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公开(公告)号：JPWO2020013259A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019027441
申请日：2019-07-11
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 反転チャネル領域を少なくとも有する半導体装置であって、前記反転チャネル領域が、少なくとも酸化ガリウムを含有する結晶を含む酸化物半導体膜を有することを特徴とする、半導体装置。
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公开(公告)号：JPWO2020013243A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019027377
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。n型半導体層と電極との間に複数のp型半導体(例えば、マグネシウムドープ酸化ガリウム等)が設けられている半導体装置(例えば、ジャンクションバリアショットキーダイオード等)であって、前記n型半導体層がガリウムを含み(たとえば、酸化ガリウム等)、前記p型半導体が3つ以上設けられており、かつ、前記n型半導体層に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
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公开(公告)号：JP6879483B2
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：JP2016150890
申请日：2016-07-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01G9/012 , C23C16/448 , H01G9/00
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公开(公告)号：JP6867637B2
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2015128499
申请日：2015-06-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/368 , H01L21/683 , H01L21/365
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公开(公告)号：JP2021009881A
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：JP2019121728
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Inventor： ▲高▼橋 勲
IPC: H01L21/467
Abstract: 【課題】工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することのできるエッチング処理方法を提供する。 【解決手段】エッチング処理装置19において、エッチング対象物20(例えば、α−Ga 2 O 3 )にエッチング液24aを用いてエッチング処理する方法であって、エッチング液として、臭素を含み、エッチング対象物がアルミニウムまたは/およびガリウムを少なくとも含むエッチング液を用いて、エッチング対象物をエッチング処理する。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2019098298A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2018042349
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78
Abstract: 逆方向のリーク電流を低減することができ、さらに、例えば、SiCよりはるかに絶縁破壊電界強度が高い高電圧で低損失のn型半導体(例えば、酸化ガリウム等)等を用いた場合でも、半導体特性を損うことなく、優れた半導体特性を実現できる半導体装置を提供する。コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体(例えば、α—Ga 2 O 3 など)を主成分として含むn型半導体層と、該n型半導体層上に直接または他の層を介してそれぞれ積層されている電界シールド層およびゲート電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記電界シールド層が、p型酸化物半導体を含み、前記ゲート電極よりも深くn型半導体層に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
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公开(公告)号：JP2020113774A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2020036317
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , C30B29/16 , C30B25/02 , C23C16/40 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2020107899A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2020036315
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , C30B29/16 , C30B25/02 , C23C16/40 , H01L33/26 , H01L21/365
Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える半導体装置。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2019013136A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2018025767
申请日：2018-07-06
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/329 , H01L21/365 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。半導体領域と、該半導体領域上に設けられているバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置であって、前記半導体領域と前記バリア電極との間に、前記半導体領域と前記バリア電極との界面におけるバリアハイトよりも前記バリア電極とのバリアハイトが大きくなるバリアハイト調整領域が設けられており、前記バリアハイト調整領域が前記半導体領域表面に複数埋め込まれている半導体装置。
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公开(公告)号：JP2020087947A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018214236
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01C7/02
Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ薄膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ薄膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法の提供。 【解決手段】第1電極の上に、サーミスタ薄膜を形成する工程、前記サーミスタ薄膜の第1電極側の面の反対側に、第2電極を形成する工程を経て、膜厚1μm以下のサーミスタ薄膜と、前記サーミスタ薄膜の第1面側に配置されている第1電極と、前記サーミスタ薄膜の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極と、を有することを特徴とするサーミスタ素子。 【選択図】なし
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