不揮発性メモリ内のトリムパラメータをアップデートするための技術

    公开(公告)号:JP2021509216A

    公开(公告)日:2021-03-18

    申请号:JP2020535238

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 製造段階又は製造後の段階の何れかの間に不揮発性メモリ内のトリムパラメータをアップデートするための技術が説明される。トリムパラメータは、通常モードの動作中にホストデバイスによるアクセスが不可能である、メモリデバイス内に設置されたレジスタ内に蓄積され得る。ホストデバイスによるトリムパラメータに対する製造後のアップデートは、トリムパラメータの設定のアップデートに関する情報を提供するための、ホストデバイスにとってアクセス可能である、メモリデバイス内に設置されたレジスタを創出することによって実現され得る。メモリデバイスは、ホストデバイスによるアクセスが不可能なレジスタ内に含まれるトリムパラメータをアップデートするために、ホストデバイスにとってアクセス可能なレジスタから該情報を読み出し得る。この方法では、ホストデバイスは、トリムパラメータへの直接アクセスを有しなくてもよいが、ホストデバイスによるアクセスが可能なレジスタのエントリをアップデートすることによって、トリムパラメータに対するアップデートを提供することが依然として可能であり得る。

    複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法

    公开(公告)号:JP2020107360A

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:JP2020047575

    申请日:2020-03-18

    Abstract: 【課題】メモリアレイを動作させるための方法および装置を提供する。 【解決手段】メモリデバイス200のメモリアレイ110−aは、メモリコントローラ150−a、パーティション220−a〜220−nを含む。メモリコントローラは、次のパーティションコマンドによって示される異なるパーティションにおいて、現在のパーティションからアレイコマンドを反復することができる次のパーティションコマンドを使用することにより、比較的少ない数のピンを有することができるコマンド/アドレス(C/A)バス上に強化された帯域幅を提供する。次のパーティションコマンドは、完全な命令および記憶場所情報を含むコマンドよりも少ないクロックサイクルを使用することができる。 【選択図】図2

    複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法

    公开(公告)号:JP2019520629A

    公开(公告)日:2019-07-18

    申请号:JP2018557135

    申请日:2017-04-18

    Abstract: メモリアレイを動作させるための方法、システムおよびデバイスが説明される。メモリコントローラは、次のパーティションコマンドによって示される異なるパーティションにおいて、現在のパーティションからアレイコマンドを反復することができる次のパーティションコマンドを使用することにより、比較的少ない数のピンを有することができるコマンド/アドレス(C/A)バス上に強化された帯域幅を提供するように構成することができる。このような次のパーティションコマンドは、完全な命令および記憶場所情報を含むコマンドよりも少ないクロックサイクルを使用することができる。 【選択図】図2

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