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    ピロールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
    4.
    发明专利
    ピロールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 审中-公开
    抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包括吡咯酚醛清漆树脂

    公开(公告)号：JPWO2014208499A1

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：JP2015524037

    申请日：2014-06-23

    申请人： 日産化学工業株式会社

    发明人： 徹也 新城 ,  安信 染谷 ,  涼 柄澤 ,  裕和 西巻 ,  貴文 遠藤 ,  圭祐 橋本

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0268 ,  C09D161/00 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081

    摘要： 【課題】レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。【解決手段】下記式(1):【化1】(式(1)中、R3は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボニル基、炭素数6〜40のアリール基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数6〜40のアリール基、又は複素環基であり、R4は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜40のアリール基、又は複素環基であり、R3とR4はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。nは0乃至2の整数を示す。)の単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。式(1)のR3がベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環又はピレン環であり、R4が水素原子である。【選択図】なし

    摘要翻译： 阿与所选择比的小干蚀刻速度和半导体基板的抗蚀剂附近的选定比的干蚀刻速度，在比较与抗蚀剂具有小的干蚀刻速度的选择比进行比较，以提供优异的抗蚀剂下层膜 它可以是。 下式（1）：（在式（1）中，R3是氢原子，或卤素基团，硝基，氨基，羰基，碳原子数为6〜40的芳基，或羟基 任选取代的具有基团，或杂环基中有6〜40个碳原子的芳基，R 4是氢原子，或卤素基团，硝基，氨基，或可被羟基取代的碳原子数 C 1 -C 10烷基，具有6至40个碳原子，或杂环基芳基，R3和R4可以一起也与碳原子​​形成环它们所连接.N是 0以指示2点的整数。）的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含含有的单元结构的聚合物。 R3是式（1），萘环，蒽环或芘环的苯环，R 4为氢原子。 系统技术领域

    水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物
    5.
    发明专利
    水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物 有权
    含磺酸酯的抗蚀剂含有羟基下层膜形成用组合物的芳基

    公开(公告)号：JPWO2014129582A1

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：JP2015501518

    申请日：2014-02-21

    申请人： 日産化学工業株式会社

    发明人： 貴文 遠藤 ,  貴文 遠藤 ,  橋本　圭祐 ,  圭祐 橋本 ,  裕和 西巻 ,  裕和 西巻 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C07C211/63 ,  C07C309/42 ,  C07C309/43 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31133

    摘要： 【課題】焼成工程においてレジスト下層膜中から発生する昇華物量を低減し、且つエイジングを抑制することで高い保存安定性を有するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】【請求項1】下記式(1):【化1】(式中、Arはベンゼン環又はベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環を示し、m1は0乃至(2+2n)の整数であり、m2及びm3はそれぞれ1乃至(3+2n)の整数であり、(m1+m2+m3)は2乃至(4+2n)の整数を示す。ただし、nはベンゼン環の数又は芳香族炭化水素環において縮合したベンゼン環の数を表し、1乃至6の整数である。X+はNH4+、第1級アンモニウムイオン、第2級アンモニウムイオン、第3級アンモニウムイオン、第4級アンモニウムイオン、スルホニウムイオン、又はヨードニウムカチオンを示す。)で表される水酸基を有するアリールスルホン酸塩化合物を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】なし

    摘要翻译： 从在焙烧工序中的抗蚀剂下层膜的升华产生的产物的量降低，并提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物具有通过抑制老化具有高的储存稳定性。 根据权利要求1所述的方法]下述式（1）：（在式中，Ar表示芳香族烃环，其中一个苯环或一个苯环缩合时，m1是0至（2 + 2N） 一个整数的数，m2和m3分别为1〜（3 + 2N），整数的整数。这里，n是（M1 + M2 + M3）的苯环为2〜（4 + 2N） 或表示在芳香族烃环稠合的苯环的数目，NH 4 +，其中.X +为1〜6的整数，伯铵离子，二次铵离子，叔铵离子，季铵 离子，锍离子，或碘鎓阳离子。）含有具有由下式表示的羟基芳基磺酸酯化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物。 系统技术领域

    置換された架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物
    8.
    发明专利
    置換された架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物 审中-公开
    含有取代的交联化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

    公开(公告)号：JPWO2014208542A1

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：JP2015524057

    申请日：2014-06-24

    申请人： 日産化学工業株式会社

    发明人： 圭祐 橋本 ,  顕司 高瀬 ,  徹也 新城 ,  力丸 坂本 ,  貴文 遠藤 ,  裕和 西巻

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/11 ,  C07C39/10 ,  C07C43/1785 ,  C08G12/08 ,  C09D161/06 ,  C09D161/22 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  C08K5/13

    摘要： 【課題】昇華物の発生が少なく、ホールパターンを有する基板に塗布した時に埋め込み性が良好であり、高いドライエッチング耐性、ウイグリング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜、及びそれらを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂、及び下記式(1)又は式(2):【化1】(式中、Q1は単結合又はm1価の有機基を示し、R1及びR4はそれぞれ炭素原子数2乃至10のアルキル基、又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を有する炭素原子数2乃至10のアルキル基を示し、R2及びR5はそれぞれ水素原子又はメチル基を示し、R3及びR6はそれぞれ炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で示される架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】図1

    摘要翻译： 升华的较少出现，填充性良好时具有孔，高耐干蚀性，耐Uiguringu，在光刻工艺中使用具有耐热性的抗蚀剂下层膜，等等的图案施加到基底上，和它们的 提供一种使用一种制造半导体器件的方法。 的树脂，和下式（1）或式（2）：（式中，Q 1表示单键或m1价有机基团，R1和R4分别到2个碳原子是10 烷基，或具有具有含1至10个碳原子数的烷氧基含2-10个碳原子的烷基，R2和R5各自代表氢原子或甲基，R 3和R 6分别为1个-C 至10的烷基，或具有碳原子数6〜40的芳基）的抗蚀剂下层膜形成包含由表示的交联化合物的组合物。 点域1

    レジスト下層膜形成組成物
    9.
    发明专利
    レジスト下層膜形成組成物 有权
    抗蚀剂下层膜形成用组合物

    公开(公告)号：JPWO2013168610A1

    公开(公告)日：2016-01-07

    申请号：JP2014514686

    申请日：2013-04-26

    申请人： 日産化学工業株式会社

    发明人： 貴文 遠藤 ,  貴文 遠藤 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本 ,  徳昌 藤谷 ,  徳昌 藤谷

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G59/58 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G63/00 ,  C08G73/101 ,  C09D167/00 ,  C09D175/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

    摘要： 【課題】レジストパターンとの密着性を向上させたレジスト下層膜を形成するための組成物を提供する。【解決手段】下記式(1a)、式(1b)又は式(2)で表される構造を末端に有するポリマー及び有機溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基等の有機基を表し、前記炭化水素基は置換基としてヒドロキシ基又はメチルチオ基を少なくとも1つ有してもよく、R4は水素原子又はヒドロキシ基を表し、Q1はアリーレン基を表し、vは0又は1を表し、yは1乃至4の整数を表し、wは1乃至4の整数を表し、x1は0又は1を表し、x2は1乃至5の整数を表す。)【選択図】なし

    摘要翻译： 用于形成抗蚀剂下层膜提供的组合物具有改善的抗蚀剂图案之间的粘附。 式（1a），式（1b）或抗蚀剂下层膜形成用组合物包含聚合物和具有以下结构的式（2）的端部的有机溶剂。 （式中，R 1表示氢原子或甲基，R2和R3各自独立地表示有机基团如氢原子或烃基，该烃基是羟基或甲硫作为取代基 可以是至少一个具有的基团，R 4表示氢原子或羟基，Q 1表示亚芳基，v表示0或1，y表示1〜4的整数，w为1至 的整数的4，X 1表示0或1，X 2是。表示1〜5的整数）装置技术领域