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    ガス供給制御方法
    5.
    发明专利
    ガス供給制御方法 有权
    燃气供应控制方法

    公开(公告)号：JP2016201530A

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：JP2015249894

    申请日：2015-12-22

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 大野 久美子 ,  辻本 宏 ,  澤地 淳 ,  網倉 紀彦 ,  佐々木 則和 ,  川口 由考

    IPC分类号： G05D7/06 ,  H01L21/3065

    摘要： 【課題】チャンバ内に速やかに所望の流量のガスを供給する。 【解決手段】圧力制御式流量計と、圧力制御式流量計の上流側の第1バルブと、下流側の第2バルブとを用いたガス供給制御方法であって、圧力制御式流量計は、第1及び第2バルブとに接続されるコントロールバルブと、コントロールバルブと第2バルブとの間に設けられるオリフィスとを有し、オリフィス及びコントロールバルブ間のガス供給管の容積V 1 とオリフィス及び第2バルブ間のガス供給管の容積V 2 とはV 1 /V 2 ≧9であり、オリフィス及びコントロールバルブ間のガス供給管の圧力P 1 とオリフィス及び第2バルブ間のガス供給管の圧力P 2 とは、ガスを供給する間P 1 >2×P 2 に維持され、第1のバルブを開き、コントロールバルブを制御した状態で第2バルブの開閉制御によりガスの供給を制御する、ガス供給制御方法が提供される。 【選択図】図4

    摘要翻译： 气体的供给及时期望的流速进入腔室。 和压力控制的流量计，以及压力控制式流量计的上游侧的第一阀，使用第二阀下游压力控制式流量计的气体供应控制方法， 连接到所述第一和第二阀的控制阀具有控制阀和第二阀，孔口和控制阀V1和孔口和第二之间的气体供给配管的容积之间设置节流孔 阀之间的气体供给配管的容积V2为V1 / V2≧9中，压力P1和孔口和在孔口和控制阀，所述气体之间的气体供给管的所述第二阀之间的气体供给管的压力P2 保持P1> 2×P2电源之间，打开第一阀控制气体通过打开和在控制所述控制阀的状态下关闭所述第二阀的控制供给，提供的气体供给控制的方法。 点域4

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    6.
    发明专利
    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 有权
    等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：JP2016027592A

    公开(公告)日：2016-02-18

    申请号：JP2014186820

    申请日：2014-09-12

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 舟久保 隆男 ,  芳賀 博文 ,  狐塚 慎一 ,  小澤 亘 ,  坂本 晃浩 ,  谷口 直樹 ,  辻本 宏 ,  大野 久美子

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3299

    摘要： 【課題】ステップ切り替え後に速やかにプラズマを安定させ、適切なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】 制御装置16は、第1ステップにおいて、高周波発生源1を第1エネルギー条件で駆動し、第2ステップにおいて、高周波発生源1を第2エネルギー条件で駆動する。第1ステップと、第2ステップの切り替わり時刻よりも先に、ガス供給システム11から処理容器8内に供給されるガス種を切り替え、切り替え直後の初期期間のガス流量を、初期期間経過後の安定期間におけるガス流量よりも大きく設定する。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够在切换步骤之后快速稳定等离子体，以便能够进行适当的等离子体处理。解决方案：本文所公开的控制器16在第一步骤中驱动 高频发生源1处于第一能量状态，并且在第二步骤中，在第二能量条件下驱动高频发生源1。 在第一步骤和第二步骤的切换时间之前，控制器将从气体供应系统11供应的气体物质切换到处理容器8中，并且在切换之后的初始阶段中设定气体流量大于 在初始时间段之后的稳定期间的气体流量。选择图：图1

    基板洗浄装置及び基板洗浄方法
    8.
    发明专利
    基板洗浄装置及び基板洗浄方法 审中-公开
    基板清洗装置和基板清洗方法

    公开(公告)号：JP2016219647A

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：JP2015104392

    申请日：2015-05-22

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 吉田 亮一 ,  辻本 宏 ,  大野 久美子 ,  チューン・ホアンアン ,  斎藤 道茂 ,  佐藤 大樹

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/304

    摘要： 【課題】異物による基板の表面の汚染を防止することができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】基板洗浄装置10は、ウエハWを裏面側から支持するステージ12と、支持されたウエハWの表面を覆い、且つウエハWの表面との間においてギャップGを維持するカバー13と、支持されたウエハWの裏面側のベベル部14へ向けてガスクラスター25を照射するガスクラスターシャワー15とを備え、カバー13は、ウエハWの中心部に対向する位置において、ギャップGに向けて開口するダウンフローガス噴出口19を有する。 【選択図】図1

    摘要翻译： 提供一种能够防止在基板的表面的污染，由于异物的基板清洗装置。 一种基板清洗装置10包括一个台12用于从背面侧支承晶片W，一个盖13，以保持支持覆盖晶片W的表面之间的间隙G，并且在晶片W表面， 朝向由气体团簇淋浴15用于照射气体团簇25支撑晶片W的背面侧的斜面部分14，盖13处于相对于晶片W的中心部的位置，朝向的间隙G开口 具有下流式气体喷孔19。 点域1