公开(公告)号：JP2015034352A

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：JP2014224144

申请日：2014-11-04

申请人： エヌシーシー ナノ, エルエルシー ,  Ncc Nano Llc ,  エヌシーシー ナノ, エルエルシー

发明人： DAVE S POPE ,  KURT A SCHRODER ,  IAN M RAWSON

IPC分类号： C23C18/31 ,  C22B5/04 ,  C23C18/14 ,  H05K3/10

CPC分类号： H05K3/105 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/31 ,  H05K1/0393 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125 ,  H05K2203/1545

摘要： 【課題】低温基板上の薄膜を還元する方法を提供すること。【解決手段】基板上に導電性薄膜を作製する方法を開示する。まず、還元性金属化合物および還元剤を液体中に分散させる。次いで、この分散液を基板上に薄膜として堆積させる。続いて、この薄膜を基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させて、薄膜を導電性にする。本発明は、薄膜において酸化還元反応を行うための活性化エネルギーを強力パルス光を用いて提供する方法である。このレドックス反応は、有機化合物による金属酸化物の還元であってもよく、低温基板上で行ってもよい。【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种在低温基板上还原薄膜的方法。公开了一种在基板上制备导电薄膜的方法。 首先将还原性金属化合物和还原剂分散在液体中。 然后，将这种分散的液体作为薄膜沉积在基板上。 然后，将具有基板的薄膜暴露于脉冲电磁辐射，以在还原性金属化合物和还原剂之间进行化学反应，以使薄膜导电。 本发明提供一种使用强脉冲光提供活化能以在薄膜中进行氧化还原反应的方法。 该氧化还原反应可以是有机化合物还原金属氧化物，也可以在低温基材上进行。

公开(公告)号：JP5631113B2

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：JP2010186728

申请日：2010-08-24

申请人： ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

发明人： ジョン・ピー．カハレン ,  ゲーリー・ハム ,  ジョージ・アール．アラルダイス ,  デービッド・エル．ジャック

IPC分类号： C23C28/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： C25D5/12 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/32 ,  C25D5/50 ,  C25D7/126 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76889

公开(公告)号：JP5442869B2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：JP2012526746

申请日：2010-06-04

申请人： マクダーミッド アキューメン インコーポレーテッド

发明人： デヴィッド・ミンスク

IPC分类号： C23C18/31 ,  C23C18/16 ,  C23C18/44 ,  H01L31/04

CPC分类号： C23C18/14 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/44 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP2013503966A

公开(公告)日：2013-02-04

申请号：JP2012527294

申请日：2010-08-30

申请人： バンガー ユニバーシティ

发明人： ホリマン、ピーター ,  キャティペアラッチ、ウダヤ ,  アンソニー、ロージー ,  ファットリ、アルバート ,  コンネル、アーサー

IPC分类号： C23C18/44 ,  C23C18/31 ,  C23C18/34 ,  C23C18/40 ,  C23C18/52 ,  C23C28/00 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC分类号： H01G9/2022 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/44 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0021 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

摘要： 本発明は、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）の分野に関するものであり、幅広い種類の基材に適用できる対向電極の低温プラチナイズ方法に関する。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2012506158A

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：JP2011532314

申请日：2009-10-19

申请人： エヌシーシー ナノ, エルエルシー

发明人： カート エー． シュローダー，

IPC分类号： H05K3/12 ,  H05K1/09

CPC分类号： H05K3/105 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/31 ,  H05K1/0393 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125 ,  H05K2203/1545

摘要： A method for reacting thin films on a low-temperature substrate within a reactive atmosphere is disclosed. The thin film contains a reducible metal oxide, and the reactive atmosphere contains a reducing gas such as hydrogen or methane. The low-temperature substrate can be polymer, plastic or paper. Multiple light pulses from a high-intensity strobe system are used to reduce the metal oxide to metal and to sinter the metal if applicable.

公开(公告)号：JP4742047B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2006543928

申请日：2004-12-07

申请人： ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation

发明人： クック・ジョエル・エム． ,  ティエ・ウィリアム ,  ドルディ・イエッディ ,  ボイド・ジョン ,  マラスチン・ボブ ,  レデカー・フレッド・シー．

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288

CPC分类号： C23C18/1667 ,  C23C18/14 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1676

公开(公告)号：JP4740850B2

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：JP2006524826

申请日：2004-08-26

申请人： ナノインク インコーポレーティッド

发明人： ナビル エイ． アムロ ,  ロバート エルガニアン ,  パーシー ヴァンドーン ジュニア クロッカー ,  リネッタ デマース

IPC分类号： H05K3/10 ,  B01J20060101 ,  B05D5/12 ,  C23C18/08 ,  C23C18/16 ,  C23C18/28 ,  G01Q60/00 ,  G01Q70/00 ,  G01Q80/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H05K3/12

CPC分类号： C23C18/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1678 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1241 ,  Y10S438/929

公开(公告)号：JP2011102429A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：JP2010186728

申请日：2010-08-24

申请人： Rohm & Haas Electronic Materials Llc ,  ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

发明人： CAHALEN JOHN P ,  GARY HAM ,  ALLARDYCE GEORGE R ,  JACQUES DAVID L

IPC分类号： C23C28/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： C25D5/12 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/32 ,  C25D5/50 ,  C25D7/126 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76889

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming nickel silicide which can reduce the number of processes for forming nickel silicide capable of being used for various purposes in the semiconductor and advanced packaging technology such as formation of gate electrodes, ohmic contacts, interconnection lines, Schottky barrier diode contacts, photovoltaics, solar cells and optoelectronic components. SOLUTION: The method of forming nickel silicide comprises: a step of depositing nickel onto a silicon-containing substrate; a step of depositing a protective layer onto the nickel; and a step of heating the combination up to a temperature sufficient for forming nickel silicide. The formation of the nickel silicide is performed in an oxygen-containing environment. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种形成硅化镍的方法，其可以减少在半导体中用于各种目的的用于形成镍硅化物的工艺的数量，以及诸如栅电极的形成的先进封装技术，欧姆接触 ，互连线，肖特基势垒二极管触点，光伏，太阳能电池和光电子元件。 解决方案：形成硅化镍的方法包括：将镍沉积到含硅衬底上的步骤; 在镍上沉积保护层的步骤; 以及将组合加热至足以形成硅化镍的温度的步骤。 在含氧环境中进行硅化镍的形成。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008057035A

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：JP2007148193

申请日：2007-06-04

申请人： Rohm & Haas Electronic Materials Llc ,  ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

发明人： ALLARDYCE GEORGE R ,  BASS KEVIN ,  RASCH JOACHIM

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D7/12

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1614 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  C25D3/46 ,  C25D5/006 ,  C25D7/126 ,  Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of plating an electrical contact on a light-sensitive device, particularly, a method of plating an electrical contact on a solar cell. SOLUTION: The rear side 11 of a semiconductor wafer 10 in a solar cell or the like is metallized, such as with silver. The front side 12 contains a metallic pattern composed of busbars 14 and current collecting lines 15. The metallic pattern is composed of a layer of deposited silver over a silver-containing conductive paste. The metallic pattern is in ohmic contact with the front side. The front side is covered with an antireflective coating such as silicon nitride or other dielectric material. A metal layer, and particularly a silver layer, is deposited on the fired conductive paste using a cyanide-free plating bath while subjecting the semiconductor wafer to incident light. By applying a potential to the plating cell from a power supply, plating simultaneously occurs on the front and rear of the wafer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种在感光装置上电镀接触的方法，特别是在太阳能电池上电镀电接触的方法。 解决方案：太阳能电池等中的半导体晶片10的背面11例如用银进行金属化。 前侧12包含由母线14和集流线15组成的金属图案。金属图案由在含银导电膏上的沉积银层构成。 金属图案与前侧欧姆接触。 前侧覆盖有抗反射涂层，例如氮化硅或其它电介质材料。 在对半导体晶片进行入射光的同时，使用不含氰化物的镀浴将金属层，特别是银层，沉积在烧成的导电性糊剂上。 通过从电源向电镀槽施加电位，电镀同时发生在晶片的前后。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018515667A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017560700

申请日：2016-05-25

申请人： ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ.

发明人： ファン デル バーグ, フランク ピーター テオドルス ヨハネス

IPC分类号： C08K3/10 ,  C08K5/5313 ,  C08L77/06

CPC分类号： C08L77/06 ,  C08K3/22 ,  C08K5/5313 ,  C08K7/14 ,  C08K2003/2251 ,  C08L77/00 ,  C08L2201/02 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/02 ,  C08L2205/06 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/31

摘要： 本発明は、A.ポリアミドと、B.強化剤と、C.レーザーダイレクトストラクチャリング(LDS)添加剤と、D.(ジ)ホスフィン酸金属塩とを含む熱可塑性ポリマー組成物に関し、ポリアミドは、− (A.1)半結晶性半芳香族ポリアミドと、− (A.2)非晶質半芳香族ポリアミドもしくは脂肪族ポリアミド、またはこれらの混合物とのブレンド、または − (A.3)半結晶性脂肪族ポリアミドと、− (A.4)非晶質半芳香族ポリアミドとのブレンドを含む。本発明は、本熱可塑性ポリマー組成物から作製された物品と、LDSプロセスにより製造された物品と、それを作製する方法とにさらに関する。 【選択図】なし