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公开(公告)号:JP2017160539A
公开(公告)日:2017-09-14
申请号:JP2017076754
申请日:2017-04-07
申请人: 株式会社アライドマテリアル
摘要: 【課題】加工対象物の高融点化に対応した耐力や硬度等の物性を充足する、塑性加工用工具用の耐熱合金を提供する。 【解決手段】本発明のモリブデン耐熱合金は、Moを主成分とする第1の相と、Ti、Zr、Hfの少なくとも1つの炭窒化物を主成分とする第2の相と、第1の相と第2の相の間に設けられ、MoとTi、Zr、Hfの少なくとも1つの炭窒化物の固溶体を有する第3の相とを有している。第1の相のMo及び第2の相の炭窒化物の含有量だけでなく、第1の相のMoの平均粒径、及び第2の相の炭窒化物の平均粒径及び3.0〜5.0μmの粒径の粒子の個数が所定値に設定される。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JPWO2015137340A1
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:JP2016507763
申请日:2015-03-10
申请人: 株式会社アライドマテリアル
CPC分类号: B22F3/24 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C27/04 , C30B29/20 , C30B35/002 , F27B14/10 , F27D2005/0075 , B22F3/1017 , B22F2201/013 , B22F2201/20 , B22F3/17 , B22F2003/248
摘要: 融液の漏れを防止することが可能な坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法を提供する。坩堝(1)は、モリブデンを40質量%以上含む坩堝であって、C、NおよびOの総含有率が100質量ppm以下であり底面(15)と側面(13)の境界の角R部(16)での硬さが150HV以上310HV以下であり、Cの含有率が30質量ppm以下であり、Nの含有率が20質量ppm以下であり、Oの含有率が50質量ppm以下である。
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公开(公告)号:JP2017066519A
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:JP2016178563
申请日:2016-09-13
申请人: 日立金属株式会社
发明人: 村田 英夫
IPC分类号: C22C19/03 , C23C14/34 , C23C14/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , C22C27/04
摘要: 【課題】 AlまたはAl合金からなる導電層と、この導電層の少なくとも一方を覆う被覆層に、密着性、耐食性、耐酸化性を確保するとともに、安定して高精度のウェットエッチングを行なうことが可能となる新規な被覆層を有する電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 【解決手段】 AlまたはAl合金からなる導電層と、該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層を有する電子部品用積層配線膜において、前記被覆層はNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜およびNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる被覆層形成用スパッタリングターゲット材。 【選択図】 図1
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公开(公告)号:JPWO2015129754A1
公开(公告)日:2017-03-30
申请号:JP2016505264
申请日:2015-02-25
申请人: 日立金属株式会社
CPC分类号: B22D13/02 , B22D17/2023 , B22D19/08 , B22D21/005 , B22D21/06 , B22D23/06 , B22F1/0003 , B22F2302/10 , B22F2302/45 , B22F2304/10 , B29C33/38 , B29C45/62 , B29C47/66 , B29K2905/00 , B29L2031/757 , C22C19/007 , C22C19/03 , C22C19/056 , C22C19/057 , C22C19/058 , C22C29/08 , C22C32/0052
摘要: ニッケル基合金基地中に20〜50面積%の炭化タングステン粒子及び1〜10面積%のタングステンを主体とする金属硼炭化物粒子を含有する組織を有し、かつ1〜7.5質量%のFeを含有するライニング層を有する成形機用シリンダは、1140℃超1200℃未満で加熱する第一の加熱工程と、1080℃以上1140℃以下で加熱する第二の加熱工程により原料粉末の加熱溶融を行った後に遠心鋳造する方法により製造することができる。
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公开(公告)号:JPWO2014148588A1
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:JP2015506842
申请日:2014-03-20
申请人: Jx金属株式会社
IPC分类号: C23C14/34 , C22C27/04 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号: H01J37/3426 , C22C1/045 , C22C27/04 , C23C14/165 , C23C14/3414
摘要: タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、不純物の鉄が0.8wtppm以下で、残部がタングステンとその他の不可避的不純物であり、ターゲット組織における鉄の濃度範囲が、平均含有濃度の±0.1wtppmの範囲内であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。さらに、ターゲットの相対密度が99%以上、平均結晶粒径が50μm以下、結晶粒径の範囲が5〜200μmであることを特徴とする上記タングステン焼結体スパッタリングターゲット。タングステン焼結体スパッタリングターゲットの鉄を低減させることにより、該タングステンターゲット中の異常粒成長を抑制することを課題とする。
摘要翻译: 烧结体溅射靶钨,下面0.8Wtppm铁杂质,余量为钨和其他不可避免的杂质,铁在靶组织中的浓度范围内,范围为±0.1重量ppm平均含量浓度的内 烧结钨溅射靶,其特征在于它。 此外,靶的相对密度为99%以上,50μm以下的平均晶粒尺寸,晶粒尺寸的钨烧结体溅射靶范围,其特征在于它是一个5到200微米。 通过减小铁钨烧结体溅射靶,其一个目的是抑制在钨靶异常晶粒生长。
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公开(公告)号:JP2017024056A
公开(公告)日:2017-02-02
申请号:JP2015147068
申请日:2015-07-24
申请人: 株式会社東芝
IPC分类号: C22C9/00 , C22C27/04 , H01H33/662 , H01H33/664 , B23K20/12
摘要: 【課題】溶着引き外しによって接点材料の表面がmmオーダーで荒れても、その耐電圧性能の劣化を抑制することが可能な真空バルブ用の接点材料を提供する。 【解決手段】Cr相の存在割合が20〜50vol%であり、Cu相の存在割合が少なくとも50vol%であるCrCu合金を含んでなる金属原料を、その表面から1mm以上の領域を、200℃以上、410℃以下の温度領域内において摩擦撹拌処理によって、そのCr相を塑性変形させてCr相を相互連結せしめたものであることを特徴とする真空バルブ用の接点材料の製造方法、および真空バルブ用の接点材料。 【選択図】なし
摘要翻译: 通过焊接在毫米的顺序跳闸甚至粗糙,接触材料的表面提供一种真空阀,其能够抑制的耐电压性能的降低的接触材料。 的Cr相的比例为20〜50体积%以下,Cu相的金属材料存在比例包含的CrCu合金为至少50体积%,则1毫米或从表面多个区域,200℃或更高 通过在410℃的温度区域下的摩擦搅拌处理中,一种制造触头材料的真空阀的方法,其特征在于它的铬相塑性变形,其中被允许互连Cr相和真空阀, 使用的触头材料。 系统技术领域
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公开(公告)号:JP6068425B2
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:JP2014250684
申请日:2014-12-11
申请人: 株式会社神戸製鋼所
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522 , C22C5/06 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , C22C27/04 , H01L21/3205
CPC分类号: H01L24/05 , C22C27/04 , C22C5/06 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/4847
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公开(公告)号:JP6044737B2
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:JP2016505264
申请日:2015-02-25
申请人: 日立金属株式会社
CPC分类号: B22D13/02 , B22D17/2023 , B22D19/08 , B22D21/005 , B22D21/06 , B22D23/06 , B22F1/0003 , B29C33/38 , B29C45/62 , C22C19/007 , C22C19/03 , C22C19/056 , C22C19/057 , C22C19/058 , C22C29/08 , C22C32/0052 , B22F2302/10 , B22F2302/45 , B22F2304/10 , B29C47/66 , B29K2905/00 , B29L2031/757
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