公开(公告)号：JPWO2015115665A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2015560078

申请日：2015-02-03

申请人： 国立大学法人大阪大学

发明人： 克昭 菅沼 ,  克昭 菅沼 ,  至成 長尾 ,  至成 長尾 ,  哲ミン 呉 ,  哲ミン 呉

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014

摘要： 本発明の接合構造体(100)は、基板(110)と、金属膜(120)と、半導体素子(130)とを備える。基板(110)、金属膜(120)、および、半導体素子(130)は、この順番に積層されている。前記金属膜(120)を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散したものであり、前記基板(110)と前記半導体素子(130)とが前記金属膜(120)を介して接合されている。