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公开(公告)号：JP2015195264A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014072149
申请日：2014-03-31
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , C09J161/10 , C09J133/06 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/181
摘要： 【課題】半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能な状態とした後、引張張力を加えることにより半導体ウエハを分割して半導体チップを得る場合に、分割予定ライン以外の箇所で、半導体ウエハに割れや欠けが発生することを抑制することが可能なダイボンドフィルムを提供すること。 【解決手段】 波長1065nmにおける光線透過率が80%以上であるダイボンドフィルム。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种芯片接合薄膜，其可以抑制半导体晶片在除了在半导体晶片上的分割预定线上照射激光束的情况下的除了分配预定线之外的位置处的切屑和裂纹的发生， 形成重整区域，以向半导体晶片提供其中半导体晶片可以沿着分割预定线路容易地分割的状态，随后将张力施加到半导体晶片以将半导体晶片分成半导体芯片。解决方案：A模具 接合膜的波长为1065nm的透光率为80％以上。
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公开(公告)号：JP2015122427A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2013265772
申请日：2013-12-24
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/32225 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247
摘要： 【課題】 高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムを準備する工程、少なくとも1つの第1半導体素子を被着体上に固定する第1固定工程、及び前記接着フィルムにより、前記第1半導体素子を包埋しながら前記第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を前記被着体に固定する第2固定工程を含み、前記第1半導体素子の平面視での面積が、前記第2半導体素子の平面視での面積の40%以下である半導体装置の製造方法である。 【選択図】 図3F
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，其可以以良好的产量制造可靠的半导体器件。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法包括：制备用于嵌入第一半导体的粘合剂膜的步骤 固定在安装基座上并将不同于第一半导体元件的第二半导体元件固定到安装基座; 所述第一固定步骤将至少一个第一半导体元件固定在所述安装基座上; 以及第二固定步骤，其将与第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到安装基座，同时通过粘合剂膜包埋第一半导体元件。 平面图中的第一半导体元件的面积在俯视图中等于或小于第二半导体元件的面积的40％。
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公开(公告)号：JP2015103577A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241297
申请日：2013-11-21
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/52
摘要： 【課題】 熱伝導性粒子の高充填化が可能で、良好な凹凸追従性及び耐湿リフロー性が得られる熱硬化型ダイボンドフィルム、熱硬化型ダイボンドフィルムを用いたダイシングシート付きダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、熱伝導性粒子を含み、上記熱伝導性粒子の粒度分布において、2μm未満の粒径範囲にピークAが存在し、2μm以上の粒径範囲にピークBが存在し、上記ピークBの粒径の上記ピークAの粒径に対する比が5〜20であり、熱硬化後の熱伝導率が1W/m・K以上である熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。 【選択図】 図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供：能够以高填充率填充导热性粒子的热固化型芯片接合膜，能够令人满意的不均匀性的追随性和令人满意的耐湿性和耐回流性; 具有通过使用这种热固性芯片接合膜布置的切割片的芯片接合膜; 以及半导体器件的制造方法。热固化型芯片接合膜包含导热性粒子。 在导热粒子的粒度分布中，峰A存在于粒径小于2μm的范围内，峰B存在于2μm以上的粒径范围内; 峰B的粒径与峰A的粒径的比例为5-20。 热固性芯片接合膜具有1W / m K以上的后热固化热导率。
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公开(公告)号：JP2015103573A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241284
申请日：2013-11-21
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/52
摘要： 【課題】 熱伝導性が高く、且つ、被着体に貼り付ける際に被着体の凹凸に十分に追従することができる熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。 【解決手段】 熱硬化後の熱伝導率が1W/m・K以上であり、熱伝導率が12W/m・K以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して75重量%以上含有しており、130℃において、ずり速度50(1/秒)で測定される溶融粘度が200Pa・s以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 【選択図】 図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种具有高导热性的热固性模片接合薄膜，并且被布置成能够充分地跟随被粘附物体粘附的物体的不均匀性。 芯片接合膜具有1W / m K以上的后热固化导热率，并且包括热导率为12W / m K以上的导热性粒子，占总重量的75重量％以上 的热固性模片接合膜，其剪切速率为50（1 /秒），在130℃下测定的熔融粘度为200Pa·s以下。
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公开(公告)号：JP2021195457A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103199
申请日：2020-06-15
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： C09J133/14 , C09J7/10 , C09J7/35
摘要： 【課題】本発明は、熱硬化後において紫外線の透過性に優れた接着シートを提供する。 【解決手段】本発明は、有機成分を有する樹脂組成物を備え、前記有機成分が、熱硬化性樹脂を有し、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ基を有するアクリル樹脂を含み、該有機成分は、前記アクリル樹脂を90〜100質量%含む、接着シートである。 【選択図】 なし
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公开(公告)号：JP6961387B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017099518
申请日：2017-05-19
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52
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公开(公告)号：JP2021118236A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020009598
申请日：2020-01-24
申请人： 日東電工株式会社
摘要： 【課題】半導体チップなどのワークを効率よく封止するのに適した半導体装置の製造方法と、それに用いられるダイシングテープ一体型封止シートを提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、次の各工程を含む。仮固定テープ20と、その粘着剤層22上にて互いに間隔を隔てて位置する複数のワーク10とを備える封止準備体Pを用意する工程(各ワーク10は、ワーク本体部11が粘着剤層22と間隔を隔てて対向し、電極部12の電極先端部12aが粘着剤層22に仮固定されている)。封止準備体Pのワーク10をその電極部12とは反対側から封止材層40に押し入れて、ワーク本体部11を封止材層40内に埋め込む工程。封止材層40を硬化させる工程。仮固定テープ20を除去する工程。封止材付きのワーク10へと個片化する工程。ダイシングテープ一体型封止シートXは、ダイシングテープ30と、その上の、封止材層40を有する封止シートFとを備える。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2021015865A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019128946
申请日：2019-07-11
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/24 , C09J7/25 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L21/52
摘要： 【課題】加熱条件下での積層時に、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いダイボンドフィルムを提供する。 【解決手段】ダイシングダイボンドフィルム20は、基材層1上に粘着剤層2が積層されたダイシングテープ10と、ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層3を備える。ダイボンド層はダイボンドフィルムで構成され、120℃におけるせん断損失弾性率が0.03Mpa以上0.09MPa以下、180℃におけるせん断損失弾性率が0.01MPa以上0.05MPa以下である。 【選択図】図1
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