中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

25 records (took 0.034 seconds)

    発光装置
    1.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018073835A

    公开(公告)日：2018-05-10

    申请号：JP2017211508

    申请日：2017-11-01

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 丸山 純矢 ,  高山 徹 ,  福本 由美子 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H05B33/02

    Abstract: 【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。 【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板1210に選択的に金属酸化物1250が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 【選択図】図26

    表示装置
    2.
    发明专利
    表示装置 有权
    显示器

    公开(公告)号：JP2016048701A

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：JP2016004093

    申请日：2016-01-13

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  後藤 裕吾 ,  福本 由美子

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02

    CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/707 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/0054 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2933/0016

    Abstract: 【課題】剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う半導体装置 の方法を提供する。 【解決手段】第1の基板上に金属膜を形成し、金属膜に接して珪素を有する絶縁膜を形成 すると金属膜の表面には酸化金属膜が形成されている。そして、絶縁膜上に薄膜トランジ スタ等の半導体素子を形成する。第1の接着剤を用いて、半導体素子上に第2の基板を固 定し、かつ第1の基板を分離し、第2の接着剤を用いて、半導体素子下にフィルム基板等 の第3の基板を固定し、かつ第2の基板を分離するときに、紫外線を照射することによっ て、第1の接着剤の粘着性の低下又は剥離と、第2の接着剤の硬化とを同時に行う。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种简化剥离处理并均匀地对大基材进行剥离和转录的半导体装置的方法。解决方案：当在第一基板上形成金属膜，然后形成含有硅的绝缘膜时 与金属膜接触时，在金属膜的表面上形成氧化物金属膜。 在绝缘膜上形成诸如薄膜晶体管的半导体元件。 当通过使用第一粘合剂将第二基板固定在半导体元件上并且第一基板被分离时，并且通过使用第二粘合剂将第三基板（例如薄膜基板）固定在半导体元件下方，并且第二基板被分离 的第一粘合剂的粘合性或剥离性以及第二粘合剂的硬化同时通过紫外线的照射进行。选择图：无

    発光装置
    3.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020123724A

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：JP2020029217

    申请日：2020-02-25

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  福本 由美子

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

    Abstract: 【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥 離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを 可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体 装置およびその作製方法を提供することを課題とする。 【解決手段】基板上に金属層11を設け、さらに前記金属層11に接して酸化物層12を 設け、さらに被剥離層13を形成し、前記金属層11をレーザー光で照射することで酸化 を行い、金属酸化物層16を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層12の層内または 金属酸化物層16と酸化物層12との界面において、きれいに分離することができる。 【選択図】図1

    半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2016058756A

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：JP2016003111

    申请日：2016-01-11

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 荒井 康行 ,  石川 明 ,  高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  後藤 裕吾 ,  福本 由美子 ,  江波戸 祐子

    IPC: H01L29/786 ,  G06K19/07 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336

    CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

    Abstract: 【課題】シリコンウェハからなるICチップは厚いため商品容器自体に搭載する場合、表 面に凹凸が生じ、デザイン性が低下してしまった。そこで非常に膜厚の薄い薄膜集積回路 、及び薄膜集積回路を有するICチップ等を提供する。 【解決手段】薄膜集積回路を有するICチップは、従来のシリコンウェハにより形成され る集積回路と異なり、半導体膜を能動領域(例えば薄膜トランジスタであればチャネル形 成領域)として備えることを特徴とする。このようなICチップは非常に薄いため、カー ドや容器等の商品へ搭載してもデザイン性を損ねることがない。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有薄膜集成电路的具有超薄膜的薄膜集成电路，IC芯片等，以解决当由硅晶片制成的IC芯片安装在 产品容器本身，由于IC芯片厚，表面上出现不规则的现象以降低设计性能。解决方案：具有薄膜集成电路的IC芯片包括作为有源区域的半导体膜（例如， 薄膜晶体管的情况）与由硅晶片形成的常规集成电路不同。 由于这种IC芯片非常薄，即使将IC芯片安装在诸如卡片和容器的产品上，也不会损害设计特性。图示：图6

    発光装置
    7.
    发明专利
    発光装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020024425A

    公开(公告)日：2020-02-13

    申请号：JP2019175600

    申请日：2019-09-26

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 丸山 純矢 ,  高山 徹 ,  福本 由美子 ,  山崎 舜平

    IPC: G09F9/30

    Abstract: 【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。 【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板1210に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板に選択的に金属酸化物1250が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 【選択図】図26

Patent Agency Ranking