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公开(公告)号：JP2021095491A
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2019227246
申请日：2019-12-17
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
Abstract: 【課題】In及びPを含有するコアと1層以上のシェルからなるコア/シェル型半導体ナノ粒子であって、半値幅が小さく、且つ、量子効率が高い半導体ナノ粒子を提供する。 【解決手段】In及びPを含有するコアと1層以上のシェルとを有するコア/シェル型半導体ナノ粒子の集合である半導体ナノ粒子集合体であって、半導体ナノ粒子集合体の発光スペクトル(λ 1 )のピーク波長(λ 1 MAX )が515〜535nmの間にあり、半値幅(FWHM 1 )が43nm以下であり、半導体ナノ粒子1粒子毎の(1)発光スペクトル(λ 2 )の半値幅(FWHM 2 )の平均値が15nm以上であり、(2)発光スペクトル(λ 2 )のピーク波長(λ 2 MAX )の標準偏差(SD 1 )が12nm以下であり、(3)発光スペクトル(λ 2 )の半値幅(FWHM 2 )の標準偏差(SD 2 )が2nm以上であることを特徴とする半導体ナノ粒子集合体。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JPWO2020040138A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019032446
申请日：2019-08-20
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
Abstract: 本発明の導電性ペーストは、銅を含む金属粉末と、ガラス組成物と、有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、前記ガラス組成物が硫黄(S)を含み、当該硫黄(S)の含有量が前記金属粉末に対して10ppm以上370ppm以下であることを特徴とする。本発明によれば、銅を含む金属粉末単体の焼成挙動を適度に制御し、その結果として焼成ウィンドウが広く、焼成後のボイドやガラス浮きといった問題が発生しにくい導電性ペーストを提供することができる。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2019198418A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019010830
申请日：2019-03-15
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
IPC: H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/495
Abstract: 第一成分と第二成分とからなり、第一成分が、0.00〜35.85mol%のCaの酸化物と、0.00〜47.12mol%のSrの酸化物と、0.00〜51.22mol%のBaの酸化物と、0.00〜17.36mol%のTiの酸化物と、0.00〜17.36mol%のZrの酸化物と、0.00〜2.60mol%のSnの酸化物と、0.00〜35.32mol%のNbの酸化物と、0.00〜35.32mol%のTaの酸化物と、0.00〜2.65mol%のVの酸化物と、からなり、第二成分として、0.005〜3.500質量%のMnの酸化物(a)と、0.080〜20.000質量%のCuの酸化物及び/又は0.300〜45.000質量%のRuの酸化物(b)と、を少なくとも含有する誘電体磁器組成物。 本発明によれば、高温環境下においても静電容量の変化が少なく、25℃及び200℃における誘電損失が小さく、高温環境下での絶縁抵抗値が高い誘電体磁器組成物を提供することができる。
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公开(公告)号：JP2020204756A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019142425
申请日：2019-08-01
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
Abstract: 【解決課題】半導体ナノ粒子の高い蛍光量子効率(QY)を保ったまま、極性を有する分散媒に高質量分率で分散可能な半導体ナノ粒子複合体を提供すること。 【解決手段】半導体ナノ粒子の表面に、リガンドが配位した半導体ナノ粒子複合体であって、前記半導体ナノ粒子は、InおよびPを含有するコアと、1層以上のシェルとを有するコア/シェル型半導体ナノ粒子であり、前記半導体ナノ粒子は、さらにハロゲンを含み、前記半導体ナノ粒子において、原子換算で、Inに対するハロゲンのモル比は、0.80〜15.00であり、前記リガンドは、下記一般式(1):HS−R 1 −COO−R 2 (1)で表されるメルカプト脂肪酸エステルを1種以上含み、前記メルカプト脂肪酸エステルのSP値は9.20以上であり、前記メルカプト脂肪酸エステルの分子量が700以下であり、かつ前記リガンド全体の平均のSP値は9.10〜11.00であること、を特徴とする半導体ナノ粒子複合体。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020040847A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018167238
申请日：2018-09-06
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
Abstract: 【課題】Cdを実質的に含まずに、高い安定性を保ったまま青色光の吸光係数の向上した半導体ナノ粒子を提供することを目的とする。 【解決手段】少なくともInおよびPを含むコアと、1層以上のシェルと、を有する半導体ナノ粒子であって、前記シェルの少なくとも1層がZnSeTe(但し、Te/(Se+Te)=0.03〜0.50である)であり、前記半導体ナノ粒子を分散媒中に分散させて無機質量で1mg/mLの分散液にしたとき、450nmの光に対して光路長1cmでの吸光度が0.9以上である、半導体ナノ粒子。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2018092665A1
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2017040352
申请日：2017-11-09
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
Abstract: 本発明は、噴霧熱分解法において、金属種に拘わらず、ガラス質薄膜が金属粉末の表面の一部のみに偏って被覆されることなく表面全体に均一且つ均質なガラス質薄膜を有する金属粉末を容易に得るための製造方法を提供することを目的とする。 本発明の金属粉末の製造方法は、熱分解性の金属化合物と、熱分解して当該金属化合物から生成する金属と固溶しないガラス質を生成するガラス前駆体とを含む溶液から噴霧熱分解法により当該金属粉末の表面近傍にガラス質を生成させて、表面にガラス質薄膜を備えた金属粉末を製造する方法であって、前記金属が卑金属を主成分とするものであり、前記溶液中に、当該溶液に可溶であって上記加熱時に還元性を示す還元剤を、当該溶液全体に対する質量%で5〜30質量%含む金属粉末の製造方法である。
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公开(公告)号：JPWO2017057246A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017543242
申请日：2016-09-26
Applicant: 昭栄化学工業株式会社
IPC: C03C8/18
Abstract: 本発明は、導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルを含む導電性ペーストであって、前記導電性粉末が、銅及び/又はニッケルを主成分とし、前記ガラスフリットが、Pb、Cd及びBiを実質的に含まず、且つ、酸化物換算でBaO 40〜65質量%、B2O315〜23質量%、Al2O32〜12質量%、SiO24〜8質量%、ZnO 0〜5質量%、TiO20.5〜7質量%、CaO 3〜7.5質量%の範囲で含み、且つ、MnO2、CuO及びCoOのうちの何れか1以上を、MnO20〜7質量%、CuO 0〜16質量%、CoO 0〜5質量%の範囲で含むことを特徴とする導電性ペーストである。本発明によれば、非酸化性雰囲気中で焼成される場合であっても、耐酸性に優れ、強度不良やめっき液の浸入のない緻密な電極膜を形成できる導電性ペーストを提供することができる。
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