公开(公告)号：KR20210034229A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190115891A

申请日：2019-09-20

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김형준 ,  남태욱

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45553

摘要： 본 실시예들은 기판의 일부 영역에 형성된 광촉매 위에 두 개의 전구체를 다른 시점에 각각 공급하는 원자층 증착법을 적용하여 소수성 박막을 형성하고, 소수성 박막을 자외선 처리함으로써, 선택적 영역에 대해 소수성 또는 친수성으로 개질할 수 있는 소수성 박막 증착 방법 및 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR20210029176A

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020210027240A

申请日：2021-03-02

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 라메쉬 찬드라세카란 ,  칼 리저 ,  춘광 시아 ,  제레미 터커

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

摘要： 컨덕턴스 제어를 갖는 화학적 증착 장치는 대면플레이트 (faceplate) 및 백킹플레이트 (backing plate) 를 갖는 샤워헤드 모듈로서, 상기 샤워헤드 모듈은 반응기 화학물질들을 캐비티 (cavity) 로 전달하는 복수의 유입구들 및 반응기 화학물질들을 제거하는 배출구들 (exhaust outlets) 을 포함하는, 상기 샤워헤드 모듈과, 기판을 지지하도록 구성되며 상기 대면플레이트의 외측 부분과 페데스탈 모듈 간의 상기 캐비티를 폐쇄하도록 수직으로 이동하는 페데스탈 모듈과, 상기 배출구들을 통해서 상기 캐비티에 유체적으로 연통하는 적어도 하나의 컨덕턴스 제어 어셈블리 (conductance control assembly) 를 포함한다. 상기 적어도 하나의 컨덕턴스 제어 어셈블리는 볼 밸브 어셈블리 (ball valve assembly), 유체 밸브 (fluidic valve), 자기적으로 커플링된 회전식 플레이트, 및/또는 선형 기반 자기 시스템 중 하나 이상으로부터 선택된다.

公开(公告)号：JP2018535329A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018544434

申请日：2016-11-15

申请人： コブス エスアエス

发明人： ビティエロ、ジュリアン ,  デルカーリ、ジャン − リュック ,  ピアラ、ファビアン

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  H01L21/316 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C14/5846 ,  C23C16/12 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527

摘要： 本発明は、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウム(Al 2 O 3 又はAlN)の層(2)の基板(1)上への製造方法であって、以下の一連の連続的工程a)及びb):a)堆積チャンバー(10)内で、5から25nmの間の厚さを有するアルミニウムの基本層(2 1 、2 2 )を基板(1)上に堆積させる工程、b)基板(1)を、堆積チャンバー(10)から分離した処理チャンバー(20)に移す工程であって、処理チャンバー内で、アルミニウムの基本層(2 1 、2 2 )が酸化又は窒化されて、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの基本層(2 1 ’、2 2 ’)を製造する工程を含む方法に関する。前記一連の連続的工程を、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの連続的層(2 1 ’、2 2 ’)を積み重ねることにより酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの前記層(2)が得られるまで、反復する。

公开(公告)号：JP6417051B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2017542554

申请日：2015-09-29

申请人： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC

发明人： 中谷 公彦

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/285

公开(公告)号：JP2018159118A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2017057717

申请日：2017-03-23

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 北村 政幸 ,  坂田 敦子 ,  若月 啓

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28556

摘要： 【課題】反応ガスの使用量を削減することを可能とし、ひいては半導体装置の製造コスト の削減を図る。 【解決手段】実施形態の半導体製造装置は、半導体基板を、第1ガスを含む混合ガスによ って処理する反応室と、前記反応室から処理後の前記混合ガスを排気可能な第1経路と、 前記第1経路に設けられ、前記反応室での処理後の前記混合ガスから前記第1ガスを分離 させる第1トラップと、前記反応室での処理後の混合ガスが前記トラップに到達する前に 排気可能な第2経路と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018157095A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2017053328

申请日：2017-03-17

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 橋本 良知 ,  永戸 雅也

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02126

摘要： 【課題】基板上に膜を形成する際における膜厚ドロップ現象の発生を抑制する。 【解決手段】(a)表面にパターンが形成された基板に対して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を供給することで、主元素を含む第1層を形成する工程と、(b)基板に対して炭素および窒素を含む第1反応体を供給することで、第1層上に第1反応体の一部が分解した物質を吸着させて、主元素、炭素および窒素を含む第2層を形成する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、パターン上に、主元素、炭素および窒素を含む膜を形成する工程を有し、(b)では、パターンの少なくとも上面、側面および下面のそれぞれに形成される物質の吸着層の密度が、それぞれ同等となるまで、第1反応体を供給する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018147955A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017039349

申请日：2017-03-02

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 山本 克彦 ,  大橋 直史

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137

摘要： 【課題】基板処理温度の高温化にともないプロセスの再現性・安定性を高める 【解決手段】 処理室にマスクが形成された基板を収容する工程と、基板に金属含有ガスを供給する工程と、 基板に第1酸素含有ガスと、第2酸素含有ガス又は希釈ガスを供給する工程と、 金属含有ガスを供給する工程と、第1酸素含有ガスを供給する工程とを繰り返す工程と、 繰り返す工程で、第1酸素含有ガスの供給流量を第2酸素含有ガス又は希釈ガスよりも多くする工程と、 を有する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018137356A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017031299

申请日：2017-02-22

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 佐野 敦 ,  亀田 賢治 ,  高澤 裕真

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337

摘要： 【課題】基板上に形成されるSiOCN膜の膜質を向上させる。 【解決手段】基板に対して第1アミノシランと酸化剤とを同時に供給することで、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む層を形成する工程と、第1温度下で層に対して第1改質処理を行う工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む膜を形成する工程と、第1温度よりも高い第2温度下で膜に対して第2改質処理を行う工程と、を行う。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018121006A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017012823

申请日：2017-01-27

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 新田 貴史 ,  高澤 裕真 ,  島本 聡 ,  山下 広樹

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02129

摘要： 【課題】基板上に形成される酸化膜のドーパント濃度を高める半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラムを提供する。 【解決手段】基板に対してドーパントとしての硼素またはリンを含み塩素非含有の第1ガスを供給する工程と、基板に対してシリコンまたは金属元素を含む第2ガスを供給する工程と、基板に対して酸素を含む第3ガスを供給する工程と、をこの順に非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコンおよび金属元素のうち少なくともいずれかを含みドーパントが添加された酸化膜を形成する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6336477B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2015550197

申请日：2013-12-31

申请人： ユニバーシティ オブ タルトゥ

发明人： ヴァイノ サムエルセル ,  ラウリ アーリク ,  マイド メリサル

IPC分类号： C25D11/12 ,  C25D11/04 ,  C25D11/16 ,  C25D11/06 ,  C25D11/24 ,  C25D11/18 ,  C25D11/30 ,  C25D11/26 ,  C23C28/04

CPC分类号： C25D5/48 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  C23C28/042 ,  C23C28/046 ,  C25D11/024 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y02T50/6765 ,  Y10T428/24997