公开(公告)号：JP4136939B2

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：JP2003560984

申请日：2003-01-09

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 義博 原 ,  照人 大西 ,  明 浅井 ,  晴之 空田 ,  岳 菅原

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/933

公开(公告)号：JP3874747B2

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：JP2003289893

申请日：2003-08-08

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 義博 原 ,  昌治 宇田川 ,  護 荒屋敷

IPC: H03G3/30 ,  H04B1/04 ,  H03F1/02 ,  H03F3/19 ,  H03F3/24 ,  H04B7/005

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/025 ,  H04W52/52

Abstract: The object of the present invention is to provide a transmitting apparatus and a transmitting power control method that can provide excellent power efficiency and a wide control range of transmitting output power, and a radio communication apparatus employing the transmitting apparatus. At the time of high output power, a high- frequency power amplifier (5) is operated as a nonlinear amplifier, whereby power efficiency when a transmitting signal is power- amplified can be enhanced. Further, at the time of low output power, the high- frequency power amplifier (5) is operated as a linear amplifier, whereby the control range of the transmitting output power can be extended. Still further, when the high- frequency power amplifier (5) is operated as a nonlinear amplifier, by varying the input level of the high- frequency power amplifier (5) according to the average output power of the transmitting signal by the variable gain amplifier (7), it is possible to reduce leak power and to extend the control range of the transmitting output power.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种发送装置和发送功率控制方法，其能够提供优异的功率效率和广泛的发送输出功率的控制范围，以及采用发送装置的无线通信装置。 在高输出功率时，高频功率放大器（5）作为非线性放大器工作，从而可以提高发射信号被功率放大的功率效率。 此外，在低输出功率时，高频功率放大器（5）作为线性放大器工作，从而能够扩展发送输出功率的控制范围。 此外，当高频功率放大器（5）作为非线性放大器工作时，通过根据可变增益放大器（5）的发送信号的平均输出功率来改变高频功率放大器（5）的输入电平 （7）中，可以减少泄漏功率并扩大发送输出功率的控制范围。

公开(公告)号：JP3735960B2

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：JP23633496

申请日：1996-09-06

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 信行 上村 ,  雄三郎 伴 ,  義博 原 ,  明彦 石橋 ,  雅博 粂 ,  義晃 長谷川

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323

公开(公告)号：JPWO2003060992A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：JP2003560984

申请日：2003-01-09

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 義博 原 ,  義博 原 ,  浅井　明 ,  明 浅井 ,  菅原　岳 ,  岳 菅原 ,  空田　晴之 ,  晴之 空田 ,  大西　照人 ,  照人 大西

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/933

Abstract: Si基板1上に、バッファ層2、SiGe層3およびSiキャップ層4を形成する。基板上にマスクを形成してパターニングを行なうことにより、Si基板1に到達してSiGe層3の側面を露出するトレンチ7aを形成する。ここで、トレンチ7aの側面に750℃、1時間の熱処理を行なうと、SiGe層3のうち表面部に含まれるGeが蒸発する。これにより、SiGe層3のうちトレンチ7aに露出する部分付近には、Geの組成比がSiGe層3のうちの他の部分より低いGe蒸発部8が形成される。その後、トレンチ7aの側面を酸化する。

公开(公告)号：JPWO2002086976A1

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：JP2002584391

申请日：2002-04-18

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 井上　彰 ,  彰 井上 ,  高木　剛 ,  剛 高木 ,  義博 原 ,  義博 原 ,  実 久保 ,  実 久保

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: 傾斜SiGe−HDTMOSの半導体層30は、上部Si膜12、Siバッファ層13、Si1−xGex膜14、及びSiキャップ層15から構成されている。半導体層30のうちソース領域20aとドレイン領域20bとの間の領域には、高濃度のn型Siボディ領域22と、n−−Si領域23と、Siキャップ領域25と、SiGeチャネル領域24とが設けられている。Si1−xGex膜14のGe組成比xは、Siバッファ層13からSiキャップ層15に向かって、増大する組成となっている。p型HDTMOSにおいては、基板電流のうち電子電流成分が減少する。

公开(公告)号：JP3792003B2

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：JP10911497

申请日：1997-04-25

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 信行 上村 ,  義博 原 ,  勲 木戸口 ,  明彦 石橋 ,  雅博 粂 ,  義晃 長谷川

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

公开(公告)号：JP3681540B2

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：JP16380698

申请日：1998-06-11

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 信行 上村 ,  雄三郎 伴 ,  義博 原 ,  勲 木戸口 ,  明彦 石橋 ,  雅博 粂 ,  歩 辻村 ,  義晃 長谷川

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

公开(公告)号：JPWO2006118055A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：JP2007514682

申请日：2006-04-21

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 義博 原 ,  義博 原 ,  滋 森本 ,  森本　　滋 ,  松浦　徹 ,  松浦　　徹 ,  足立　寿史 ,  寿史 足立 ,  薫 石田 ,  石田　　薫

IPC: H04B1/04 ,  H04B1/44

CPC classification number: H04B1/406 ,  H04B1/0483

Abstract: 電力効率が良好なマルチモード動作の無線送信装置を提供する。高周波信号処理回路101の無線GSM/EDGE(UB)信号形成回路101−3から出力された変調信号は、GSM変調信号出力時は高周波電力増幅器104に、EDGE変調信号出力時は高周波電力増幅器105に出力されるようにスイッチ115、117を切り替える。これにより、EDGE変調信号を、EDGE変調信号と最大出力電力や包絡線変動の有無に関して親和性のあるUMTS変調信号用の高周波電力増幅器105を使用して電力増幅するので、EDGE変調方式の無線信号を高効率で電力増幅できるようになる。

公开(公告)号：JPWO2004070847A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：JP2005504907

申请日：2004-02-09

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 義博 原 ,  義博 原 ,  高木　剛 ,  剛 高木

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/783 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092

Abstract: 半導体基板の上に設けられた第1導電型の不純物を含むボディ領域を有する半導体層と、半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、半導体層のうち、ゲート電極の側下方に位置する領域に設けられ、第2導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域とを備え、ゲート電極とボディ領域とが電気的に短絡されている電界効果トランジスタであって、半導体層からソース領域及びドレイン領域を除いた領域のうち、ソース領域またはドレイン領域との接合部の少なくとも一部は、ボディ領域のうちソース領域及びドレイン領域との接合部を除く部分よりも高濃度で第1導電型の不純物を含んでいる。

公开(公告)号：JPWO2003098698A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：JP2004506091

申请日：2003-05-19

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 井上　彰 ,  彰 井上 ,  浅井　明 ,  明 浅井 ,  大西　照人 ,  照人 大西 ,  空田　晴之 ,  晴之 空田 ,  義博 原 ,  義博 原 ,  高木　剛 ,  剛 高木

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78621

Abstract: 本発明の半導体装置及びその製造方法は、半導体基板の所定領域(110)の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上にゲート電極(G)を形成し、所定領域(110)の平面視におけるゲート電極(G)の両側に位置する部分にそれぞれソース領域及びドレイン領域(2)を形成し、所定領域(110)のうちのソース領域及びドレイン領域(2)を除く領域からなるボディ領域(4)とゲート電極(G)とを電気的に接続するコンタクト(C1)を形成し、コンタクト(C1)のゲート電極(G)への接続部分を、平面視においてゲート電極(G)に交差するように形成する。