レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物

    公开(公告)号:JP2021033026A

    公开(公告)日:2021-03-01

    申请号:JP2019152373

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 【課題】感度が良好で、かつ、ラフネスが改善されたレジスト組成物、レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、レジスト組成物の樹脂成分として有用な高分子化合物、及び高分子化合物を製造するために有用な化合物の提供。 【解決手段】一般式(a0)で表される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を含む、レジスト組成物(式中、Ya 0 は炭素原子である。Xa 0 は、Ya 0 と共に単環式の炭化水素基を形成する基である。Ra 00 は炭化水素基である。ただし、Xa 0 及びRa 00 の少なくとも一つは、Ya 0 のα位に、炭素−炭素不飽和結合を構成する炭素原子を有している)。 【選択図】なし

    特殊構造パターンを創出するブロック共重合体の製造方法

    公开(公告)号:JP2020132694A

    公开(公告)日:2020-08-31

    申请号:JP2019024619

    申请日:2019-02-14

    Abstract: 【課題】自己組織化リソグラフィにより複雑な構造が形成できるブロック共重合体、相分離構造を含む構造体の製造方法の提供。 【解決手段】ケイ素原子を含まない構成単位(u1)の繰り返し構造を有する重合体からなる第1ブロック、及び、ケイ素原子を含む構成単位(u2)の繰り返し構造を有する重合体からなる第2ブロックを備え、第2ブロックは、一般式(u2−1)で表される構成単位(u21)の繰り返し構造を有する重合体からなるブロック(b21)を含み、ブロック共重合体を構成する全ブロックに対する第1ブロックの体積比は、42〜44体積%である、ブロック共重合体(R P211 は、極性基を有する有機基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はHであり、R P21 2 は、SHR t1 で表される化合物から誘導される基である。R t1 は、置換基を有してもよい炭素数1〜5の炭化水素基である)。 【選択図】なし

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