公开(公告)号：JP6373926B2

公开(公告)日：2018-08-15

申请号：JP2016204739

申请日：2016-10-18

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： ファシン・チョウ ,  ヴィプル・ジェイン ,  ジン・ウック・サン ,  ピーター・トレフォナス・サード ,  フィリップ・ディー・フスタッド ,  ミンキ・リー

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C08F293/00

CPC分类号： G03F7/038 ,  B81C2201/0149 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08L53/00 ,  C09D153/00 ,  C09D183/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：JP6364060B2

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：JP2016226361

申请日：2016-11-21

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： ジョン・クン・パク ,  ミンキ・リー ,  エイミー・エム・クォック ,  フィリップ・ディー・フスタッド

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0273 ,  C08F297/02 ,  C09D125/08 ,  C09D133/10 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/033

公开(公告)号：JP2018022889A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017142489

申请日：2017-07-24

申请人： ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ,  ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： フィリップ・ディー・フスタッド ,  ジョン・パク ,  ジェチアン・ジャン ,  ヴィプル・ジェイン ,  ジン・ウク・サン

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C08F293/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0274 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C09D153/00 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  C08F220/34 ,  C08F2220/1825

摘要： 【課題】最先端技術に関連した1つ以上の問題に対処し、かつ電子デバイス製作における微細パターンの形成を可能にする改善されたフォトレジストパターン収縮方法を提供する。 【解決手段】基板100上に第1の組成物102を配置することであって、第1の組成物は、第1のブロック103及び第2のブロック104を含む第1のブロックコポリマーであって、第1のブロックは、水素受容体または水素供与体を含有する繰り返し単位を含み、第2のブロックは、第1のブロックの繰り返し単位が水素受容体である場合にはブロックされた供与体を、または第1のブロックの繰り返し単位が水素供与体である場合にはブロックされた受容体を含有する繰り返し単位を含む、第1のブロックコポリマーと、溶媒とを含む、配置することと、ブロックされた受容体またはブロックされた供与体を脱保護剤で脱保護することと、を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6254648B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2016149326

申请日：2016-07-29

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC ,  ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： マシュー・ソーセス ,  ズーラ・ニアジンベトワ ,  イー・チン ,  ジュリア・ウォーティンク ,  ジョアンナ・ディジウィゼック ,  エリック・レディングトン ,  マーク・ルフェーブル

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H05K3/064 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D7/00 ,  C25D7/123 ,  G03F7/405 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13147 ,  H05K1/111 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/09209 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP2017161898A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2017029901

申请日：2017-02-21

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： ケビン・ローウェル ,  コン・リュー ,  チェン−バイ・スー ,  アーヴィンダー・カー ,  ジョン−クン・パク

IPC分类号： C08F212/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F1/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

摘要： 【課題】半導体デバイスの製造において、微細リソグラフィーパターンの形成に有用な、フォトレジストパターントリミング組成物及びフォトレジストパターンをトリミングする方法を提供する。 【解決手段】フォトレジストパターントリミング組成物は、0.26の規定度の水性テトラメチル水酸化アンモニウム溶液中で可溶性であるポリマーと、溶媒系と、を含み、溶媒系は、溶媒系に基づいて50〜98重量%の合計量の1つ以上のモノエーテル溶媒を含む。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017138514A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016020151

申请日：2016-02-04

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 王 暁 偉 ,  長 原 達 郎

IPC分类号： H01L21/027 ,  C08G77/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405

摘要： 【課題】レジストパターンの耐熱性を向上させ、かつ溶剤に対する溶解性を下げることができる、塗布性に優れた表面処理用組成物の提供。また、その表面処理用組成物を用いたレジストパターンの表面処理方法、ならびにその表面処理用組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。 【解決手段】溶媒と、前記溶媒に可溶なポリシロキサン化合物とを含んでなり、前記ポリシロキサン化合物を構成するケイ素原子が、窒素で置換された炭化水素基と結合し、前記炭化水素基中のケイ素原子と直接結合している原子が炭素原子であることを特徴とする、レジストパターンの表面処理用組成物。また、その組成物を用いた表面処理方法、ならびにレジストパターンの形成方法。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017107188A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016226361

申请日：2016-11-21

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： ジョン・クン・パク ,  ミンキ・リー ,  エイミー・エム・クォック ,  フィリップ・ディー・フスタッド

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0273 ,  C08F297/02 ,  C09D125/08 ,  C09D133/10 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0206

摘要： 【課題】電子デバイス製作時の微細パターンの形成を可能にする改善されたパターン処理法を提供する。 【解決手段】(a)表面上にパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供することと、(b)パターン処理組成物をパターン形成特徴部に塗布することであって、パターン処理組成物が、パターン形成特徴部の表面と結合を形成するための表面付着基を含むポリマーと、溶媒と、を含み、パターン処理組成物が架橋剤を含まない、塗布することと、(c)第1のすすぎ剤で基板から残留パターン処理組成物を除去して、パターン形成特徴部の表面上に結合したポリマーのコーティングを残すことと、(d)第1のすすぎ剤とは異なる第2のすすぎ剤で、ポリマーでコーティングされたパターン形成特徴部をすすぐことであって、ポリマーが、第2のすすぎ剤よりも第1のすすぎ剤中でより高い溶解度を有する、すすぐことと、を含む、パターン処理法。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017513233A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016561817

申请日：2015-04-08

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

发明人： ジェイ デビリアーズ，アントン ,  ジェイ デビリアーズ，アントン

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/76816

摘要： 本願の技術は、複数の接触開口をパターニングする方法等の、基板をパターニングする方法を含む。本願の技術を使用すると、概ね1〜30ナノメーター又はより小さな寸法の範囲内にある選択可能な幅を有するスロット状の接触開口及び他の開口を生成することができる。方法は、ダブルパターニングスキームの一部として光酸の拡散長によって定義された幅を有する複数のトレンチを生成するステップを含む。これらのトレンチは、その後、埋められ、別個のマスクが、トレンチの複数のセグメントを絶縁するのに使用される。セグメントが押し出し成形された結果、のちに金属化される複数のスロット状の接触開口が形成される。これらの複数のスロット状の接触は、リソグラフィー露光技術によって定義された長さと光酸の拡散長によって定義された幅を有する。

公开(公告)号：JP6134619B2

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：JP2013190735

申请日：2013-09-13

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 榎本 雄一郎 ,  上羽 亮介 ,  白川 三千紘 ,  古谷 創 ,  後藤 研由 ,  小島 雅史

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/20 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

公开(公告)号：JPWO2015146524A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2016510193

申请日：2015-03-04

申请人： Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

发明人： 真義 石川 ,  真義 石川 ,  博允 田中 ,  博允 田中 ,  智晴 河津 ,  智晴 河津 ,  準也 鈴木 ,  準也 鈴木 ,  智昭 瀬古 ,  智昭 瀬古 ,  嘉夫 滝本 ,  嘉夫 滝本

IPC分类号： G03F7/42 ,  C08L83/04 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  G03F7/405 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144

摘要： 本発明は、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程、上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程、及び塩基性水溶液により上記ケイ素含有膜を除去する工程を有し、上記ケイ素含有膜形成工程の後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜を酸又はフッ素化合物を含有する処理液により処理する工程を有しないパターン形成方法である。上記ケイ素含有膜は、下記式(1)で表される化合物を全ケイ素化合物中60モル%以上含む組成物の加水分解縮合物から形成されることが好ましい。SiX4(1)(式(1)中、Xは、ハロゲン原子又は−OR2である。R2は、1価の有機基である。)