極450と、を備える。一対のビーム輸送補正電極450のそれぞれは、走査電極装置400の入口402付近において、基準軌道Zに向かって縦方向に延出したビーム輸送補正入口電極体454を有する。 【選択図】図16

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可在宽范围内使用的离子注入装置。解决方案:离子注入装置具有扫描单元1000,扫描单元1000具有扫掠电极装置400,用于使偏转电场作用于沿着 参考轨迹,用于沿与垂直于参考轨迹Z的横向方向扫描离子束;以及上游电极装置300,其包括设置在扫掠电极装置400的上游侧的多个电极体。扫掠电极装置400具有一对扫掠 电极410R,410L,其被设置为在横向方向上相对于参考轨迹Z;以及一对光束传输校正电极450,其被设置为在垂直于横向方向的纵向方向上通过参考轨迹 一对光束传输校正电极450中的每一个具有光束传输校正入口电极体454 在扫掠电极装置400的入口402附近沿着基准轨迹Z在纵向倾斜。

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