電子素子及びその製造方法並びに磁気抵抗素子

    公开(公告)号:JP2020043165A

    公开(公告)日:2020-03-19

    申请号:JP2018167801

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 【課題】Si(001)単結晶基板上に電子素子層を設ける際のB2構造下地層の表面が、より平坦化された、磁気抵抗素子等の電子素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板と、下地層と、電子素子層とが、順に積層された積層構造を有する電子素子であって、基板はシリコン(001)単結晶基板であり、下地層は、化学量論的組成よりAlを過剰に含むXAl(Xは、Ni及びCoから選択される1以上の金属)からなるB2型構造の単結晶の下地層である。 【選択図】図1A

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