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公开(公告)号：KR102223245B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140022414A
申请日：2014-02-26
申请人： 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드
发明人： 에프. 얍 웽
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/82 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85005 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L24/73 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511
摘要： 패키징된 반도체 디바이스는 제 1 주면, 제 2 주면, 제 1 주면과 제 2 주면 사이에 이어지는 제 1 바이어들(204), 제 1 주면에서 제 1 바이어들과 접촉하는 제 1 접촉 패드들(106), 제 2 주면에서 제 1 바이어들과 접촉하는 제 2 접촉 패드들(206) 및 제 1 주면과 제 2 주면 사이의 개구(110)를 포함한 기판(102)을 포함한다. 제 1 집적 회로(IC) 다이(502)는 기판 내의 개구 내에 배치된다. 제 2 IC 다이는 제 1 IC 다이 상에 설치된다. 전기 연결부들(602)은 제 2 IC 다이(502)와 제 2 접촉 패드들 사이에 형성된다. 제 1 전도층(802)은 제 1 IC 다이(302) 상의 접촉 패드들(304)과 제 1 접촉 패드들(206) 위에 있다. 인캡슐런트된 재료(604)는 제 1 IC 다이, 제 2 IC 다이, 전기 연결부들 주위의 기판의 제 2 주면 상에, 그리고 제 1 IC 다이의 에지들과 개구의 에지들 사이에 있다.
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公开(公告)号：JP2018188667A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018149222
申请日：2018-08-08
申请人： 日立化成株式会社
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
摘要： 【課題】低温においても優れた反応性を有し、なおかつ長期保存安定性に優れ、FO−WLP用半導体装置の封止に適した、圧縮成形用固形封止樹脂組成物及び半導体装置を提供する。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂と、(B)硬化剤と、(C)ホスフィン化合物及びキノン化合物の付加反応物とを成分とする圧縮成形用固形封止樹脂組成物。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6416454B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2012210260
申请日：2012-09-25
申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0077 , B81B7/0093 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/3677 , H01L24/96 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JPWO2017115731A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2016088553
申请日：2016-12-22
申请人： AGC株式会社
CPC分类号： C03C3/087 , B32B17/00 , B32B2457/14 , C03C3/083 , C03C3/085 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L24/96 , H01L2221/68372 , H01L2224/95001
摘要： 母組成として、酸化物基準のモル%表示で、SiO 2 :55%〜75%、Al 2 O 3 :2%〜15%、MgO:0%〜10%、CaO:0%〜10%、SrO:0%〜10%、BaO:0%〜15%、ZrO 2 :0%〜5%、Na 2 O:0%〜20%、K 2 O:5%〜30%を含み、アルカリ金属酸化物の合計含有量が10%〜30%であり、50℃〜350℃での平均熱膨張係数が11〜16ppm/℃であるガラス基板に関する。
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公开(公告)号：JP6394052B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2014097502
申请日：2014-05-09
申请人： 日亜化学工業株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/96 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/01322 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2018525807A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2017553208
申请日：2015-07-22
申请人： インテル・コーポレーション
发明人： ナイアー、ヴィジャイ ケー. , フ、チュアン , メイヤー、トーステン
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/00 , H01L23/12 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/065 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/73259 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/92224 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105
摘要： 本明細書に記載の実施形態は、システムインパッケージ(SiP)に関する。SiPは、第1活性面及び第1活性面と反対側の第1不活性面に対する1又は複数の第1機能コンポーネントの第1レイヤを有してよい。SiPは、さらに、それぞれ第2活性面及び第2活性面と反対側の第2不活性面を有する1又は複数の第2機能コンポーネントの第2レイヤを含んでよい。実施形態では、第1活性面の1又は複数は、スルーモールドビア又はシリコン貫通ビアを通じて第2活性面の1又は複数に向いて電気的に結合される。
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公开(公告)号：JP6384555B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2017033271
申请日：2017-02-24
申请人： 日立化成株式会社
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：JP2018519657A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017560208
申请日：2016-05-19
申请人： クアルコム,インコーポレイテッド
发明人： ディヴィッド・フレイザー・レイ , リザベス・アン・ケザー , レイナンテ・タムナン・アルヴァラド
CPC分类号： H01L21/768 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/37001 , H01L2224/83 , H01L2224/81
摘要： パッケージは、相互接続部を含む基板とそれらの相互接続部に結合された第1の素子とを有する構造体に近接したダイを含む場合がある。ダイは、フェースアップであってもフェースダウンであってもよい。パッケージは、ダイを構造体の相互接続部に結合する第1の再配線層、およびダイを覆うモールド複合材、場合によっては構造体を含む場合がある。
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公开(公告)号：JP6356395B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2013167058
申请日：2013-08-09
申请人： 日東電工株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3135 , B81B7/0019 , B81C1/00817 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2018517281A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017552118
申请日：2016-04-19
申请人： インテル アイピー コーポレーション
发明人： メイヤー、トーステン , ウォルター、アンドレアス
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/96 , H01L25/18 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0233 , H01L2224/02333 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/96 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要： 半導体デバイスのために高アスペクト比を有する誘電体を通した導電性パスが説明される。1つの例において、複数の導電性接続パッドは、基板に形成された回路に接続すべく、半導体基板上に形成される。導電性材料から構成されるポストは、接続パッドのサブセットの各々の上に形成される。誘電体層は、接続パッドおよびポストの上を含む半導体基板の上に形成される。穴は、ポストの直上の誘電体層を除去することにより形成される。形成された穴は、導電性材料で充填され、コネクタは各々の充填された穴の上に形成される。
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