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    電力増幅回路
    2.
    发明专利
    電力増幅回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017103643A

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：JP2015235983

    申请日：2015-12-02

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 嶋本 健一

    IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/68 ,  H04B1/04 ,  H03F3/24

    CPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/303 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/516 ,  H03F2200/555

    摘要： 【課題】ゲイン特性の劣化を抑制しつつ、消費電流を低減する。 【解決手段】電力増幅回路は、第1の信号がベース又はゲートに入力され第1の信号を増幅した第2の信号をコレクタ又はドレインから出力する第1の増幅トランジスタと、第1の増幅トランジスタのベース又はゲートに第1のバイアス電流を供給する第1のバイアス回路と、を備え、第1のバイアス回路は、エミッタ又はソースから第1のバイアス電流を出力する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのエミッタ又はソースと接地との間の電気的接続を制御する第1の制御回路と、を備え、第1の制御回路は、直列に接続された第1の抵抗素子及び第1のスイッチ素子を備え、第1のスイッチ素子は、第1の電力モードの場合はオンとなり、第1の電力モードにおける出力電力より低い出力電力において動作する第2の電力モードの場合はオフとなる。 【選択図】図2

    電力増幅モジュール
    3.
    发明专利
    電力増幅モジュール 有权
    功率放大器模块

    公开(公告)号：JP2015195566A

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：JP2014255478

    申请日：2014-12-17

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 嶋本 健一 ,  田中 聡 ,  松岡 正

    IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/24

    CPC分类号： H03F1/0222 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/30 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555

    摘要： 【課題】低電圧駆動が可能であり、温度特性を改善可能な電力増幅モジュールを提供する。 【解決手段】電力増幅モジュールは、ベースに入力される無線周波数信号を増幅して出力する第1のバイポーラトランジスタT1と、制御電流を出力する電流源300と、電流源の出力端と接続され、制御電流のうちの第1の電流がコレクタに入力される第2のバイポーラトランジスタT2と、出力端と接続され、制御電流のうちの第2の電流に応じた制御電圧V CTRL を生成する制御電圧生成回路R1、R2と、ドレインに電源電圧が供給され、ソースが第1のバイポーラトランジスタのベースと接続され、ゲートに制御電圧が供給される第1のFETF1と、ドレインに電源電圧が供給され、ソースが第2のバイポーラトランジスタのベースと接続され、ゲートに制御電圧が供給される第2のFETF2と、を備える。 【選択図】図3

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够进行低电压驱动和改善温度特性的功率放大器模块。解决方案：功率放大器模块包括：第一双极晶体管T1，用于放大并输出要输入到基极的射频信号; 用于输出控制电流的电流源300; 连接到电流源的输出端的第二双极晶体管T2，具有输入控制电流的第一电流的集电极; 控制电压产生电路R1，R2，其连接到输出端并产生对应于控制电流的第二电流的控制电压V; 第一FET F1，其中电源电压被提供给漏极，源极连接到第一双极晶体管的基极，并且控制电压被提供给栅极; 以及第二FET F2，其中电源电压被提供给漏极，源极连接到第二双极晶体管的基极，并且控制电压被提供给栅极。

    電力増幅回路
    5.
    发明专利
    電力増幅回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019176454A

    公开(公告)日：2019-10-10

    申请号：JP2018142909

    申请日：2018-07-30

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 田原 健二 ,  嶋本 健一 ,  土田 茂 ,  佐俣 充則 ,  祐森 義明

    IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/06

    摘要： 【課題】電力付加効率が向上した電力増幅回路を提供する。 【解決手段】電力増幅回路1は、増幅トランジスタ20と、可変電圧Vcc2を増幅トランジスタ20のコレクタに供給する可変電圧電源11と、増幅トランジスタ20のベースへ直流バイアス電流を出力する定電流増幅トランジスタ220を有するバイアス回路22と、直流バイアス電流を制限する電流制限回路23とを備え、電流制限回路23は、電流制限トランジスタ230と、電流制限トランジスタ230のコレクタおよび可変電圧電源11に接続された抵抗素子232と、電流制限トランジスタ230のベースおよび定電流増幅トランジスタ220のベースに接続された抵抗素子231とを有し、基準電圧と可変電圧との電位差が大きいほど、定電流増幅トランジスタ220のベースから電流制限トランジスタ230のコレクタへ流れる直流制限電流を大きくする。 【選択図】図1

    電力増幅回路
    8.
    发明专利
    電力増幅回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021013142A

    公开(公告)日：2021-02-04

    申请号：JP2019127825

    申请日：2019-07-09

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 嶋本 健一

    IPC分类号： H03F1/52 ,  H03F3/24

    摘要： 【課題】過大電圧による増幅器の破壊を抑制する電力増幅回路を提供する。 【解決手段】電力増幅回路10は、入力信号RFinを増幅して増幅信号RF1を出力する増幅器201と、増幅器201の後段に設けられ、増幅信号RF1を増幅して増幅信号RF2を出力する増幅器202と、増幅器201と増幅器202との間の信号線路203と接地との間に設けられ、増幅信号RF1の振幅を抑制するクランプ回路300と、を備える。 【選択図】図1

    電力増幅モジュール
    9.
    发明专利
    電力増幅モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020072468A

    公开(公告)日：2020-05-07

    申请号：JP2019120645

    申请日：2019-06-28

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 嶋本 健一

    IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/02

    摘要： 【課題】電源電圧が低い領域において他の領域よりも消費電流を低減することができる電力増幅モジュールを提案すること。 【解決手段】電力増幅モジュールは、第1信号を増幅する第1増幅器と、第1増幅器の出力信号に基づいた第2信号を増幅する第2増幅器と、バイアス駆動信号に基づいて、電流経路を通じて第1増幅器にバイアス電流を供給する第1バイアス回路と、調整回路と、を備え、調整回路は、電源電圧に基づいた第1電圧が供給される第1端子、バイアス駆動信号に基づいた第2電圧が供給される第2端子、及び電流経路に接続される第3端子を有する調整トランジスタを含み、第1増幅器に供給される電源電圧に基づいてバイアス電流を調整する。 【選択図】図1

    半導体装置
    10.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018032848A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：JP2017121506

    申请日：2017-06-21

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 佐々木 健次 ,  嶋本 健一

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L21/822

    CPC分类号： H03F1/301 ,  H01L23/367 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/082 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17519 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00012

    摘要： 【課題】単位トランジスタの最高温度の低下又は温度ばらつきの低減を実現する。 【解決手段】半導体装置は、第1方向の第1辺及び第2方向の第2辺を有する主面を有する半導体基板と、半導体基板の第1辺側の領域に形成された複数のトランジスタ列と、複数のバンプと、を備え、複数のバンプは第1方向の長さが長い第1及び第2バンプを含み、第1辺と第1バンプとの距離は第1辺と第2バンプとの距離に比べて短く、複数のトランジスタ列は第1及び第2トランジスタ列を含み、第1トランジスタ列は、第1バンプに重なるように第1方向に沿って配置された複数の第1単位トランジスタを有し、第2トランジスタ列は、第2バンプに重なるように第1方向に沿って配置された複数の第2単位トランジスタを有し、半導体基板の主面の平面視において、第1単位トランジスタ1つ当たりの第1バンプの面積は、第2単位トランジスタ1つ当たりの第2バンプの面積より大きい。 【選択図】図1