公开(公告)号：JP6968969B2

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：JP2020200100

申请日：2020-12-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

公开(公告)号：JPWO2020089725A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JPIB2019058933

申请日：2019-10-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 高橋 圭 ,  青木 健

IPC: H02M3/157 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H02M3/155

Abstract: 新規な構成の電源回路の提供。負荷に電力を供給する電力変換回路と、前記負荷を流れる電流の情報を有する第1の信号を生成する電流検出回路と、負荷に印加される電圧の情報を有する第2の信号を生成する電圧検出回路と、デジタルフィルタと、デジタルフィルタから出力される信号が入力されるデジタルアナログ変換回路と、デジタルアナログ変換回路から出力される信号を保持するためのサンプルホールド回路と、を有し、第2の信号を補正した第3の信号を生成する補正回路と、第1の信号または第3の信号を選択する選択回路と、選択回路で選択された信号に応じて、電力変換回路を制御するための出力信号を生成する出力回路と、第1の信号に応じた出力信号の生成と第3の信号の生成とを行う第1動作と、第3の信号に応じた出力信号の生成を行う第2動作と、を切り替える制御を行う制御信号生成回路と、を有する。

公开(公告)号：JPWO2020074998A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JPIB2019058317

申请日：2019-10-01

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 勝井 秀一 ,  池田 隆之

IPC: G01S7/526 ,  G08G1/16 ,  B62J50/21 ,  G08B21/00 ,  G01S15/93

Abstract: 安全性を高めることができる運転者警告システムを提供すること。自転車は、第1の超音波を発信する第1の発信回路と、第2の超音波を受信する第1の受信回路と、第2の超音波から物体の有無を検知する演算回路と、第3の超音波を発信する第2の発信回路と、を備える。運転者は、第3の超音波を受信する第2の受信回路を有する第2の筐体を装着する。演算回路は、第2の超音波に応じた電位を異なるタイミングで選択する第1選択回路と、第2の超音波に応じた電位を保持する複数の信号保持回路と、複数の信号保持回路のいずれか一を選択する第2選択回路と、第2選択回路で選択されて出力される信号が入力される信号処理回路と、を有する。第2選択回路は、複数の信号保持回路をそれぞれ異なるタイミングで選択することで、第2の超音波を遅延した信号を生成する。信号をもとに生成された第3の超音波を前記第2の筐体に送信する。

公开(公告)号：JP2021180334A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021128748

申请日：2021-08-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供す る。 【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層 にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領 域の形成は、チャネル保護層をマスクとして半導体層に希ガスまたは水素のうち、一種類 または複数種類の元素をイオンドーピング法またはイオンインプランテーション法により 行う。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2021180329A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021127693

申请日：2021-08-03

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 兼安 誠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H01L21/822

Abstract: 【課題】信頼性の高いトリミング回路を提供する。書き換え可能なトリミング回路を提供 する。信頼性の高いトリミング回路の駆動方法を提供する。書き換え可能なトリミング回 路の駆動方法を提供する。 【解決手段】オフリーク電流が極めて小さいトランジスタのソース電極またはドレイン電 極に接続された記憶ノードと、該記憶ノードにゲート電極が接続されたトランジスタを用 いてトリミング回路を構成する。また、該オフリーク電流が極めて小さいトランジスタを 用いて、該記憶ノードにゲート電極が接続されたトランジスタのソース電極とドレイン電 極に対して並列に接続された素子または回路のトリミング状態を制御する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021180178A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021100864

申请日：2021-06-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 大澤 信晴 ,  佐々木 俊毅 ,  瀬尾 哲史

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12

Abstract: 【課題】マルチカラーの発光が可能であって、消費電力が低減された発光パネルを提供する。 【解決手段】400nm以上600nm未満の波長を有する光と600nm以上800nm未満の波長を有する光とを含む光を発する、一対の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層を、光学距離を600nm以上800nm未満とする一対の反射膜と半透過・半反射膜の間に設けて、明度が高く淡い色を呈する光を発する第1の発光素子と、光学距離を600nm以上800nm未満800nm未満とする一対の反射膜と半透過・半反射 膜の間に設け、更に赤色を呈する光を透過する層を該半透過・半反射膜に重ねて備える第2の発光素子と、光学距離を400nm以上600nm未満800nm未満とする一対の反射膜と半透過・半反射膜の間に設けて、彩度が高く赤色とは異なる色を呈する光を発する第3の発光素子を有する発光パネル。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021179614A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021107484

申请日：2021-06-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 梅崎 敦司

IPC: G11C19/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09G3/20

Abstract: 【課題】少ないトランジスタ数でロウレベルの信号をシフトする半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の端子が第1の配線と電気的に接続され、第2の端子が第2の配線と電 気的に接続された第1のトランジスタと、第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、 第2の端子が第2の配線と電気的に接続された第2のトランジスタと、第1の端子が第4 の配線と電気的に接続され、第2の端子が第2のトランジスタのゲートと電気的に接続さ れた第3のトランジスタと、第1の端子が第5の配線と電気的に接続され、第2の端子が 第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ゲートが第6の配線と電気的に接続さ れた第4のトランジスタと、第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、第2の端子が 第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第1のスイッチとを有する。 【選択図】図10

公开(公告)号：JP2021179612A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021105451

申请日：2021-06-25

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  高橋 正弘 ,  岸田 英幸 ,  宮永 昭治 ,  中村 康男 ,  菅尾 惇平 ,  魚地 秀貴

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする。 【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 【選択図】図39

公开(公告)号：JP2021179589A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2020142260

申请日：2020-08-26

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 渡邉 一徳 ,  川島 進 ,  楠 紘慈

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G09G3/3233

Abstract: 【課題】高精細化が容易な表示装置を提供する。撮像機能を有する表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置は、画素、第1の配線、第2の配線を有する。画素は、第1乃至第4のトランジスタ、第1の容量素子、発光素子を有する。第1のトランジスタは、ソース及びドレインの一方が第1の配線と接続し、他方が第2のトランジスタのゲート及び第1の容量素子の一方の電極と接続する。発光素子は、一方の電極が第2のトランジスタのソース及びドレインの一方と接続する。第1の配線には、第1のデータ電位が与えられる。第2の配線には、第2のデータ電位とリセット電位が異なる期間に与えられる。第3のトランジスタは、自身がオン状態のときに第2のデータ電位を第1の容量素子の他方の電極に供給する。第4のトランジスタは、自身がオン状態のときにリセット電位を発光素子の一方の電極に供給する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6968926B2

公开(公告)日：2021-11-17

申请号：JP2020057394

申请日：2020-03-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 吉安 唯 ,  吉住 英子 ,  瀬尾 広美 ,  高橋 辰義

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  C07D239/70 ,  C07D239/26