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    高周波モジュール
    1.
    发明专利
    高周波モジュール 有权

    公开(公告)号：JPWO2019216300A1

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：JP2019018207

    申请日：2019-05-07

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 野村 忠志 ,  楠山 貴文

    IPC: H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/29

    Abstract: 封止樹脂層の線膨張係数、ガラス転移温度、および弾性率を調整することにより、反りの発生しにくい高周波モジュールを提供する。 高周波モジュール1aは、配線基板2と、該配線基板2の下面2aに実装された第1部品3aと、複数の接続端子4と、第1部品3aおよび接続端子4を被覆する第1封止樹脂層5と、配線基板2の上面2bに実装された複数の第2部品3bと第2部品3bを被覆する第2封止樹脂層6と、シールド膜7とを備える。第1封止樹脂層5は第2封止樹脂層6よりも厚さが薄く形成され、第1封止樹脂層5の樹脂の線膨張係数は第2封止樹脂層6の樹脂の線膨張係数よりも小さい。さらに、第1封止樹脂層5の樹脂のガラス転移温度は第2封止樹脂層6の樹脂のガラス転移温度よりも高く、および/または第1封止樹脂層5の樹脂の弾性率は第2封止樹脂層6の樹脂の弾性率よりも大きい。

    モジュールおよびその製造方法
    2.
    发明专利
    モジュールおよびその製造方法 有权

    公开(公告)号：JPWO2020067299A1

    公开(公告)日：2021-08-30

    申请号：JP2019037882

    申请日：2019-09-26

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 野村 忠志 ,  古矢 新 ,  小出澤 徹 ,  楠 元彦 ,  小田 哲也

    IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K3/28 ,  H05K1/02 ,  H05K3/38 ,  H05K9/00 ,  H01L23/28

    Abstract: モジュール(101)は、主面(1a)および側面(1c)を有する基板(1)と、主面(1a)に実装された電子部品と、主面(1a)および前記電子部品を覆う封止樹脂(2)と、封止樹脂(2)の表面(2u)および基板(1)の側面(1c)を覆うシールド膜(5)とを備える。封止樹脂(2)は、有機樹脂を主成分とする樹脂成分(7)と、無機酸化物を主成分とする粒状のフィラー(8)とを含む。シールド膜(5)と接する封止樹脂(2)の表面では、フィラー(8)の一部の粒は部分的に樹脂成分(7)から露出しており、樹脂成分(7)の表面は窒素官能基を含み、シールド膜(5)は、不動態金属でありかつ遷移金属である金属または当該金属を含む合金で形成されている。

    回路モジュールの製造方法および成膜装置
    4.
    发明专利
    回路モジュールの製造方法および成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018010964A

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：JP2016138634

    申请日：2016-07-13

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 野村 忠志 ,  新開 秀樹 ,  中越 英雄 ,  井上 雅弘

    IPC: H01L25/18 ,  H05K9/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/04

    Abstract: 【課題】回路モジュールにシールドとなる金属膜を高精度に形成する。 【解決手段】実装面10a、天面10bおよび側面10cを有する回路モジュール10にシールドとなる金属膜18を形成する回路モジュール10の製造方法であって、回路モジュール10の実装面10aに被覆材層25を形成する被覆材層形成工程と、粘着部22を有するホルダ21の粘着部22に、回路モジュール10に形成された被覆材層25を当接し、天面10bおよび側面10cを露出させた状態で回路モジュール10を保持する保持工程と、回路モジュール10の天面10b側から成膜を行うことで、天面10bおよび側面10c金属膜18を形成する金属膜形成工程と、回路モジュール10から被覆材層25を分離する分離工程とを含む。 【選択図】図5D

    高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール
    6.
    发明专利
    高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール 有权

    公开(公告)号：JPWO2019216299A1

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：JP2019018206

    申请日：2019-05-07

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 野村 忠志 ,  小松 了

    IPC: H05K1/02 ,  H05K9/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H05K3/28

    Abstract: 封止樹脂層にシールド用の溝が形成された高周波モジュールにおいて、配線基板に形成される配線電極や、実装部品にダメージを与えることなく小型化を図る。 高周波モジュール1aの製造方法は、配線基板2の上面2aに部品3a,3bを実装し、その後、溝5aを形成するための犠牲層12を形成する。そして、部品3a,3bおよび犠牲層12を封止する封止樹脂層4を形成し、犠牲層12を溶解により除去してシールド用の溝5aを形成する。最後に封止樹脂層4の表面を被覆するシールド膜6を形成し、高周波モジュール1aを製造する。このようにすると、部品3bや表層配線電極8と重なる位置に溝5aを形成しても、部品3bや表層配線電極8にダメージを与えることなく、高周波モジュール1aの小型化を図ることができる。

    高周波モジュール
    7.
    发明专利
    高周波モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019004332A1

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：JP2018024497

    申请日：2018-06-28

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 野村 忠志 ,  森本 裕太 ,  小見山 稔 ,  勝部 彰夫

    IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/28 ,  H05K9/00 ,  H01L23/00

    Abstract: 部品間シールドの特性を維持しつつ、部品間シールドを設けることによる配線基板へのダメージを軽減する。 高周波モジュール1aは、配線基板2と、配線基板2の上面2aに実装された、複数の部品3a〜dと、部品3bと部品3cとの間に実装されたシールド部品4と、各部品3a〜3dおよびシールド部品4を被覆する封止樹脂層5と、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜6とを備え、封止樹脂層5の上面5aには、シールド部品4が露出する凹部10が形成されるとともに、該凹部10は、封止樹脂層5の側面に至らないように端縁の内側に形成され、シールド膜6は、凹部10の壁面10a、および、シールド部品4の凹部10を介して露出する部分をさらに被覆する。

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