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公开(公告)号：JP6847259B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2019555329
申请日：2018-11-21
申请人： 三菱電機株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/285 , H01L21/60 , H01L29/78
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公开(公告)号：JP6141072B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2013076649
申请日：2013-04-02
申请人： 三菱電機株式会社
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111
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公开(公告)号：JP6066941B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2014016568
申请日：2014-01-31
申请人： 三菱電機株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48463 , H01L2224/49111 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181
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公开(公告)号：JP2017005037A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015115402
申请日：2015-06-08
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265
摘要： 【課題】配線部材の接合部の接合品質を確保でき、信頼性の高い電力用半導体装置を提供すること。 【解決手段】絶縁基板に形成された回路パターンに接合された電力用半導体素子と、この電力用半導体素子の前記回路パターンに接合された面とは反対側の面に形成された電極パッドに電気的に接続される配線部材を備えた電力用半導体装置において、配線部材は電極パッドと緩衝板を介して接合されており、緩衝板が電極パッドと緩衝板接合層を介して接合され、この緩衝板接合層を、接合材料である緩衝板接合材に、空隙または前記緩衝板接合材よりも熱伝導率が低い材料を含む層とした。 【選択図】図2
摘要翻译： A可以被固定配线部件的接合部的接合质量，提供一种可靠性高的电力半导体装置即可。 和一种半导体功率被接合到形成在绝缘基板元件上的电路图案，该电到形成在表面相对的电路图案的电极焊盘接合，功率半导体元件的一个表面 在连接到具有配线部件的功率半导体器件的所述布线构件经由电极焊盘缓冲板接合，缓冲板通过电极焊盘缓冲板接合层，缓冲粘合 所述板片粘接层，所述缓冲板接合材料是一种接合材料，比间隙或缓冲板接合材料是一个层的热导率包括低的材料。 .The
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公开(公告)号：JP2016072291A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014196914
申请日：2014-09-26
申请人： 三菱電機株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/45139 , H01L2224/48139 , H01L2224/48472
摘要： 【課題】半導体チップにダメージを与えずに、Agを主成分とする金属ワイヤを半導体チップ上に形成された電極パッドに接合した半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体チップ3と、半導体チップ3上に形成される電極パッド4と、電極パッド4に接合され、Agを主成分とする金属ワイヤ5とを備える半導体装置であって、電極パッド4は、少なくとも第1の層と第2の層とを備え、第1の層と第2の層は、第1の層が半導体チップ3側に、第2の層が金属ワイヤ5側に位置し、第1の層の厚みよりも第2の層の厚みの方が厚く、かつ第1の層よりも第2の層の方が硬いことを特徴とする。 【選択図】 図2
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件，其中主要由Ag组成的金属线接合到形成在半导体芯片上的电极焊盘而不损坏半导体芯片。解决方案：半导体器件包括半导体芯片3，电极焊盘 4形成在半导体芯片3上，金属线5与电极焊盘4接合并主要由Ag构成。 电极焊盘4至少包括第一层和第二层。 在第一层和第二层之间，第一层位于更靠近半导体芯片3并且第二层位于更靠近金属线5的位置，并且第二层的厚度大于第一层的厚度， 第二层比第一层更硬。图2
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公开(公告)号：JP2016009819A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014131094
申请日：2014-06-26
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2224/16225
摘要： 【課題】パワー半導体モジュールの小型化とともに生産性を向上し、低コスト化を図ることのできるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】第1の絶縁基板8の半導体素子5が設置された面と同一面で、半導体素子5を配置されている領域以外の領域に、半導体素子5の裏面電極と電気的に接続する突起部8eを形成し、向い合う第2の絶縁基板1の一面の、半導体素子5の表面電極と突起部8eとに対応する位置にそれぞれランド1a、1bを設け、半導体素子5の表面電極とランド1aとを第1の接合部で接続し、突起部8eとランド1bとを第2の接合部で接続する構成とした。 【選択図】図5
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够小型化，提高生产率并降低成本的功率半导体模块。解决方案：电连接到半导体元件5的背面电极的突出部分8e形成在区域外 在与半导体元件5配置的第一绝缘基板8的表面相同的平面上配置有半导体元件5的区域，在与半导体元件5的表面电极对应的位置设置有焊盘1a，1b 5和突出部8e在相对的第二绝缘基板1的一个表面上，半导体元件5的表面电极和焊盘1a通过第一接合部彼此连接，并且突出部8e和焊盘1b是 通过第二接合部彼此连接。
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公开(公告)号：JP5747737B2
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2011184800
申请日：2011-08-26
申请人： 三菱電機株式会社
IPC分类号： H01L23/40
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/36 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2924/10155 , H01L2924/10158 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , Y10T156/10
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公开(公告)号：JP2021015834A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019128247
申请日：2019-07-10
申请人： 三菱電機株式会社
摘要： 【課題】延出部の断面積を大きくすることにより、熱損失を小さくして小型化を実現するとともに、熱応力による反り及び割れの発生を抑制する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一方の面に導体層11が配置された基板1と、基板1と平行な方向に延在し、基板1を収容するように開口部が形成された底部、及び底部に対し垂直方向に延在した側壁部を有したケース4と、少なくとも一部がケース4の外部に配置された外部電極5と、導体層11上に搭載された半導体素子2、3と、導体層11及び外部電極5を接続する電極接続部7とから半導体装置100を構成し、導体層11は、半導体素子2、3が搭載されたダイパッド部11a、11b、及びダイパッド部11a、11bから延出し、電極接続部7が接続された延出部110を有し、延出部110の少なくとも電極接続部7が接続された部分は上積み導体層13を有し、ダイパッド部11a、11bは上積み導体層13を有さない。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2020115568A
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：JP2020066963
申请日：2020-04-02
申请人： 三菱電機株式会社
摘要： 【課題】安定した絶縁基板の凸形状の反りを実現できるとともに、冷却部材と絶縁基板との密着性を確保でき、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、絶縁基板1と、絶縁基板1の第1の面上に配置された半導体素子3と、半導体素子を内側に収容するように絶縁基板1と接続されたケース51と、ケース51の内側に半導体素子を埋め込むように充填された樹脂6とを備え、絶縁基板1の厚みをt1、樹脂6の厚みをt2、絶縁基板1の線膨張係数をα1、樹脂の線膨張係数をα2とした場合に、t2≧t1、およびα2≧α1、という関係式を満足し、絶縁基板1は第1の面と反対側の第2の面が凸形状となるように反っている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018026417A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016156100
申请日：2016-08-09
申请人： 三菱電機株式会社
摘要： 【課題】板状の配線部材を焼結性金属からなる接合層で半導体チップに接合しつつ、接合層のヤング率を調整することにより、電極パッド等の損傷を防止した電力用半導体装置を提供する。 【解決手段】板状配線を用いた電力用半導体装置が、少なくとも表面パターンを有する絶縁基板と、絶縁基板の表面パターン上に第1接合層で裏面が固定された半導体チップと、半導体チップの表面上に設けられた電極パッドと、電極パッドを覆う金属層と、金属層の上に第2接合層で固定された板状の配線部材とを含み、第1接合層は、AgまたはCuの焼結体からなり、第2接合層は、AgまたはCuの焼結体であって、内部に空隙を含む焼結体からなる。 【選択図】図1
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