荷電粒子ビーム制御装置
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021034269A

    公开(公告)日:2021-03-01

    申请号:JP2019154512

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 【課題】信号検出精度を向上させた荷電粒子ビーム制御装置を提供すること。 【解決手段】荷電粒子ビーム制御装置(検出ブロック)112は、荷電粒子ビーム装置の内部に設けられ、荷電粒子ビームが照射されることにより試料106から放出される二次電子107を検出し、検出した二次電子107に基づく電気信号を出力する検出器108と、電気信号を伝送する信号配線205と、荷電粒子ビーム装置内で発生するノイズ信号201を検出するノイズ検出用配線206と、電気信号からノイズ信号201を減算した信号を生成する演算回路110と、を備えている。 【選択図】図2

    パターン計測方法、計測システム、及びコンピュータ可読媒体

    公开(公告)号:JPWO2020095346A1

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2018041036

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本開示は、試料の材質やパターン密度等が異なる場合であっても、高精度に試料上に形成された凹部の深さを計測する方法、システム、及びコンピュータ可読媒体に関する。この目的を達成するために、計測ツールを用いて試料上に形成された凹部を含む領域の画像或いは輝度分布を取得し、当該取得された画像或いは輝度分布から、凹部内部の第1の特徴と、凹部の寸法或いは面積に関する第2の特徴を抽出し、当該抽出された第1の特徴と第2の特徴を、第1の特徴、第2の特徴、及び凹部の深さ指標値の関係を示すモデルに入力することによって、凹部の深さ指標値を導く方法、計測システム、及びコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を格納する非一時的なコンピュータ可読媒体を提案する。

    荷電粒子線装置
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2020059114A1

    公开(公告)日:2021-08-30

    申请号:JP2018035048

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 光利用効率を向上し得るライトガイドを用いた荷電粒子線装置を提供する。荷電粒子線装置は、荷電電粒子が入射すると光を発光するシンチレータ10と、受光素子12と、シンチレータ10より発生した光を受光素子12に導くライトガイド11を有する検出器16を備える。ライトガイド11は、シンチレータ10の発光面に対向して配置されシンチレータ10で発光した光を入射する入射面11a、受光素子12に対向して配置され光を出射する出射面11b、及び、入射面11aに対向し且つ入射面11aから入射した光を出射面11bの方向へ反射するように入射面11aに対して傾斜して配置された反射面11c1と、を備え、出射面11bは入射面11aよりも小さく、入射面11aと出射面11bの間に、反射面11c1と対向し且つ入射面11aに対して傾斜して配置された斜面11dを備える。

    荷電粒子ビーム装置
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020177925A

    公开(公告)日:2020-10-29

    申请号:JP2020126129

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 【課題】本発明は、試料から放出される荷電粒子の検出角度範囲を広範囲にカバーする荷電粒子線装置の提供を目的とする。 【解決手段】本発明によれば、荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを集束する対物レンズと、試料から放出された荷電粒子を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置であって、前記対物レンズは、コイル(5)を包囲するように形成された内側磁路と外側磁路(6)を含み、前記内側磁路は、前記荷電粒子ビームの光軸に対向する位置に配置される第1の内側磁路(905)と、前記荷電粒子ビームの光軸に向かって傾斜して形成され、磁路先端を含む第2の内側磁路(7)から構成され、前記磁路先端を通過すると共に、前記荷電粒子ビーム光軸に平行な仮想直線(901)より外側に、前記検出器の検出面(10)が配置される荷電粒子線装置を提案する。 【選択図】図9

Patent Agency Ranking