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公开(公告)号：JP2016058756A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2016003111
申请日：2016-01-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G06K19/07 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L21/336
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 【課題】シリコンウェハからなるICチップは厚いため商品容器自体に搭載する場合、表 面に凹凸が生じ、デザイン性が低下してしまった。そこで非常に膜厚の薄い薄膜集積回路 、及び薄膜集積回路を有するICチップ等を提供する。 【解決手段】薄膜集積回路を有するICチップは、従来のシリコンウェハにより形成され る集積回路と異なり、半導体膜を能動領域(例えば薄膜トランジスタであればチャネル形 成領域)として備えることを特徴とする。このようなICチップは非常に薄いため、カー ドや容器等の商品へ搭載してもデザイン性を損ねることがない。 【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有薄膜集成电路的具有超薄膜的薄膜集成电路，IC芯片等，以解决当由硅晶片制成的IC芯片安装在 产品容器本身，由于IC芯片厚，表面上出现不规则的现象以降低设计性能。解决方案：具有薄膜集成电路的IC芯片包括作为有源区域的半导体膜（例如， 薄膜晶体管的情况）与由硅晶片形成的常规集成电路不同。 由于这种IC芯片非常薄，即使将IC芯片安装在诸如卡片和容器的产品上，也不会损害设计特性。图示：图6
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017224862A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017177230
申请日：2017-09-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G06K19/077 , H01L21/336
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 【課題】シリコンウェハからなるICチップは厚いため商品容器自体に搭載する場合、表 面に凹凸が生じ、デザイン性が低下してしまった。そこで非常に膜厚の薄い薄膜集積回路 、及び薄膜集積回路を有するICチップ等を提供する。 【解決手段】薄膜集積回路を有するICチップは、従来のシリコンウェハにより形成され る集積回路と異なり、半導体膜を能動領域(例えば薄膜トランジスタであればチャネル形 成領域)として備えることを特徴とする。このようなICチップは非常に薄いため、カー ドや容器等の商品へ搭載してもデザイン性を損ねることがない。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP5723935B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2013164852
申请日：2013-08-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , G06K19/077 , H01L21/02
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1214
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公开(公告)号：JP5953355B2
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：JP2014211594
申请日：2014-10-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , G06K19/07 , H01L21/336
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1214
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公开(公告)号：JP6045544B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2014202761
申请日：2014-10-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 石川 明
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/08 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , H05B33/22 , H05B33/12 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/1368 , H01L21/84 , H01L24/97 , H01L27/124 , G02F1/133305 , G02F2001/13613 , H01L2221/68368 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025
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公开(公告)号：JP6538789B2
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：JP2017177230
申请日：2017-09-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G06K19/077 , H01L21/336
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