レーザー出力装置、および、レーザー出力装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2021061343A

    公开(公告)日:2021-04-15

    申请号:JP2019185362

    申请日:2019-10-08

    申请人: 株式会社IHI

    发明人: 藏田 真太郎

    IPC分类号: B82Y20/00 H01S3/113

    摘要: 【課題】カーボンナノウォールを用いた可飽和吸収素子において、透過率を低減させる。 【解決手段】レーザー出力装置は、端面132を有する光ファイバ130Cと、端面132に対向する端面134を有する光ファイバ130Dと、カーボンナノウォールを含み、端面132および端面134の間に設けられる複数の可飽和吸収シート192と、を備える。 【選択図】図2

    半導体装置
    15.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021005712A

    公开(公告)日:2021-01-14

    申请号:JP2020141691

    申请日:2020-08-25

    摘要: 【課題】新規な素子を提供する。または、膜の新規な作製方法を提供する。または、素子 の新規な作製方法を提供する。または、グラフェンを含む膜を、低コストかつ高歩留まり で作製する。 【解決手段】基板上に、酸化グラフェンが分散された分散液を塗布し、塗布した分散液か ら分散媒を除去し、第1の領域および第2の領域を有する酸化グラフェンを含む膜を形成 する第1のステップと、第1の領域に光を照射し、第1の領域を還元してグラフェンを含 む膜を形成する第2のステップと、第2の領域を洗浄により除去する第3のステップと、 を有する、グラフェンを含む膜の作製方法。 【選択図】図1