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公开(公告)号:JP2010530129A
公开(公告)日:2010-09-02
申请号:JP2010507421
申请日:2008-05-02
发明人: アルナジリ・ティルチラーパリ , コロリク・ミカイル , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , ナラ・プラビーン , ボイド・ジョン , ホーバルト・アーサー・エム. , レデカー・フリッツ , ワン・チョンヒュイ
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/3205
CPC分类号: H01L21/02074
摘要: 【解決手段】化学機械研磨後に半導体ウェーハを洗浄するための方法を提供する。 方法の一例では、ウェーハに酸化環境における熱処理を施し、その後、還元環境における熱処理を施す。 酸化環境における熱処理では、残留物を除去すると共に、露出した銅を酸化して酸化銅層を形成する。 還元環境における熱処理では、その後、酸化銅を元素銅へ還元する。 これにより、露出した銅は清浄となり、無電解メッキ等、更なる処理のための状態となる。
【選択図】図3-
公开(公告)号:JP2010503205A
公开(公告)日:2010-01-28
申请号:JP2009526621
申请日:2007-08-17
发明人: アルナジリ・ティルチラーパリ , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , ベルトメン・ジョハン , ボイド・ジョン , ホーバルト・アーサー・エム. , ユーン・ヒュングスック・アレキサンダー , レデカー・フリッツ・シー.
IPC分类号: H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L23/52
摘要: The embodiments provide processes and integrated systems that produce a metal-to-metal or a silicon-to-metal interface to enhance electro-migration performance, to provide lower metal resistivity, and to improve metal-to-metal or silicon-to-metal interfacial adhesion for copper interconnects. An exemplary method of preparing a substrate surface to selectively deposit a thin layer of a cobalt-alloy material on a copper surface of in an integrated system to improve electromigration performance of a copper interconnect is provided. The method includes removing contaminants and metal oxides from the substrate surface in the integrated system, and reconditioning the substrate surface using a reducing environment after removing contaminants and metal oxides in the integrated system. The method also includes selectively depositing the thin layer of cobalt-alloy material on the copper surface of the copper interconnect in the integrated system after reconditioning the substrate surface. Systems to practice the exemplary method described above are also provided.
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公开(公告)号:JP4742047B2
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:JP2006543928
申请日:2004-12-07
发明人: クック・ジョエル・エム. , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , ボイド・ジョン , マラスチン・ボブ , レデカー・フレッド・シー.
IPC分类号: C23C18/16 , C23C18/54 , H01L21/288
CPC分类号: C23C18/1667 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/1676
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公开(公告)号:JP2010525166A
公开(公告)日:2010-07-22
申请号:JP2010504056
申请日:2008-04-11
发明人: アルナジリ・ティルチラーパリ , オウクザルツ・アレクサンダー , ショエップ・アラン・エム. , ティエ・ウィリアム , トーマス・クリント , ドルディ・イエッディ , パークス・ジョン , バリスキー・トッド , ボイド・ジョン・エム. , レデカー・フリッツ・シー. , ワイリー・ジェイコブ
IPC分类号: C23C18/31
CPC分类号: H01L21/02104 , C23C18/1619 , H01L21/67005 , H01L21/6715
摘要: 【課題】ウエハ無電解めっきのための方法および装置【解決手段】半導体ウエハ無電解めっき装置は、プラテンと、流体受けとを含む。 プラテンは、ウエハを支持するように定められた上面と、該上面の周囲からプラテンの下表面へ下向きに伸びる外表面とを有する。 流体受けは、プラテンとその上に支持されるウエハとを中に収容するために内部表面によって定められた内側空間を有する。 流体受けの内部表面とプラテンの外表面との間に当接されたときに液密バリアを形成するために、流体受けの内部表面に沿ってシールが設けられる。 電気めっき溶液が盛り上がってプラテンの上を流れ、プラテン上に存在しているときのウエハの上を流れるように、流体受け内で、シールより上方で電気めっき溶液を吐出するために、複数の流体吐出ノズルが位置決めされる。
【選択図】図6D-
公开(公告)号:JP2010503210A
公开(公告)日:2010-01-28
申请号:JP2009526680
申请日:2007-08-28
发明人: アルナジリ・ティルチラーパリ , ショエップ・アラン , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , パークス・ジョン , ヘムカー・デイビッド , ボイド・ジョン , ホーバルト・アーサー・エム. , ムアリング・ベンジャミン・ダブリュ. , レデカー・フリッツ・シー.
IPC分类号: H01L21/02 , B65G49/07 , C23C18/31 , C25D19/00 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/677 , H01L23/52
CPC分类号: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要: 【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム【解決手段】1つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。 実験室雰囲気制御搬送モジュールと、1つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第1の雰囲気環境を管理する。 クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび1つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。 真空搬送モジュールと、1つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第2の雰囲気環境を管理する。 真空搬送モジュールおよび1つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第3の雰囲気環境を管理する。 クラスタアーキテクチャは、したがって、第1、第2、または第3の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。 実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。
【選択図】図1-
公开(公告)号:JP5417174B2
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:JP2009526680
申请日:2007-08-28
发明人: ボイド・ジョン , ドルディ・イエッディ , アルナジリ・ティルチラーパリ , ムアリング・ベンジャミン・ダブリュ. , パークス・ジョン , ティエ・ウィリアム , レデカー・フリッツ・シー. , ホーバルト・アーサー・エム. , ショエップ・アラン , ヘムカー・デイビッド
IPC分类号: H01L21/02 , B65G49/07 , C23C18/31 , C25D19/00 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/677 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
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7.
公开(公告)号:JP2010525165A
公开(公告)日:2010-07-22
申请号:JP2010504055
申请日:2008-04-11
发明人: アルナジリ・ティルチラーパリ , オウクザルツ・アレクサンダー , ショエップ・アラン・エム. , ティエ・ウィリアム , トーマス・クリント , ドルディ・イエッディ , パークス・ジョン , バリスキー・トッド , ボイド・ジョン・エム. , レデカー・フリッツ・シー. , ワイリー・ジェイコブ
IPC分类号: C23C18/31
CPC分类号: C23C18/1628 , Y10T137/87652
摘要: A chemical fluid handling system is defined to supply a number of chemicals to a number of fluid inputs of a mixing manifold. The chemical fluid handling system includes a number of fluid recirculation loops for separately pre-conditioning and controlling the supply of each of the number of chemicals. Each of the fluid recirculation loops is defined to degas, heat, and filter a particular one of the number of chemical components. The mixing manifold is defined to mix the number of chemicals to form the electroless plating solution. The mixing manifold includes a fluid output connected to a supply line. The supply line is connected to supply the electroless plating solution to a fluid bowl within an electroless plating chamber.
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公开(公告)号:JP2007525594A
公开(公告)日:2007-09-06
申请号:JP2006543928
申请日:2004-12-07
发明人: クック・ジョエル・エム. , ティエ・ウィリアム , ドルディ・イエッディ , ボイド・ジョン , マラスチン・ボブ , レデカー・フレッド・シー.
CPC分类号: C23C18/1667 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/1676
摘要: 【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。 放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。 この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。 したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。 また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。 メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。
【選択図】 図2A-
公开(公告)号:JP5420409B2
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:JP2009526618
申请日:2007-08-15
发明人: ナラ・プラベーン , ティエ・ウィリアム , ボイド・ジョン , アルナジリ・ティルチラーパリ , ユーン・ヒュングスック・アレキサンダー , レデカー・フリッツ・シー. , ドルディ・イエッディ
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号: C23C16/45525 , C23C16/18 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76861
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公开(公告)号:JP5043014B2
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:JP2008529370
申请日:2006-08-31
发明人: キム・ユンサン , ティエ・ウィリアム , ドーディ・イェズディ , サード ベイリー・アンドリュー・ザ , リー・アラン
IPC分类号: C23C18/40 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H05K3/18 , H05K3/26
CPC分类号: H05K3/184 , C23C18/1605 , C23C18/1642 , C23C18/1669 , C23C18/1879 , C23C18/1882 , C23C18/38 , C23C18/40 , H05K3/064 , H05K2203/0571 , H05K2203/072 , H05K2203/087
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