半導体装置および半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2017059757A

    公开(公告)日:2017-03-23

    申请号:JP2015185348

    申请日:2015-09-18

    Inventor: 難波 兼二

    Abstract: 【課題】 信頼性の向上と伝送ロスの低減とを実現することができる、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 凹部が形成されている回路基板と、電極が形成されている面が凹部の開口部の方向を向くように凹部内に収納される半導体素子と、凹部の側面から回路基板上まで形成される金属膜と、金属膜と電極とを接続するワイヤと、を備える半導体装置。 【選択図】 図1

    量子デバイス
    3.
    发明专利
    量子デバイス 审中-公开

    公开(公告)号:JP2022002236A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2020106150

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 【課題】端子数を確保しつつ、冷却効果を向上させることができる量子デバイスを提供する。 【解決手段】一実施の形態に係る量子デバイスは、量子チップ10と、量子チップが実装されたインターポーザ20と、を備え、インターポーザ20は、量子チップ10と導通した導通配線CL1と、冷却機能を有する試料台30との接触部分に設けられた金属膜70と、を含み、インターポーザ20の量子チップ10が実装された実装面21、または、実装面21の反対側の反対面22は、実装面21または反対面22に直交する方向から見て、第1領域AR11及び第1領域AR11と異なる第2領域AR12を有し、導通配線CL1は、実装面21または反対面22において、第1領域AR11に配置され、金属膜70は、実装面21または反対面22において、第2領域AR12に配置される。 【選択図】図1

    超電導装置、及びその製造方法
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021190565A

    公开(公告)日:2021-12-13

    申请号:JP2020094710

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 【課題】非接触結合で設計通りの入出力特性を得ることが可能な超電導装置、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】超電導装置は、超電導集積回路チップと、回路基板とを有している。超電導集積回路チップは、第1の超電導材料からなる第1の電極と、第1の非接触結合回路とを表面に有する。回路基板は、第2の電極と、第2の非接触結合回路とを表面に有する。第2の電極は、上面が平坦な、第1の所定の高さの突起部を有している。そして、突起部は、上面が平坦で第2の所定高さの突部を、第2の超電導材料からなる第1薄膜膜で覆い、第1薄膜を第2の超電導材料より展延性の高い第3の超電導材料からなる第2薄膜で覆った構造を有している。そして、突起部の上面は、第1の電極の表面と直接接合し、第1の非接触結合回路と第2の非接触結合回路とが対向配置している。 【選択図】 図1

    電子装置および接合方法
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019057686A

    公开(公告)日:2019-04-11

    申请号:JP2017182577

    申请日:2017-09-22

    Inventor: 難波 兼二

    Abstract: 【課題】熱応力や加重の影響を抑制し、接合部の信頼性を向上することができる電子装置を提供する。 【解決手段】電子装置を、半導体素子1と、回路基板2と、突起部3を備える構成とする。半導体素子1は、第1の電極4を有する。回路基板2は、第2の電極5を有する。突起部3は、第1の電極4または第2の電極5のいずれか一方の電極に複数、形成され、頂点が連続的に形成された凸部である。また、第1の電極4または第2の電極5に形成された突起部3の先端が、もう一方の電極に接合されている。 【選択図】 図1

    バンプ構造とバンプ接合構造およびバンプ製造方法
    6.
    发明专利
    バンプ構造とバンプ接合構造およびバンプ製造方法 审中-公开
    BUMP结构和BUMP结构结构以及制造BUMP的方法

    公开(公告)号:JP2016181555A

    公开(公告)日:2016-10-13

    申请号:JP2015059910

    申请日:2015-03-23

    Inventor: 難波 兼二

    CPC classification number: H01L2224/11

    Abstract: 【課題】センサ素子や半導体素子の電極の微細ピッチ化に際し、隣接するバンプ間のショート不良を抑制するバンプ接合を実現する。 【解決手段】本発明のバンプ構造は、電極上にシードメタル層を介して設けられた柱状バンプと、前記柱状バンプの側面を覆う金属被膜と、を有し、前記金属被膜は前記シードメタル層の成分を有し、前記金属被膜の上面は前記柱状バンプの上面と同一平面に存在する。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 要解决的问题:在形成传感器元件的微细间距电极和半导体元件时,实现抑制彼此相邻的凸块之间的短路故障的凸块接合。本发明的凸块结构包括柱状 通过屏蔽金属层设置在电极上的凸起,以及覆盖柱状凸起的侧面的金属涂层。 金属涂层具有屏蔽金属层的一部分,并且金属涂层的上表面与柱状凸起的顶面位于同一平面上。图示:图1

    量子デバイス及びその製造方法
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2022002237A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2020106151

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 【課題】冷却性能を低下させずに、外部に引き出せる端子の数を増加させることが可能な量子デバイス及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】量子デバイス100は、インターポーザ112と、量子チップ111と、インターポーザ112と量子チップ111との間に設けられ、インターポーザ112の配線層と量子チップ111の配線層とを電気的に接続する第1接続部130と、第1接続部130が配置されているインターポーザ112の主面に設けられ、冷却プレート115と接続された第2接続部140と、を備える。 【選択図】図1

    量子デバイス
    8.
    发明专利
    量子デバイス 审中-公开

    公开(公告)号:JP2022002234A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2020106148

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 【課題】外部へ接続する端子を確保することができる量子デバイスを提供する。 【解決手段】一実施の形態に係る量子デバイスは、量子チップ10と、量子チップ10が実装されたインターポーザ20と、インターポーザ20に対向して配置され、可動ピン47及び可動ピン47を支持するハウジング45を含むソケット40と、を備え、可動ピン47におけるインターポーザ20の端子に電気的に接触した一端及び一端の反対側の他端のうち、少なくとも一端は、ハウジング45に対して可動であり、他端は、外部への入出力となるコネクタ51が形成されたボード50の端子に電気的に接する。 【選択図】図1

    量子デバイス
    9.
    发明专利
    量子デバイス 审中-公开

    公开(公告)号:JP2022002233A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2020106147

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 【課題】端子数を確保しつつ、冷却効果を向上させることができる量子デバイスを提供する。 【解決手段】一実施の形態に係る量子デバイスは、量子チップ10と、量子チップ10が実装されたインターポーザ20と、を備え、インターポーザ20は、量子チップ10と導通した導通配線CL1を含み、インターポーザ20の量子チップ10が実装された実装面21、または、実装面21の反対側の反対面22は、実装面21または反対面22に直交する方向から見て、第1領域AR11及び第1領域AR11と異なる第2領域AR12を有し、導通配線CL1は、実装面21または反対面22において、第1領域AR11に配置され、冷却機能を有する試料台30から突出するように試料台30に対して可動な可動ピン61を含む可動部材60は、第2領域AR12において、インターポーザ20に接する。 【選択図】図1

    超電導装置、及びその製造方法
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021190567A

    公开(公告)日:2021-12-13

    申请号:JP2020094777

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 【課題】非接触結合で設計通りの入出力特性を得ることが可能な超電導装置、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】超電導装置は、超電導集積回路チップと、回路基板とを有している。超電導集積回路チップは、第1の超電導材料からなる第1の電極と、第1の非接触結合回路とを表面に有する。回路基板は、第2の超電導材料からなる第2の電極と、第2の非接触結合回路とを表面に有する。第2の電極は、上端面が平坦な、所定の高さの筒状の突起部を有している。そして、突起部の上端面は、第1の電極の表面と直接接合し、第1の非接触結合回路と第2の非接触結合回路とが対向配置している。 【選択図】 図1

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