公开(公告)号：JP2017519896A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016558630

申请日：2015-04-29

申请人： アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： イヴォ・シュタッセン ,  ロブ・アメロート ,  ディルク・デ・フォス ,  フィリップ・エム・フェレーケン

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/312

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/407 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0228

摘要： 基板の上に有機金属構造体(MOF)膜を製造する方法を開示している。この方法は、主面を有する基板を準備する工程と、有機金属化合物前駆体と少なくとも1つの有機リガンドを用いて、基板の主面の上にMOF膜を形成する工程とを含み、有機金属化合物前駆体と少なくとも1つの有機リガンドは、それぞれ、気相で供給される。

公开(公告)号：JP2017085084A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2016179590

申请日：2016-09-14

申请人： アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  Imec Vzw ,  アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  Katholieke Univ Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： DIMITRIOS ANDRIKOPOULOS ,  BART SOREE

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： 【課題】磁気トポロジカルソリトンを検出するための簡単で効果的な手段と方法を提供する。【解決手段】磁気トポロジカルソリトンの存在または不存在を表す電気信号を形成するための固体デバイス1は、磁気トポロジカルソリトン蓄積するための蓄積要素2を含む。蓄積要素2は、トポロジカル絶縁体3と、トポロジカル絶縁体の上に配置された磁気ストリップ4とを含む。デバイスは、更に、蓄積要素の検出領域8の中の磁気トポロジカルソリトンの不存在または存在を表す電気信号を形成するための磁気トポロジカルソリトン検出器7を含む。検出器7は、トンネルの大きさのスピンに依存しない変化、電気抵抗の変化、および/または検出領域8の中の磁気トポロジカルソリトンの存在または不存在による検出領域8の中のトポロジカル絶縁体3を通る電気伝導率の変化を検出するように適用される。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016529705A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2016528470

申请日：2014-07-18

申请人： アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： バリー・ランド ,  キェル・クノプス

IPC分类号： H01L51/44 ,  H01L51/46

CPC分类号： H01L51/4246 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549

摘要： 本開示は、第1有機ドナー層と第1有機アクセプタ層とにより形成されたヘテロ接合構造を含む有機太陽電池であって、更に、第1有機アクセプタ層に隣り合う第2有機アクセプタ層および/または第1有機ドナー層と隣り合う第2有機ドナー層を含む。第1アクセプタ層と第2アクセプタ層の材料は、それらの界面で電荷移動によりエキシトンが分解し、同時にそれらの界面でエキシトンエネルギー移動が起きるように選択される。第1ドナー層と第2ドナー層の材料は、それらの界面で電荷移動によりエキシトンが分解し、同時にそれらの界面でエキシトンエネルギー移動が起きるように選択される。本発明の有機太陽電池は、高い短絡回路電流密度、良好な開回路電圧、および良好な曲線因子を有する。

摘要翻译： 本公开包括由第一有机施主层和第一有机受主层形成的异质结结构的有机太阳能电池，进一步地，第二有机受主层相邻的所述第一有机受主层和/或 包括邻近所述第一有机施主层的第二有机施主层。 所述第一受主层和第二受主层的材料在它们的界面被分解由电荷转移激子，它被选择成激子能量转移发生在同时它们的界面。 第一施主层和第二施主层的材料分解由电荷转移激子在它们的界面，它被选择成激子能量转移发生在同时它们的界面。 本发明的有机太阳能电池具有高的短路电流密度，良好的开路电压，和良好的填充因子。

公开(公告)号：JP2016518132A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：JP2016509489

申请日：2014-04-25

申请人： カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： ダルメイア，カイ ,  ネイツ，ヨハン

IPC分类号： C12N15/09 ,  A61K31/711 ,  A61K39/12 ,  A61P31/14

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K2039/5254 ,  C12N7/00 ,  C12N15/69 ,  C12N2770/24134

摘要： 本発明は、ワクチンの製造のための人工染色体(BAC)の使用に関し、BACは、細菌細胞ごとに10より大きい数のコピーに前記BACを増幅させるための誘導性細菌ori配列と、弱毒化RNAウイルスゲノムのcDNAを含み、哺乳動物細胞における前記ウイルスcDNAの転写および転写されたRNAから感染性ウイルスRNAへのプロセシングのためのシス調節因子とを含むウイルス発現カセットとを備える。

摘要翻译： 本发明涉及使用人工染色体用于生产疫苗（BAC）的，BAC是用于放大BAC拷贝数大于10％的细菌细胞，减毒的RNA的感应细菌ORI序列 它们包含cDNA的病毒基因组的，和病毒表达盒，其包含转录从用于处理的顺式调节元件到感染性病毒RNA和病毒cDNA在哺乳动物细胞中转录的RNA。

公开(公告)号：JP2015504606A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014542859

申请日：2012-11-23

申请人： アイメックImec ,  カソリーケ ユニフェルシテイト リューフェンKatholieke Universiteit Leuven ,  カソリーケ ユニフェルシテイト リューフェンKatholieke Universiteit Leuven ,  エクシコ グループ エンフェー ,  エクシコ グループ エンフェー

发明人： トゥー，ロイク ,  アレマン，モニカ ,  ヨン，ヨアヒム ,  エメロー，ティエリー

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32053 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本発明は、テクスチャ付きのシリコン基板表面上に金属シリサイド層を形成する方法に関し、本方法は、テクスチャ付きのシリコン基板の上に金属層を提供するステップと、0.1J/cm2〜1.5J/cm2の間の範囲のレーザーフルエンス、および1ナノ秒〜10ミリ秒の間の範囲のレーザーパルス継続時間を有する、少なくとも1つのUVレーザーパルスを提供し、それによって少なくとも金属層の一部分を金属シリサイド層に転化させる、パルスレーザーアニーリングステップを実行するステップと、を含む。さらに、本発明は、誘電体層が表面パッシベーション層である、または、誘電体層が反射防止膜である、光電池を製造するプロセスにおけるそのような方法の使用に関する。

摘要翻译： 本发明涉及一种形成纹理化的硅衬底表面上形成金属硅化物层的方法，该方法包括纹理化的硅衬底，0.1J / cm 2的〜1.5J / cm 2的上设置金属层的工序 的激光能量密度，以及1纳秒与之间的10毫秒范围内的激光脉冲的持续时间之间的范围内，提供至少一个UV激光脉冲，其中至少一个金属硅化物层上的金属层的一部分 它被转换，并执行所述脉冲激光退火步骤。 此外，在本发明中，介电层是表面钝化层或介电层是防反射膜，在制造光伏电池的过程中使用这样的方法。

公开(公告)号：JP2016529689A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2016518889

申请日：2014-05-19

申请人： アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： アルミン・エスマエイル・ザギ ,  ヨーゼフ・ペトルス・コレータ・フルーヘルス

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C01B19/002 ,  C01G3/006 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2004/64 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1872

摘要： 本開示は、ヒドラジン無しおよびヒドラジニウム無しのカルコゲン含有溶液を準備する方法を提供し、この方法は、所定の量の元素カルコゲンを提供する工程と、所定の量の元素硫黄を提供する工程と、アミン溶剤を提供する工程と、所定の量の元素カルコゲンと所定の量の元素硫黄を、アミン溶剤中で混合させて、これにより、アミン溶剤中に元素カルコゲンと元素硫黄とを溶解させる工程とを含む。カルコゲン含有溶液は、カルコゲン含有層を基板上に形成するための前駆体として有利に使用される。

摘要翻译： 本发明提供了制备含硫属元素的溶液否否肼和肼的方法，该方法包括提供一个元件硫属元素预定量时，提供胺的元素硫预定量的步骤 提供溶剂，以元素硫属元素的预定量和预定量的元素硫，通过在溶剂中与胺混合，由此，而在胺溶剂中的硫属元素和元素硫溶解的工序 。 含硫族元素的含有溶液，有利地使用一个含硫属元素的层作为形成在基板上的前体。

公开(公告)号：JP2015531585A

公开(公告)日：2015-11-02

申请号：JP2015536170

申请日：2013-10-14

申请人： カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  ヴィート エヌブイ ,  ヴィート エヌブイ

发明人： ベックス，サム ,  ドリーセン，ヨハン ,  ドゥルスト，ラインヒルト ,  クレセンス，ベルト

IPC分类号： H02J3/46 ,  H02J3/00 ,  H02J3/38

CPC分类号： H02J3/14 ,  G05B15/02 ,  G06Q50/06 ,  H02J3/008 ,  H02J3/06 ,  H02J3/381 ,  H02J13/0079 ,  Y02E40/72 ,  Y04S10/12 ,  Y04S50/10

摘要： 電気ネットワーク(1)において、各ノード(N1,N2,…)が関連付けられるステータスを有する複数のノード(N1,N2,…)のクラスタに、上記ノードに送達されるべきエネルギーに関する制約を考慮に入れ、かつ、上記電気ネットワーク(1)に関する制約を考慮に入れて、エネルギーフローを分配および/または制御するための方法およびシステムである。上記方法は、i.複数のノードのクラスタの各ノード(N1,N2,…)にローカルエージェント(A1,A2,…)を割り当てるステップを含み、上記ローカルエージェントは、上記ノード(N1,N2,…)の間での送達されるべきエネルギーについてのプライオリティを受け取り、上記方法はさらに、iii.もっとも小さい1つの領域ネットワーク(2,3)に領域集信エージェント(RCA1,RCA2)を割り当てるステップを含み、各領域ネットワーク(2,3)は上記クラスタの少なくとも一部を含み、上記少なくとも1つの領域ネットワーク(2,3)の合計が上記電気ネットワーク(1)を形成し、上記方法はさらに、iv.上記ノードの間での送達されるべきエネルギーについての上記プライオリティを上記少なくとも1つの領域集信エージェント(RCA1,RCA2)によって受け取り、上記少なくとも1つの領域ネットワーク(2,3)に送達されるべきエネルギーについての集約プライオリティを決定するステップを含み、上記集約プライオリティは、上記電気ネットワーク(1)の電圧制限に依存する。

公开(公告)号：JP5628690B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2010548129

申请日：2009-02-27

申请人： アイメックImec ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： ウィレム・ファン・ロイ ,  イェ・ジアン ,  ポル・ファン・ドルぺ

IPC分类号： B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/65

CPC分类号： G01N21/658 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/025 ,  B22F2001/0029 ,  B82Y30/00 ,  Y10S977/958 ,  Y10T428/24909

公开(公告)号：JP2017507176A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016568123

申请日：2015-02-09

申请人： カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  アンセルム(アンスティチュート・ナシオナル・ドゥ・ラ・サンテ・エ・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・メディカル) ,  ユニベルシテ ドゥ カーン バス−ノルマンディ ,  ユニベルシテ ドゥ カーン バス−ノルマンディ ,  サントル・オスピタリエ・ユニベルシテール・ドゥ・カーンCentre Hospitalier Universitaire De Caen ,  サントル・オスピタリエ・ユニベルシテール・ドゥ・カーンCentre Hospitalier Universitaire De Caen

发明人： デクラーク，ポール ,  デ・メイヤー，シモン ,  ギューケンス，ニック ,  ギルス，アン ,  ルビオ，マリナ ,  ビビアン，ドニ ,  ワイスーレ，ティナ

IPC分类号： A61K39/395 ,  A61P7/02

CPC分类号： C07K16/38 ,  A61K2039/505 ,  C07K16/468 ,  C07K2317/24 ,  C07K2317/31 ,  C07K2317/56 ,  C07K2317/565 ,  C07K2317/622 ,  C07K2317/626 ,  C07K2317/76 ,  G01N2800/22

摘要： 本明細書は、血栓性障害、例えば脳卒中および血栓塞栓症などの急性血栓性障害のの治療に使用されるための二重特異性阻害剤を開示している。この二重特異性阻害剤は、TAFIおよびPAI−1を標的とするモノクローナル抗体に基づいたものであり、組織型プラスミノーゲン活性化因子などのプラスミノーゲン活性化因子(tPA)が存在してもまたは存在しなくても、有効性を示している。

公开(公告)号：JP2016527719A

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：JP2016528381

申请日：2014-06-11

申请人： アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw ,  ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： マノジ・ナグ ,  アジャイ・サムパス・ブーロカム ,  ヨハン・ミュラー

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 本開示は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層の電気伝導性を改善するための方法を提供する。方法は、基板上に金属酸化物半導体層を設けることと、原子層堆積法を用いて、金属酸化物半導体層の上に金属酸化物層を設けることとを含み、金属酸化物層は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層と物理的接触している。驚くことに、この方法は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層の増加した電気伝導性をもたらすことが判明した。本開示の方法は、自己整合上部ゲート金属酸化物半導体薄膜トランジスタの製造プロセスに好都合に使用でき、ソース領域およびドレイン領域における電気伝導性を改善する。

摘要翻译： 本公开提供了用于改善金属氧化物半导体层的导电率在预定位置的方法。 该方法包括：使用原子层沉积法在基板上提供金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层上与一个提供金属氧化物层，金属氧化物层，预先 与在预定位置中的金属氧化物半导体层物理接触。 令人惊讶地，该方法已被发现导致在预定位置的金属氧化物半导体层的增加的导电性。 本发明的方法有利地可以在自对准的顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的生产过程中使用，以改善源和漏区的导电性。