公开(公告)号：JP6181006B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2014141695

申请日：2014-07-09

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 稲 富 裕一郎 ,  田 中 崇

IPC分类号： C23C18/28 ,  C23C18/31 ,  H05K3/18 ,  H01L21/288 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/10 ,  C23C18/30

CPC分类号： H01L21/76874 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1889 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76898 ,  B01J23/44 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/50 ,  H01L21/76873

公开(公告)号：JP2016017214A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：JP2014141695

申请日：2014-07-09

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 稲 富 裕一郎 ,  田 中 崇

IPC分类号： C23C18/28 ,  C23C18/31 ,  H05K3/18 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05K3/10 ,  C23C18/30

CPC分类号： H01L21/76874 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1889 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76898 ,  B01J23/44 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/50 ,  H01L21/76873

摘要： 【課題】基板に対して触媒層が剥離することのないめっき前処理方法を提供する。 【解決手段】基板に対して触媒層を形成するめっき前処理方法は、基板2上に触媒22aを吸着させて触媒層22を形成する工程と、触媒層22の直上に触媒固定層27を形成する工程とを備えている。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够防止催化剂层从基板剥离的电镀预处理方法。解决方案：在基板上形成催化剂层的电镀预处理方法包括以下步骤：通过吸附催化剂形成催化剂层22 22a到基板2上; 并在催化剂层22正上方形成催化剂固定床27

公开(公告)号：JP4660579B2

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：JP2008233528

申请日：2008-09-11

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 光秋 岩下 ,  崇 田中 ,  祐介 齋藤

IPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/16

CPC分类号： C23C18/1628 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38

公开(公告)号：JP2009249679A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：JP2008098367

申请日：2008-04-04

申请人： Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

发明人： HARA KENICHI ,  IWASHITA MITSUAKI ,  TANAKA TAKASHI ,  TOSHIMA TAKAYUKI ,  ORII TAKEHIKO

IPC分类号： C23C18/31 ,  C25D17/00

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1628 ,  H01L21/76849

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a plated film having a uniform film thickness on the surface of a substrate. SOLUTION: The semiconductor device manufacturing apparatus includes: a holding mechanism for holding a substrate rotatably; a nozzle for supplying a processing solution for performing a plating process on a processing target surface of the substrate; a substrate rotating mechanism for rotating the substrate held by the holding mechanism in a direction along the processing target surface; a nozzle driving mechanism for moving the nozzle in a direction along the processing target surface at a position facing the processing target surface of the substrate held by the holding mechanism; and a control unit for controlling the supply of the processing solution by the nozzle and the movement of the nozzle by the nozzle driving mechanism. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：在基板的表面上形成具有均匀膜厚度的镀膜。 解决方案：半导体器件制造设备包括：可旋转地保持基板的保持机构; 用于向所述基板的处理目标表面供给用于进行电镀处理的处理液的喷嘴; 基板旋转机构，用于沿着所述处理对象表面的方向旋转由所述保持机构保持的所述基板; 喷嘴驱动机构，用于沿着与所述保持机构保持的所述基板的处理对象面对置的位置沿着所述处理对象面的方向移动所述喷嘴; 以及控制单元，用于控制由喷嘴供应处理溶液和通过喷嘴驱动机构移动喷嘴。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007284797A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：JP2007136465

申请日：2007-05-23

申请人： Ebara Corp ,  株式会社荏原製作所

发明人： KATSUOKA SEIJI ,  SEKIMOTO MASAHIKO ,  YOKOYAMA TOSHIO ,  WATANABE TERUYUKI ,  OGAWA TAKAHIRO ,  KOBAYASHI KENICHI ,  MIYAZAKI MITSURU ,  MOTOJIMA YASUYUKI ,  OWATARI AKIRA ,  DAI NAOKI

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and an apparatus which can securely carry out a pre-treatment in order to perform a plating treatment that enables uniform plating in the necessary area of the surface of a substrate. SOLUTION: When a cleaning treatment and a catalyst-imparting treatment are performed as pre-plating treatments before the surface of a substrate W is electroless plated, the cleaning treatment is carried out in a wider area of the surface of the substrate W than that area to which a catalyst is imparted by the catalyst-imparting treatment (the catalyst impartation area S 1 2 ). The area to which the catalyst is imparted to the surface of the substrate by the catalyst-imparting treatment is, e.g., the same as that area of the surface of the substrate W in which uniform plating is to be carried out. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种基板处理方法和可以可靠地执行预处理的装置，以便进行能够在基板的表面的必要区域中均匀镀覆的电镀处理。 解决方案：当在基板W的表面无电镀之前进行清洗处理和催化剂赋予处理作为预镀处理时，清洁处理在基板W的表面的更宽区域中进行 比通过催化剂赋予处理（催化剂赋予区域S 1 <清洁区域S 2 ）赋予催化剂的区域更多。 通过催化剂赋予处理赋予催化剂表面的区域例如与要进行均匀镀覆的基板W的表面的面积相同。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007274003A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：JP2007136463

申请日：2007-05-23

申请人： Ebara Corp ,  株式会社荏原製作所

发明人： KATSUOKA SEIJI ,  SEKIMOTO MASAHIKO ,  YOKOYAMA TOSHIO ,  WATANABE TERUYUKI ,  OGAWA TAKAHIRO ,  KOBAYASHI KENICHI ,  MIYAZAKI MITSURU ,  MOTOJIMA YASUYUKI ,  OWATARI AKIRA ,  DAI NAOKI

IPC分类号： H01L21/683 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holding device, a substrate treatment device, and a substrate mounting/dismounting method to/from the substrate holding device, which allow a substrate to be positively peeled off free from sealant materials, without bending a vacuum-suctioned substrate by this vacuum suction power. SOLUTION: In the substrate holding device which suctions and holds a rear surface of the substrate on an undersurface of an suction head 2089, the substrate holding device is fitted with a ring-shaped substrate suction section 2095 which is located at the external circumference of the undersurface of the suction head 2089 and annularly vacuum-suctions the rear surface of the substrate, and which prevents and seals the penetration of a processing solution from a vacuum-suctioned portion in the rear surface of the substrate to inside, and a pusher 2100 which presses the substrate suctioned on the substrate suction section 2095 in the direction of being separated from the suction head 2089. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：为了向基板保持装置提供基板保持装置，基板处理装置和基板安装/拆卸方法，其允许基板被无密封材料积极剥离，而没有 通过该真空抽吸动力来弯曲真空吸附的基板。 解决方案：在吸引头2089的下表面上吸附并保持基板的后表面的基板保持装置中，基板保持装置装配有位于外部的环状基板吸入部2095 抽吸头2089的下表面的圆周和环形真空吸附衬底的后表面，并且防止和密封处理溶液从衬底的后表面中的真空吸附部分穿透到内部，并且 推动器2100将吸附在基板抽吸部2095上的基板沿着与吸头2089分离的方向按压。（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007154298A

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：JP2005355182

申请日：2005-12-08

申请人： Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

发明人： HARA KENICHI ,  TOSHIMA TAKAYUKI ,  IWASHITA MITSUAKI ,  ORII TAKEHIKO

IPC分类号： C23C18/54 ,  H05K3/18

CPC分类号： H01L21/68728 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroless plating device where, without deteriorating the quality of a substrate in a semiconductor device or the like, electroless plating can be applied to a wiring part on the substrate with a plating liquid using a reducing agent having weak reducing power.
SOLUTION: The electroless plating device for applying electroless plating to a wiring part formed on a wafer W with a plating liquid using a reducing agent having weak reducing power is composed of: a pressure pin 64 for supporting the wafer W and having electric conductivity; a metal member 64b provided at the pressure pin 64 so as to be contacted with the plating liquid and melted upon the contact with the plating liquid to generate electrons; and an electron feed path of feeding the electrons generated by the melting of the metal member 64b to the wiring part on the wafer W via the pressure pin 64.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决问题的方案为了提供一种无电解电镀装置，其中，在不劣化半导体装置等中的基板的质量的情况下，可以使用电镀液将化学镀施加到基板上的布线部分， 具有弱的还原力的试剂。 解决方案：使用具有弱还原能力的还原剂的电镀液将化学镀施加到形成在晶片W上的配线部分的化学镀装置包括：用于支撑晶片W并具有电 导电性; 金属构件64b，设置在压力销64处以与电镀液接触并在与电镀液接触时熔化，以产生电子; 以及通过压力销64将由金属构件64b熔化产生的电子馈送到晶片W上的布线部分的电子馈送路径。（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2005539369A

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：JP2003564917

申请日：2003-01-21

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： オルガド，ドナルド，ジェイ． ,  グルーンズ，ハワード，イー． ,  スティーヴンズ，ジョセフ，ジェイ． ,  パンチャム，イアン ,  モク，ヤク‐ファイ，エドウィン ,  ルボマースキー，ドミトリー

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C25D7/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67126 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1678 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001

摘要： 貴金属、半貴金属、及びその合金/組合せからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む触媒層を基板上に形成されたサブミクロン特徴部の中に堆積させる装置及び方法。 具体的な金属としては、パラジウム、白金、コバルト、ニッケル、又はタングステンが挙げられる。 触媒層は、無電解堆積、電気めっき、又は化学気相堆積によって堆積することができる。 一実施形態においては、触媒層は、続いて堆積された導電材料に対してバリヤ層として働くように形状の中に堆積されてもよい。 他の実施形態においては、触媒層はバリヤ層の上に堆積されてもよい。 更に他の実施形態においては、触媒層はシード層におけるあらゆる不連続の“パッチ”として働くようにバリヤ層の上に堆積されたシード層の上に堆積されてもよい。 触媒層が堆積されるとすぐに、触媒層の上に導電材料が、例えば、無電解プロセスによって堆積されてもよい。 他の実施形態においては、触媒層の上に導電材料が無電解堆積に続いて電気めっき又は化学気相堆積によって堆積される。 更に他の実施形態においては、触媒層の上に導電材料が電気めっき又は化学気相堆積によって堆積される。

公开(公告)号：KR102231256B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020170095922A

申请日：2017-07-28

申请人： 우에무라 고교 가부시키가이샤

发明人： 마사유키 우츠미 ,  노부히코 나카

IPC分类号： C23C18/16

CPC分类号： C23C18/38 ,  C25D17/00 ,  B05C5/004 ,  B05C5/007 ,  B05C5/008 ,  B05C5/02 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C25D17/02

摘要： 분진의 혼입에 의한 불량 발생을 억제 할 수 있는 표면 처리를 제공한다. 롤러(40)는 측면 방호벽(49)에서 돌출되어 형성된 회전축(72)에 회전 가능하게 고정되어 있다. 측면 방호벽(49)은 외벽(39)에 고정된 하부 방호벽(47)에 수직으로 고정되어 있다. 행거(50)의 수하판(64)은 양쪽의 하부 방호벽(47) 사이의 공간(43)을 통해서, 클립(52)을 지지하고 있다. 측면 방호벽(49), 하부 방호벽(47), 외벽(39)에 의해 형성된 공간에 물 등의 액체(41)가 채워져 있다. 액체(41)는 회전축(72)을 절반 정도 덮도록 채워져 있다. 따라서 액체(41)에 의해, 반송 기구에 의해 발생하는 미세한 분진이 포착되고, 공기 중을 떠돌아 공간(34)으로부터 기판(54)을 향하는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：JP5176337B2

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：JP2007050745

申请日：2007-02-28

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 康志 浅野 ,  敬太 柳川 ,  博好 菅原 ,  慎治 鳥居

IPC分类号： C23C28/00 ,  B05D3/10 ,  B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  C23C18/52 ,  F02M61/16 ,  F02M61/18

CPC分类号： C23C28/00 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/32 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/343 ,  F02M61/10 ,  F02M61/168 ,  F02M2200/02 ,  F02M2200/9038 ,  F02M2200/9046 ,  Y10T428/12569 ,  Y10T428/12583 ,  Y10T428/24405 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544