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公开(公告)号：JP6229653B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2014516658
申请日：2013-05-16
Applicant: コニカミノルタ株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/39 , H01L41/43 , H01L41/113 , A61B8/00 , G01N29/24 , H04R17/00 , H04R31/00 , C04B35/462
CPC classification number: H01L41/1878 , A61B8/4494 , C04B35/26 , C04B35/462 , C04B35/475 , H01L41/18 , H01L41/37 , H01L41/43 , A61B8/4444 , A61B8/4483 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , Y10T29/42
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公开(公告)号：JP6222612B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2016506190
申请日：2015-03-06
Applicant: 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 , 国立大学法人横浜国立大学
CPC classification number: C09K11/7792 , C04B35/597 , C04B35/62625 , C04B35/62695 , C04B35/6303 , C04B35/638 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C09K11/025 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/666 , C04B2235/766 , C04B2235/767 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , H01L33/502
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公开(公告)号：JP2017530939A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017505213
申请日：2015-07-30
Applicant: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー , スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Inventor： ヤーンス ミヒャエル , ヤーンス ミヒャエル , エル．シュナグル ハンス , エル．シュナグル ハンス
CPC classification number: A61C13/0022 , A61C5/20 , A61C5/77 , A61C7/00 , A61C8/0001 , A61C8/0015 , A61C8/0048 , A61C13/082 , A61C13/26 , A61C13/277 , A61K6/0094 , A61K6/024 , A61K6/0255 , A61K6/0273 , A61K6/087 , C04B35/4885 , C04B41/009 , C04B41/46 , C04B41/53 , C04B41/82 , C04B41/91 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3298 , C04B2235/61 , C04B2235/612 , C04B2235/725 , C04B2235/781 , C09D17/003
Abstract: 本発明は、多孔質ジルコニア材料を含む歯科用ミルブランクと、多孔質ジルコニア材料を着色するための着色溶液と、を含むパーツキットに関する。多孔質ジルコニア材料は、多孔質ジルコニア材料の重量に対する重量%として、ZrO2として計算される酸化ジルコニウム80〜97重量%と、Al2O3として計算される酸化アルミニウム0〜0.15重量%と、Y2O3として計算される酸化イットリウム1〜10重量%と、Bi2O3として計算される酸化ビスマス0.01〜0.2重量%とを含み、多孔質ジルコニア材料は、Fe2O3として計算されるFeを0.01重量%を上回る量では含まない。着色溶液は、一又は複数の溶媒と、Tb、Er、Pr、Mn又はこれらの組合せから選択される金属イオンを含む一又は複数の着色剤とを含み、この溶液は、着色溶液の重量に対する重量%として、Feイオンを0.01重量%を上回る量では含まず、この溶液は、Biイオンを0.01重量%を上回る量では含まない。本発明はまた、歯科修復物の製造プロセスにも関連し、このプロセスは、前述の請求項のいずれかに記載の多孔質ジルコニア材料を含む歯科用ミルブランクを提供する工程と、多孔質ジルコニア材料から、歯科修復物の形状を有し、外表面及び内表面を有する物品を機械加工する工程と、前述の請求項のいずれかに記載の着色溶液を提供する工程と、着色溶液を、歯科修復物の形状を有する物品の表面の少なくとも部分に塗布する工程と、を含む。
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公开(公告)号：JP2017528905A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2017502664
申请日：2015-07-07
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： グルンビヒラー，ヘルマン , ワン，ヨンリ , シュバインツガー，マンフレット
IPC: H01L35/22 , C01G45/00 , C04B35/057
CPC classification number: C04B35/016 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/549 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 熱電素子用の材料を示すが、これは、カルシウムマンガン酸化物を含み、Mn原子のサイトにおいて部分的にFe原子でのドーピングが存在する。さらに、熱電素子(1)用の材料の製造方法を示すが、この方法は、燃焼過程を含み、燃焼過程時の最高温度は、材料の融点よりかろうじて低い。
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公开(公告)号：JP2017517473A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2017503074
申请日：2015-04-03
Applicant: ローディア オペレーションズ , ローディア オペレーションズ , ル セントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック , ル セントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック
Inventor： メルシェ， ティエリー ル , メルシェ， ティエリー ル , フィリップ バルブー， , フィリップ バルブー， , バエル， タンギ ル , バエル， タンギ ル
IPC: C01G29/00 , H01L31/0256 , H01L31/072 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: C01G29/006 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C04B35/547 , C04B35/626 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/3298 , H01G9/2027 , H01L31/032 , H01L31/06 , Y02E10/542
Abstract: 本発明は、式Bi1−xMxCu1−y−εM’yOS1−zM’’zを有する少なくとも1つの化合物を含む材料、前記材料を製造するための方法および光電池または光化学的な使用のためのそして特に、光電流を供給するためなどの、半導体としてのその使用に関する。本発明はさらに、前記化合物を使用する光電池デバイスに関する。【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6125810B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2012255219
申请日：2012-11-21
Inventor： マイケル ポール ロウ , チョウ リ キン
CPC classification number: C01B19/007 , C04B35/547 , C04B35/645 , H01L35/16 , H01L35/32 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/449
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公开(公告)号：JPWO2015119113A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015560986
申请日：2015-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01G4/30 , C04B35/468 , H01G4/12
CPC classification number: H01G13/00 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3263 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 積層体10は、第1の誘電率を有する第1材料層20と、第1の誘電率よりも低い第2の誘電率を有する第2材料層30とを備えている。第1材料層20は、BaTiO3の一部にBa、Ti以外の金属元素を含む化合物である第1粒子部22と、第1粒子部22の粒子間に存在しZnOを含む第1粒界部24と、を含む。第2材料層30は、第2粒子部32と、第2粒子部32の粒子間に存在する第2粒界部34と、を含む。
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公开(公告)号：JPWO2015115421A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015559948
申请日：2015-01-27
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/62685 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3298 , C04B2235/5409 , C04B2235/6584 , H01C7/025 , H01C17/06533
Abstract: 半導体磁器組成物のキュリー温度を大きく、かつ、室温比抵抗ρを小さく調整することが可能である新規な製造方法を提供する。(BiA)TiO3(AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種)仮焼粉と、(BaR)[TiM]O3(RはYを含む希土類元素のうち少なくとも一種、MはNb、Ta、Sbのうち少なくとも一種であり、R,Mはどちらか一方が必須である)仮焼粉を用意し、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合し、その後、成形、焼結する半導体磁器組成物の製造方法であって、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合する前に、前記(BiA)TiO3仮焼粉のBET値をa、前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉のBET値をbとして、a/b≧2.0とすることを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。
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公开(公告)号：JP6072025B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2014517738
申请日：2012-06-29
Applicant: セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング , CeramTec GmbH
Inventor： フリーデリケ アーペル , ハンス−ユルゲン シュライナー , クラウディア フォイクト
IPC: H01L41/39 , H01L41/187 , C04B35/475
CPC classification number: H01L41/1873 , C01G29/006 , C04B35/462 , C04B35/475 , C04B35/6261 , C04B35/62685 , H01L41/187 , H01L41/43 , C01P2006/80 , C04B2235/3201 , C04B2235/3298 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/79
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公开(公告)号：JPWO2014112209A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2014535838
申请日：2013-11-26
Applicant: Jx金属株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/117 , C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/38 , C04B2235/42 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C23C14/3414
Abstract: 亜鉛(Zn)、及び、ガリウム(Ga)又はアルミニウム(Al)又はホウ素(B)、及び、ゲルマニウム(Ge)又はケイ素(Si)、及び、マグネシウム(Mg)、及び、酸素(O)、及び、フッ素(F)からなり、ガリウム(Ga)又はアルミニウム(Al)又はホウ素(B)の含有量がGa2O3又はAl2O3又はB2O3換算でAmol%、ゲルマニウム(Ge)又はケイ素(Si)の含有量がGeO2又はSiO2換算でBmol%、マグネシウム(Mg)の含有量がMgF2換算でCmol%としたとき、10≦A+B+C≦70であることを特徴とする焼結体。特に、バルク抵抗が低くDCスパッタリングが可能であり、低屈折率のアモルファス薄膜を形成することができる。【選択図】なし
Abstract translation: 锌（Zn）和镓（Ga）或铝（Al）或硼（B），和锗（Ge）或硅（Si），和镁（Mg），以及氧（O），和， 由氟（F），镓（Ga）或铝（Al）或Ga2O3的阿莫尔％含量或硼（B）而言氧化铝或B2O3，锗的含量（锗），或硅（Si）的GeO 2或 的SiO 2 Bmol％在当镁（Mg）的含量在氟化镁，烧结，这是一个10≦A + B + C≦70而言一个C摩尔％计。 特别地，有可能体积电阻是DC溅射的低，则可以形成具有低折射率的无定形薄膜。 系统技术领域
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