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公开(公告)号:JP6117812B2
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:JP2014540890
申请日:2013-10-10
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号: G01N33/6803 , C01B32/25 , C01B32/28 , G01N24/10 , G01N33/582 , G01R33/323 , G01R33/60 , G01N2021/6439 , G01N21/6428 , G01N24/087 , Y10T436/203332 , Y10T436/23 , Y10T436/24
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62.
公开(公告)号:JPWO2015162835A1
公开(公告)日:2017-04-13
申请号:JP2016514688
申请日:2015-02-24
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号: H02J3/14 , H02J13/00 , H04M11/00 , H04Q9/00 , Y02B70/3225 , Y04S20/222
摘要: 消費対象を消費しようとする消費箇所の情報を一か所に集めないで、消費対象を消費する消費箇所を公平に選定して、リアルタイムプライシングを実現する。需要供給バランシングシステム(リアルタイムプライシングシステム)(100)は、電力の供給余力に基づいて制限パラメータを設定する制限パラメータ設定部(21)と、電力源(10)と複数の電力消費機器(40)との間に各々接続される複数のスイッチングシステム(自動デマンドレスポンス(Automated Demand Response)装置)(30)とを備えている。複数のスイッチングシステム(30)の各々は、制限パラメータに基づく当選確率で抽選を行う抽選部(33)と、抽選部(33)にて当選した場合に、電力を電力源(10)から受けて電力消費機器(40)に供給し、かつ/又は、抽選部(33)にて落選した場合に、電力源(10)から電力消費機器(40)への電力の供給を遮断するスイッチング部(34)とを備えている。
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公开(公告)号:JPWO2015151422A1
公开(公告)日:2017-04-13
申请号:JP2016511357
申请日:2015-03-13
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号: H01L31/078
CPC分类号: H01L31/0747 , H01L31/043 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要: 本発明に係る太陽電池(300)は、例えば、光入射側に設けられたトップセル(100)と、このトップセル(100)の下方に設けられたボトムセル(200)が積層されたタンデム型の太陽電池であり、トップセル(100)のエネルギーギャップは、ボトムセル(200)のエネルギーギャップよりも大きな材料が選択されている。本発明では、トップセル(100)の結晶Si層の厚みを30μm以下とし、好ましくは5μm〜10μmの範囲とする。n型結晶Si層の厚みが10μm以下では、結晶Si層内におけるキャリアのオージェ再結合が顕著に抑制される結果、開放電圧の向上が顕著である。また、出力を、トップセル(100)とボトムセル(200)から各々独立に取り出すことができるため、直列接続型タンデムセルで必要となる発電電流のマッチングを取る必要がない。
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公开(公告)号:JPWO2015141791A1
公开(公告)日:2017-04-13
申请号:JP2016508802
申请日:2015-03-19
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号: C12P13/222 , C12P13/001 , C12P13/005 , C12P13/22
摘要: グルコースの如き炭素源から発酵法によりアニリン誘導体を製造する方法の提供。以下の工程:コリスミ酸から4-アミノフェニルピルビン酸を生合成する機能を有する微生物に、少なくとも3つの外来遺伝子を導入することによって、所定培養条件下、1.8g/L以上の4-アミノフェニルアラニン(4APhe)を生産することができる微生物を作製し;そして該微生物の生育及び/又は維持に適した条件下、該微生物を炭素源と接触させて、4-アミノフェニルアラニン(4APhe)、4-アミノケイ皮酸(4ACA)、2-(4-アミノフェニル)アルデヒド、4-アミノフェニル酢酸、及び4-アミノフェネチルエタノール(4APE)からなる群から選ばれる少なくとも1つのアニリン誘導体を製造する;を含む、前記アニリン誘導体の製造方法。
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公开(公告)号:JPWO2015133410A1
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:JP2016506467
申请日:2015-02-27
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号: C25B1/02 , B01D53/229 , B01D53/326 , B01D53/62 , B01D71/024 , B01D2255/1021 , B01D2255/1026 , B01D2255/2061 , B01D2255/20715 , B01D2255/20753 , B01D2256/12 , B01D2256/16 , B01D2257/502 , B01D2257/504 , B01D2257/7025 , C25B11/035 , C25B11/0405 , C25B13/04 , Y02A50/2341 , Y02C10/04 , Y02C10/10 , Y02C20/20 , Y02P20/152 , Y02P20/156
摘要: 電気化学反応器(20)には、ルテニウム及びイットリア安定化ジルコニアを含有するアノード電極(21)と、ニッケル及びイットリア安定化ジルコニアを含有するカソード電極(22)と、アノード電極(21)とカソード電極(22)との間に設けられ、イットリア安定化ジルコニアを含有し、酸化物イオンを透過させ、一酸化炭素の透過を妨げる電解質膜(23)と、が含まれる。
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公开(公告)号:JPWO2015133240A1
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:JP2016506402
申请日:2015-02-12
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構 , 国立大学法人東京工業大学
IPC分类号: C01F7/16
CPC分类号: B01J20/041 , B01J20/08 , C01C1/006 , C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/82 , C01P2002/86 , C01P2006/40
摘要: 【課題】大気中や溶媒中でも安定にイミドアニオン(NH2-)を保有する材料の開発、及びその合成法や用途を提供すること。【構成】1×1018cm-3以上の濃度のイミドアニオンを注入されていることを特徴とするマイエナイト型化合物。ケージ中に電子又はフリー酸素イオンを含むマイエナイト型化合物を液化アンモニア中で450℃から700℃、圧力30〜100MPaの範囲で加熱処理することにより製造できる。この化合物は、活性なイミドアニオンの取り込み、及びアンモニアとしての放出が容易であり、かつ化学的安定性を有する。
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公开(公告)号:JP6106892B2
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:JP2015057179
申请日:2015-03-20
申请人: 株式会社東芝 , 国立研究開発法人理化学研究所 , 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
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公开(公告)号:JPWO2015111722A1
公开(公告)日:2017-03-23
申请号:JP2015559147
申请日:2015-01-23
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号: C12M3/00
摘要: 細胞を簡便且つ短時間で複数の細胞配置領域に播種する装置を提供する。複数の突起部により包囲された細胞配置領域(8)を複数有する細胞培養基板(2)と、当該細胞培養基板(2)上に配置された、複数の貫通孔(14)を有する流路基板(3)とを含む神経ネットワークを形成可能な細胞の播種培養装置(1)において、各貫通孔(14)が、基板上面側を入口(15)、基板下面側を出口とする流路を規定し、各流路の出口(16)が、いずれかの細胞配置領域上に位置するように構成することによる。
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公开(公告)号:JPWO2015111602A1
公开(公告)日:2017-03-23
申请号:JP2015559084
申请日:2015-01-21
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
CPC分类号: C12N5/0623 , A61K35/30 , C12N2500/02 , C12N2500/38 , C12N2501/385 , C12N2501/395 , G01N33/5058
摘要: 本発明は、増殖型オリゴデンドロサイト前駆細胞からアダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞を製造するための方法、当該方法により製造されたアダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞を有効成分とする医薬用組成物を提供する。本発明のアダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞の製造方法は、増殖型オリゴデンドロサイト前駆細胞を、低酸素環境下、甲状腺ホルモン受容体又はレチノイン酸受容体のリガンドの存在下で培養することにより、アダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞に誘導分化することを特徴とする。本発明は更に、本発明の製造方法により製造されたアダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞、及び、このアダルト型オリゴデンドロサイト前駆細胞を有効成分とした医薬用組成物も提供する。
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公开(公告)号:JPWO2015064338A1
公开(公告)日:2017-03-09
申请号:JP2015544904
申请日:2014-10-10
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号: H01L21/324 , C30B29/08 , C30B33/02 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/36 , H01L21/28255 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/16 , H01L29/517 , H01L29/78
摘要: 1×1016cm−3以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層30を還元性ガス雰囲気中において、700℃以上において熱処理する工程を含む半導体基板の製造方法。または、1×1016cm−3以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層30を還元性ガス雰囲気中において、前記酸素濃度が減少するように熱処理する工程を含む半導体基板の製造方法。
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