レジストパターン形成方法
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021117264A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:JP2020008755

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 【課題】リソグラフィー特性が良好なレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(Pre−1a)で表される第1の高分子化合物前駆体を得る工程と、一般式(p1)で表される高分子化合物を得る工程と、前記高分子化合物と、有機溶剤とを混合してレジスト組成物を調製する工程等を含む、レジストパターン形成方法。式中、Rp 01 及びRp 04 は、水素原子等である。Vp 01 は、単結合又は2価の連結基である。Rp 02 及びRp 03 は、それぞれ炭化水素基である。Rp 05 は、アルキル基等である。Rp 06 は、脂肪族炭化水素基である。n 1 は0〜4の整数である。Ra 001 、Ra 002 及びRa 003 は、それぞれ独立に炭化水素基である。 [化1] 【選択図】なし

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