電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材

    公开(公告)号:JP2017066519A

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:JP2016178563

    申请日:2016-09-13

    发明人: 村田 英夫

    摘要: 【課題】 AlまたはAl合金からなる導電層と、この導電層の少なくとも一方を覆う被覆層に、密着性、耐食性、耐酸化性を確保するとともに、安定して高精度のウェットエッチングを行なうことが可能となる新規な被覆層を有する電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 【解決手段】 AlまたはAl合金からなる導電層と、該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層を有する電子部品用積層配線膜において、前記被覆層はNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜およびNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる被覆層形成用スパッタリングターゲット材。 【選択図】 図1

    タングステン焼結体スパッタリングターゲット
    47.
    发明专利
    タングステン焼結体スパッタリングターゲット 有权
    钨烧结体溅射靶

    公开(公告)号:JPWO2014148588A1

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:JP2015506842

    申请日:2014-03-20

    摘要: タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、不純物の鉄が0.8wtppm以下で、残部がタングステンとその他の不可避的不純物であり、ターゲット組織における鉄の濃度範囲が、平均含有濃度の±0.1wtppmの範囲内であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。さらに、ターゲットの相対密度が99%以上、平均結晶粒径が50μm以下、結晶粒径の範囲が5〜200μmであることを特徴とする上記タングステン焼結体スパッタリングターゲット。タングステン焼結体スパッタリングターゲットの鉄を低減させることにより、該タングステンターゲット中の異常粒成長を抑制することを課題とする。

    摘要翻译: 烧结体溅射靶钨,下面0.8Wtppm铁杂质,余量为钨和其他不可避免的杂质,铁在靶组织中的浓度范围内,范围为±0.1重量ppm平均含量浓度的内 烧结钨溅射靶,其特征在于它。 此外,靶的相对密度为99%以上,50μm以下的平均晶粒尺寸,晶粒尺寸的钨烧结体溅射靶范围,其特征在于它是一个5到200微米。 通过减小铁钨烧结体溅射靶,其一个目的是抑制在钨靶异常晶粒生长。

    真空バルブ用接点材料およびその製造方法
    48.
    发明专利
    真空バルブ用接点材料およびその製造方法 审中-公开
    触头材料及其用于真空阀的制造方法

    公开(公告)号:JP2017024056A

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:JP2015147068

    申请日:2015-07-24

    摘要: 【課題】溶着引き外しによって接点材料の表面がmmオーダーで荒れても、その耐電圧性能の劣化を抑制することが可能な真空バルブ用の接点材料を提供する。 【解決手段】Cr相の存在割合が20〜50vol%であり、Cu相の存在割合が少なくとも50vol%であるCrCu合金を含んでなる金属原料を、その表面から1mm以上の領域を、200℃以上、410℃以下の温度領域内において摩擦撹拌処理によって、そのCr相を塑性変形させてCr相を相互連結せしめたものであることを特徴とする真空バルブ用の接点材料の製造方法、および真空バルブ用の接点材料。 【選択図】なし

    摘要翻译: 通过焊接在毫米的顺序跳闸甚至粗糙,接触材料的表面提供一种真空阀,其能够抑制的耐电压性能的降低的接触材料。 的Cr相的比例为20〜50体积%以下,Cu相的金属材料存在比例包含的CrCu合金为至少50体积%,则1毫米或从表面多个区域,200℃或更高 通过在410℃的温度区域下的摩擦搅拌处理中,一种制造触头材料的真空阀的方法,其特征在于它的铬相塑性变形,其中被允许互连Cr相和真空阀, 使用的触头材料。 系统技术领域