专利检索 cpc:"H01L2924/351" 第 1 页

1.

发明专利
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开

公开(公告)号：JP6419762B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2016173628

申请日：2016-09-06

申请人： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC

发明人： 島本聡 , 中川崇

IPC分类号： H01L27/11551 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/316

CPC分类号： H01L27/11582 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/02359 , H01L21/31105 , H01L21/76877 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L2924/351

2.

发明专利
半導体モジュール审中-公开

公开(公告)号：JP2018129474A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2017023206

申请日：2017-02-10

申请人： 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 田多伸光 , 伊東弘晃 , 小谷和也 , 大部利春 , 関谷洋紀 , 久里裕二 , 松村仁嗣

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H01L23/50 , H02M7/48 , H01L25/07

CPC分类号： H01L23/645 , H01L23/053 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48747 , H01L2224/49175 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003

摘要： 【課題】並列チップ間のインピーダンスの差異を減少する半導体モジュールを提供することである。【解決手段】半導体モジュールは、第1、第2パターン21、22を有する複数の絶縁基板と、第1パターン21上の第1チップ51と、前記第1パターン21上の前記第1チップ51よりも負極端子接続部から離れて設けられた第2チップ52と、第1チップ51と第2パターン22とを、第2チップ52と第2パターン22とを、それぞれ接続する第1及び第2ワイヤ61,62と、前記第1パターン21上の第1及び第2チップ51、52と、第2パターン22との間に位置する絶縁板に加えて、絶縁板上の補助導体72と、補助導体72と第2チップ52、第2パターン22とをそれぞれ接続する第1及び第2補助ワイヤ63、64と、を有する。【選択図】図6

3.

发明专利
パターン状に配置される接合剤を有するpHセンサ有权

公开(公告)号：JP6353276B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014107759

申请日：2014-05-26

申请人： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド , Honeywell International Inc.

发明人： ドナルド・ホークハイマー , ポール・エス・フェチュナー , デーヴィッド・エス・ウィリッツ

IPC分类号： G01N27/416 , G01N27/414

CPC分类号： G01N27/414 , B32B37/1292 , C03C27/00 , G01N27/4148 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/29499 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/3015 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/83192 , H01L2224/83224 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/35 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014

4.

发明专利
機能素子、電子機器、および移動体有权

公开(公告)号：JP6344552B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2014086583

申请日：2014-04-18

申请人： セイコーエプソン株式会社

发明人： 田中悟

IPC分类号： G01P15/08 , H01L29/84 , G01P15/125

CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0018 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0118 , B81B2207/097 , B81C1/00158 , B81C2203/0109 , G01C19/5656 , G01L9/0042 , H01L21/76205 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L2224/0212 , H01L2924/15 , H01L2924/351

5.

发明专利
改善されたボンディング接続構造部を備えたパワー半導体モジュール审中-公开

公开(公告)号：JP2018508126A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2017548171

申请日：2016-03-08

申请人： インフィネオンテクノロジーズビポラーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートゲゼルシャフト , Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG

发明人： ライムントペルマー

IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18

CPC分类号： H01L24/06 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/05552 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06151 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4811 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/4901 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2924/2076 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2924/01014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01204 , H01L2924/05042 , H01L2924/05032 , H01L2924/05432 , H01L2924/00

摘要： 本発明は、パワー半導体モジュール(10)に関しており、このパワー半導体モジュール(10)は、少なくとも1つの基板(4)と、基板(4)上に配置され、基板とは反対側の自身の側に端子面(21)を有しているパワー半導体(2)と、基板(4)上でパワー半導体(2)に隣接して配置され、場合によってはセグメント化された負荷電位面(23)と、端子面(21)を、負荷電位面(23)に平行かつ導電的に接続させるための複数のボンディング接続部(25,26)と、を備えており、各ボンディング接続部(25,26)は、負荷電位面(23)上に少なくとも1つの第1のボンディング脚部(31)を有し、端子面(21)上に複数の第2のボンディング脚部(32)を有し、各ボンディング接続部(25,26)は、端子面(21)上に少なくとも1つの終端部を有し、複数のボンディング接続部(25,26)は、同じ数のボンディング脚部を有する複数のボンディング接続部からなる少なくとも2つのグループ(25,26)に配列され、1つのグループの各ボンディング接続部の第2のボンディング脚部(32)は、専ら、端子面の部分面によって画定される、前記端子面(21)のセグメントまたは領域(22aもしくは22b)に配置されており、グループは、前記グループの第1のボンディング脚部(31)が、負荷電位面(23)上で、パワー半導体(2)から、異なった間隔ではあるが、ただし好ましくは各グループ内では一致している間隔(a1もしくはa2)をおいて配置されていることに関して異なっている。