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    カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    2.
    发明专利
    カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021191746A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2021086190

    申请日：2021-05-21

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小室 勝洋 ,  中小路 崇 ,  市川 幸司

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07D321/10 ,  C08F220/18 ,  C08F8/00 ,  C07D327/04

    Abstract: 【課題】良好な解像度を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、R 1 及びR 2 は、それぞれ−O−L 1 −CO−O−R 10 を表す。L 1 はアルカンジイル基を表す。R 4 、R 5 、R 7 及びR 8 は、それぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。R 10 は−SO 2 −を有する基を表す。X 1 及びX 2 はそれぞれO又はSを表す。m1は1〜5、m2及びm8は0〜5、m4、m5及びm7は0〜4の整数を表す。但し、1≦m1+m7≦5、0≦m2+m8≦5である。X 0 は、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。] 【選択図】なし

    光学フィルム及びフレキシブル表示装置
    4.
    发明专利
    光学フィルム及びフレキシブル表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021070764A

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：JP2019199056

    申请日：2019-10-31

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 大松 一喜 ,  中小路 崇 ,  西岡 宏司

    IPC: G02B5/30 ,  G09F9/00 ,  C08J5/18

    Abstract: 【課題】ポリアミド系樹脂を含む、耐屈曲性に優れ、高い弾性率を有する光学フィルムを提供する。 【解決手段】ポリアミド系樹脂を含む光学フィルムであって、該光学フィルムの厚さをAμmとし、該光学フィルムの一方の表面上の任意の位置をD 0 とし、D 0 から厚さ方向にA×1/4μmの位置をD 1 とし、D 0 から厚さ方向にA×1/2μmの位置をD 2 とし、D 0 から厚さ方向にA×3/4μmの位置をD 3 とし、D 1 〜D 3 の各位置におけるラマン分光法により測定される1,550〜1,650cm −1 の範囲の最大ピークの強度をそれぞれI 1 〜I 3 とすると、該光学フィルムは式(1)及び式(2): I 1 /I 2 ≦0.97 (1) I 3 /I 2 ≦0.97 (2) の少なくとも一方を満足する、光学フィルム。 【選択図】なし

    カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    5.
    发明专利
    カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021193075A

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JP2021086200

    申请日：2021-05-21

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小室 勝洋 ,  中小路 崇 ,  市川 幸司

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  C08F220/18 ,  C07D305/06

    Abstract: 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物を提供する。 【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、R 1 及びR 2 は、それぞれ−O−L 1 −CO−O−R 10 を表す。L 1 はアルカンジイル基を表す。R 4 、R 5 、R 7 及びR 8 は、それぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基等を表す。R 10 は式(IC)で表される基を表す。R A は飽和炭化水素基、u1は0〜2の整数、s1は1又は2、t1は0又は1を表す。但しs1+t1=1又は2である。L 2 は炭化水素基を表す。X 1 及びX 2 はそれぞれS又はOを表す。m1は1〜5の整数、m2、m8は0〜5の整数、m4、m5、m7は0〜4の整数、但し1≦m1+m7≦5、0≦m2+m8≦5である。X 0 は炭化水素基を表す。] 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    8.
    发明专利
    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021151989A

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：JP2021016655

    申请日：2021-02-04

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小室 勝洋 ,  中小路 崇 ,  市川 幸司

    IPC: C07C309/17 ,  C09K3/00 ,  C07D327/08 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C08F20/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C07D333/76

    Abstract: 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及びこれを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。 [式中、R 1 、R 2 及びR 3 はそれぞれハロゲン原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。R 4 、R 5 及びR 6 はそれぞれハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のフッ化アルキル基又は炭素数1〜12のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる−CH 2 −は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。m4は0〜2の整数、m5及びm6は0〜4の整数を表す。X 1 は、単結合、−CH 2 −、−O−、−S−、−CO−、−SO−又は−SO 2 −を表す。AI − は、有機アニオンを表す。] 【選択図】なし

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