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公开(公告)号：JP2019506663A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2018533688
申请日：2016-12-13
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： サンダラム,ラジェシュ , ロー,ウィリアム , ジャヤチャンドラン,ソウミャ
Abstract: ある実施形態に従って、装置が開示される。装置は、装置識別情報を有するメモリ装置を含む。装置は、低電力ウェイク信号および識別情報を受信するように構成され、さらに、アクティブな低電力ウェイク信号と装置識別情報に一致するウェイク識別情報に応答して低電力状態からアクティブ状態へのメモリ装置の遷移を開始するように構成される低電力ウェイク回路をさらに含む。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2019505910A
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：JP2018535296
申请日：2016-12-28
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： サンダラム,ラジェシュ , カウ,デーチャン , ジュングロス,オーウェン ダブリュ. , チュウ,ダニエル , ヅァン,レイモンド ダブリュ. , カワミ,シェコウフェ
Abstract: メモリの異なる区画のマルチスレッド、同時アクセスを実行するための装置及び方法が本明細書に開示される。例示的装置は、複数の区画を含む不揮発性メモリアレイを含んでもよく、各々は、個々の複数のメモリセルを含んでもよい。装置は、個別のメモリアクセスコマンドを受信することに応じて個別のメモリアクセスコマンドを実行するために複数の区画の内の個別の1つに独立且つ同時にアクセスするように各々構成された複数のローカルコントローラを更に含んでもよい。例示的装置は、複数のメモリアクセスコマンドを受信し、複数のメモリアクセスコマンド毎に個別の目標区画を決定するように構成されたコントローラを更に含んでもよい。コントローラは、個別の目標区画と関連する複数のローカルコントローラの内のローカルコントローラに複数のメモリアクセスコマンドの各々を供給するように更に構成されてもよい。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6921120B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2018557135
申请日：2017-04-18
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： カワミ,シェコウフェ , サンダラム,ラジェシュ
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公开(公告)号：JP6716693B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2018521640
申请日：2016-10-18
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： カワミ,シェコウフェ , サンダラム,ラジェシュ
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公开(公告)号：JP2018532219A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2018521640
申请日：2016-10-18
Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.
Inventor： カワミ,シェコウフェ , サンダラム,ラジェシュ
CPC classification number: G11C14/0045 , G06F2212/7211 , G11C7/24 , G11C8/18 , G11C13/0004 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2013/0092 , G11C2213/71
Abstract: 本発明の1つの実施形態に従って、装置が開示される。装置は、複数のメモリセルを有するメモリアレイを含む。装置は、メモリアレイに接続され、制御信号に応答して書き込み操作を行うように構成されたメモリアクセス回路を、さらに含む。装置は、メモリアクセス回路に接続され、少なくとも部分的には、メモリアクセス回路によって行われた書き込み操作の数に応じた一連の書き込みパラメータを適用するように構成され、一連の書き込みパラメータに応じて複数のメモリセルに書き込み操作を行うために、メモリアクセス回路に制御信号を提供するようにさらに構成された制御ロジックをさらに含む。 【選択図】図1B
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021168203A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2021120142
申请日：2021-07-21
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： サンダラム,ラジェシュ , カウ,デーチャン , ジュングロス,オーウェン ダブリュ. , チュウ,ダニエル , ヅァン,レイモンド ダブリュ. , カワミ,シェコウフェ
Abstract: 【課題】メモリの異なる区画のマルチスレッド、同時アクセスを実行するための装置及び方法が本明細書に開示される。 【解決手段】例示的装置は、複数の区画を含む不揮発性メモリアレイを含んでもよく、各々は、個々の複数のメモリセルを含んでもよい。装置は、個別のメモリアクセスコマンドを受信することに応じて個別のメモリアクセスコマンドを実行するために複数の区画の内の個別の1つに独立且つ同時にアクセスするように各々構成された複数のローカルコントローラを更に含んでもよい。例示的装置は、複数のメモリアクセスコマンドを受信し、複数のメモリアクセスコマンド毎に個別の目標区画を決定するように構成されたコントローラを更に含んでもよい。コントローラは、個別の目標区画と関連する複数のローカルコントローラの内のローカルコントローラに複数のメモリアクセスコマンドの各々を供給するように更に構成されてもよい。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6921260B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2020047575
申请日：2020-03-18
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： カワミ,シェコウフェ , サンダラム,ラジェシュ
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公开(公告)号：JP6918805B2
公开(公告)日：2021-08-11
申请号：JP2018535296
申请日：2016-12-28
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： サンダラム,ラジェシュ , カウ,デーチャン , ジュングロス,オーウェン ダブリュ. , チュウ,ダニエル , ヅァン,レイモンド ダブリュ. , カワミ,シェコウフェ
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公开(公告)号：JP2019520629A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2018557135
申请日：2017-04-18
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： カワミ,シェコウフェ , サンダラム,ラジェシュ
Abstract: メモリアレイを動作させるための方法、システムおよびデバイスが説明される。メモリコントローラは、次のパーティションコマンドによって示される異なるパーティションにおいて、現在のパーティションからアレイコマンドを反復することができる次のパーティションコマンドを使用することにより、比較的少ない数のピンを有することができるコマンド/アドレス(C/A)バス上に強化された帯域幅を提供するように構成することができる。このような次のパーティションコマンドは、完全な命令および記憶場所情報を含むコマンドよりも少ないクロックサイクルを使用することができる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6812060B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2018533688
申请日：2016-12-13
Applicant: マイクロン テクノロジー,インク.
Inventor： サンダラム,ラジェシュ , ロー,ウィリアム , ジャヤチャンドラン,ソウミャ
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