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公开(公告)号：JP5605604B2
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：JP2010014573
申请日：2010-01-26
申请人： 独立行政法人科学技術振興機構 , 三菱化学株式会社
IPC分类号： H01L51/46
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
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公开(公告)号：JP4424026B2
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：JP2004085036
申请日：2004-03-23
申请人： 三菱化学株式会社
IPC分类号： C07C211/61 , H01L51/50 , C07D207/34 , C07D209/82 , C07D209/88 , C07D213/74 , C07D215/46 , C07D217/22 , C07D219/06 , C07D219/14 , C07D221/10 , C07D223/24 , C07D241/48 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D295/12 , C07D307/91 , C07D333/36 , C07D333/54 , C07D471/04 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
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公开(公告)号：JP4050939B2
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：JP2002192850
申请日：2002-07-02
申请人： 三菱化学株式会社
IPC分类号： H01L51/50 , C07D311/30 , C07D311/60 , C07D407/04 , C07D409/04 , C07D455/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , H05B33/14
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公开(公告)号：JP4003299B2
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：JP19017798
申请日：1998-07-06
申请人： 三菱化学株式会社
CPC分类号： H01L51/0059 , H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012
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公开(公告)号：JPWO2013180230A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2014518729
申请日：2013-05-30
申请人： 三菱化学株式会社
发明人： 才華 大坪 , 才華 大坪 , 荒牧 晋司 , 晋司 荒牧 , 山崎 正典 , 正典 山崎 , 律子 山内 , 律子 山内 , 出 武井 , 出 武井 , 孝理 横山 , 孝理 横山 , 佐藤 佳晴 , 佳晴 佐藤
IPC分类号： H01L21/368 , C09D1/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/46
CPC分类号： H01L51/4233 , C09D11/52 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/4273 , H01L2251/303 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要： 基材上に式(I)で表される不飽和カルボン酸金属塩を含有するインクを塗布する工程と、前記塗布後に熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする金属酸化物含有半導体層の製造方法。(式(I)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子又は任意の置換基であり、Mはm価の金属原子であり、mは2以上5以下の整数である。m個のCR1R2=CR3−COO−は、同じであっても互いに異なっていてもよい。)【化1】
摘要翻译： 含金属氧化物的半导体层和涂布含有通过在基板上的式（I）表示的不饱和羧酸金属盐的墨水的工序，和在涂布后进行热处理的工序 生产方法。 （在式（I）中，R1，R2和R3各自独立为氢原子或任意的取代基，M是一个m价的金属原子，m是2至5整数.M CR1R2 = CR3-COO-的数量可以彼此不同是相同的。）[化学式1]
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