公开(公告)号：JPWO2009130848A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：JP2010509058

申请日：2009-03-26

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 定広 杉本 ,  定広 杉本 ,  山本　彰 ,  山本　　彰

IPC: G06F12/16 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F11/0793 ,  G11C16/349 ,  G11C29/82

Abstract: フラッシュメモリを記憶媒体とするストレージシステムで記憶容量を効率的に利用する。ストレージシステムは、ストレージコントローラと、ストレージコントローラに接続されるフラッシュメモリモジュールとを有する。ストレージコントローラは、フラッシュメモリモジュールが有するフラッシュメモリチップ内の記憶領域の状態を管理している。フラッシュメモリチップ内の一部の記憶領域が書き込み不能となった場合に、ストレージコントローラは、空き記憶領域を書き込み不能となった記憶領域の代替領域とし、書き込み不能となった記憶領域に格納されていたデータを代替領域に格納するよう制御する。

公开(公告)号：JP4681559B2

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：JP2006533611

申请日：2004-06-07

Applicant: サンディスク コーポレイションSanDisk Corporation

Inventor： シー． ギューテルマン、ダニエル ,  ジェイ． グロス、スティーブン ,  エス． ゴングワー、ジェフリー ,  ハーリド、シャザド

IPC: G11C16/02 ,  G06F12/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/409 ,  G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/349

公开(公告)号：JP4681530B2

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：JP2006272917

申请日：2006-10-04

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： シェン・テン・スー ,  ティンカイ・リー ,  リサ・エイチ・ステッカー

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/15 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66825

Abstract: A nanocrystal silicon (Si) quantum dot memory device and associated fabrication method have been provided. The method comprises: forming a gate (tunnel) oxide layer overlying a Si substrate active layer; forming a nanocrystal Si memory film overlying the gate oxide layer, including a polycrystalline Si (poly-Si)/Si dioxide stack; forming a control Si oxide layer overlying the nanocrystal Si memory film; forming a gate electrode overlying the control oxide layer; and, forming source/drain regions in the Si active layer. In one aspect, the nanocrystal Si memory film is formed by depositing a layer of amorphous Si (a-Si) using a chemical vapor deposition (CVD) process, and thermally oxidizing a portion of the a-Si layer. Typically, the a-Si deposition and oxidation processes are repeated, forming a plurality of poly-Si/Si dioxide stacks (i.e., 2 to 5 poly-Si/Si dioxide stacks).

公开(公告)号：JP2011508358A

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：JP2010540550

申请日：2008-08-25

Applicant: インディリンクス カンパニー., リミテッド.

Inventor： ブンソー キム， ,  ヒュンモ チャン， ,  ハンモク パク，

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/3495 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/00 ,  G06F11/0727 ,  G06F11/08 ,  G06F12/0246 ,  G06F17/30218 ,  G11C11/5628 ,  G11C13/0035 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/344 ,  G11C16/349 ,  G11C29/36 ,  G11C2211/5647

Abstract: 【課題】 フラッシュメモリの摩耗度を平準化するフラッシュメモリ装置およびフラッシュメモリプログラミング方法を提供する。
【解決手段】 メモリセルアレイと、データページ内の「１」および「０」の個数に基づいて前記データページを反転または反転しないことによって、プログラミングページを生成する反転決定部と、前記生成されたプログラミングページを前記メモリセルアレイに格納するプログラミング部と、前記メモリセルアレイに格納されたプログラミングページを読み出し、前記読み出したプログラミングページのエラー有無に応じて、前記プログラミングページから前記データページを復元して出力するデータ判定部を含むことを特徴とし、これによってメモリセルの摩耗度の平準化が可能になる。
【選択図】 図４

公开(公告)号：JP2010218637A

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：JP2009064983

申请日：2009-03-17

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： FUKUDA YASUYUKI

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/349 ,  G11C16/0408

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor storage capable of suppressing destruction of data due to deterioration of data retention, and to provide a method of controlling the semiconductor storage device. SOLUTION: The semiconductor storage device includes: a memory cell array 11; a first data latch circuit DL1 for latching first read data, which is read from a memory cell with a parameter at an actual read level; a second data latch circuit DL2 for latching second read data, which is read from the memory cell with a parameter at a level shifted higher than the actual read level; an arithmetic circuit CB for computing the first and second read data; a counter circuit BS for counting the number (N) of difference between the first and second read data in the computation result of the arithmetic circuit; and a control circuit 17 for comparing the number (N) with a reference number (M) and performing control to output flag information to the outside in the case of N≥M. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：提供能够抑制由于数据保持的劣化导致的数据破坏的半导体存储器，并提供一种控制半导体存储装置的方法。 解决方案：半导体存储装置包括：存储单元阵列11; 用于锁存从具有实际读取电平的参数从存储器单元读取的第一读取数据的第一数据锁存电路DL1; 用于锁存第二读取数据的第二数据锁存电路DL2，其以从高于实际读取电平的电平移位的参数从存储器单元读取; 用于计算第一和第二读取数据的算术电路CB; 用于对运算电路的运算结果中的第一和第二读取数据之间的差数（N）进行计数的计数器电路BS; 以及控制电路17，用于在N≥M的情况下将数量（N）与参考号（M）进行比较，并执行向外部输出标志信息的控制。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4456486B2

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：JP2004548308

申请日：2003-09-10

Applicant: サンディスク コーポレイションSanDisk Corporation

Inventor： クゥワミ，バーマン ,  サベット−シャーギー，ファーシッド ,  チャン，ロバート

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/349

公开(公告)号：JP4357304B2

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：JP2004004097

申请日：2004-01-09

Applicant: 株式会社バッファロー

Inventor： 貴郁 園部 ,  敬 石徹白

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C16/349 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211 ,  G11C29/76

Abstract: By providing registers for each block constituting the flash memory, based on the use state and the erase count information stored in the registers, the plurality of blocks are classified into n groups according to the erase count by the control circuit, and of the blocks that can be used for writing of one classified group, writing of data is performed in the block constitution sequence. When all the blocks of one group are used, data is written to blocks that can be used for writing of another group selected in a specified sequence. Sequentially between n groups, the item in charge for selecting the blocks used for data writing are alternated, and data is written to the selected block. As a result, considering leveling of the flash memory block erase count, it is possible to perform the write capability block selection process using hardware.

公开(公告)号：JP4335659B2

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：JP2003422119

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社ルネサステクノロジ

Inventor： 孝徳 山添 ,  哲也 石丸

IPC: G11C16/02 ,  G11C7/02 ,  G11C7/24 ,  G11C11/15 ,  G11C11/22 ,  G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/22 ,  G11C16/34 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349

Abstract: Disclosed here is a nonvolatile semiconductor memory device used to prevent data loss that might occur in unselected memory cells due to a disturbance that might occur during programming/erasing in/from those memory cells. In the nonvolatile semiconductor memory device, the number of programming/erasing operations performed in a data storage block over a programming/erasing unit of the subject nonvolatile memory is recorded in an erasing/programming counter EW CT provided in each data storage block. When the value of the erasing/programming counter reaches a predetermined value, the data storage block corresponding to the erasing/programming counter is refreshed. In the refreshing operation, the data in the data storage block is stored in a temporary storing region provided in the data storage block, then the data in a temporary storing region of the data storage area is erased and the data stored temporarily is programmed in the data storage block again.

公开(公告)号：JP2009526340A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：JP2008553887

申请日：2007-02-08

Applicant: サンディスク アイエル リミテッド

Inventor： ジグレル、アロン ,  ビシュコフ、イヤル ,  ポメランツ、イツァーク ,  メイル、アブラハム

IPC: G11C16/02 ,  G06F12/16

CPC classification number: G11C29/52 ,  G11C16/04 ,  G11C16/349 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/5002

Abstract: 【課題】メモリ・デバイスを管理するための方法、そのように管理されるメモリ・デバイス、そしてそのようなメモリ・デバイスを含むシステムを得る。
【解決手段】デバイス上でのデータ・オペレーションの後、デバイスの耐用寿命パラメータの値がモニターされる。 このモニタリングはデバイスによって実行される。 その値からデバイスのグレードが推測される。 好適耐用寿命パラメータは、処理の失敗したデータへの処理の成功したデータの比率、そしてデバイスの電力消費における偏差を含む。 グレードは、メモリ・デバイスの寿命の予想として機能する。 好適グレードは、比較グレード、最大グレードおよび平均グレードを含む。
【選択図】図２

公开(公告)号：JP4287222B2

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：JP2003311393

申请日：2003-09-03

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 正嗣 小島

IPC: G11C16/02 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3427 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495