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公开(公告)号：JP6427077B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2015148599
申请日：2015-07-28
CPC分类号： H03F1/0216 , H02M3/155 , H02M2001/0045 , H03F1/0222 , H03F1/0227 , H03F1/025 , H03F1/0255 , H03F1/0277 , H03F3/082 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/45071 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/102 , H03F2200/111 , H03F2200/429 , H03F2200/504 , H03F2200/511 , H03F2200/555 , H03F2200/78 , H03F2203/7209 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
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公开(公告)号：JP2018523420A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2018506826
申请日：2016-08-05
申请人： レイセオン カンパニー
发明人： カーパー,ヴァレリー,エス.
CPC分类号： H03F1/086 , H03F1/223 , H03F1/301 , H03F3/193 , H03F2200/18 , H03F2200/181 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： 多段増幅器(10”)は、カスコード増幅器構成にて配置された一対のトランジスタ、及びアイソレーション回路、を有する第1の増幅器段(12)と、第1の増幅器段の出力に結合された第2の増幅器段(13)と、基準トランジスタを有するバイアスレギュレータ(14)とを有する。カスコード増幅器段は、カスコード増幅器構成にて配置された一対のトランジスタを含む。バイアスレギュレータ(14)は、基準トランジスタを流れる基準電流を生成するとともに、カスコード増幅器構成をした一対のトランジスタの各トランジスタの制御電極のための及び第2段のトランジスタのためのDCバイアス電圧を、基準トランジスタを流れる基準電流の関数として生成する。
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公开(公告)号：JP2017538363A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017531903
申请日：2015-12-14
发明人： コルビシュレイ、フィル
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45632 , H03F3/45188 , H03F3/45941 , H03F2200/18 , H03F2200/24 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/555 , H03F2200/75 , H03F2203/45036 , H03F2203/45072 , H03F2203/45074 , H03F2203/45088 , H03F2203/45101 , H03F2203/45134 , H03F2203/45136 , H03F2203/45174 , H03F2203/45202 , H03F2203/45208 , H03F2203/45244 , H03F2203/45424 , H03F2203/45434 , H03F2203/45702
摘要： トランジスタの差動対6、8と、テールトランジスタ10と、を備えたロングテール対トランジスタ構成2と、自回路のフィードバック電流を変化させことによって複製電圧を基準電圧に一致させるように構成された複製回路4と、を備える差動増幅器であって、複製回路4のフィードバック電流を変化させることによって、ロングテール対トランジスタ構成2のテールトランジスタ10に、テールトランジスタ10を流れるテール電流を制御するバイアス電圧を供給し、ロングテール対トランジスタ構成2の同相電圧を決定する。【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017184116A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016071197
申请日：2016-03-31
申请人： 株式会社村田製作所
发明人： 後藤 聡
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： 【課題】回路面積の増大を抑制しつつ、キャパシタの個数を増加させる電力増幅回路を提供する。 【解決手段】電力増幅回路は、第1のメタル層と、第1の絶縁層と、第2のメタル層と、第2の絶縁層と、第3のメタル層とが順に積層された容量素子であって、第1のメタル層を一方の電極、第2のメタル層を他方の電極とする第1のキャパシタと、第2のメタル層を一方の電極、第3のメタル層を他方の電極とする第2のキャパシタと、を備える容量素子と、無線周波数信号を増幅するトランジスタと、を備え、第1のキャパシタの一方の電極に無線周波数信号が供給され、第1のキャパシタの他方の電極と、第2のキャパシタの一方の電極とがトランジスタのベースに接続され、第2のキャパシタの他方の電極がトランジスタのエミッタに接続される。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP6094783B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2016544987
申请日：2015-04-30
申请人： 株式会社村田製作所
CPC分类号： H03F1/30 , H03F1/301 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2200/528 , H03F2200/555
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公开(公告)号：JPWO2014132577A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2014543036
申请日：2014-02-07
申请人： パナソニック株式会社
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/223 , H03F3/08 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/3028 , H03F2200/171 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H04B1/0475 , H04B2001/0408
摘要： 回路規模の増大及び消費電力の増大を抑制し、容易に奇数次高調波を抑制する増幅器を提供すること。この増幅器は、複数のゲートフィンガーを有するMOSトランジスタ、または単一のゲートフィンガーを有する複数のMOSトランジスタを具備する増幅器であって、前記ゲートフィンガーの各々に付加された容量性誘電体と、交流信号を入力するゲートの入力端子及び前記ゲートの入力端子の間に接続された可変抵抗と、を有し、前記可変抵抗、前記ゲートフィンガーの各々のゲート抵抗、及び、前記容量性誘電体により、所望の周波数特性を有する複数のローパスフィルタを形成し、前記ゲートの入力端子からOD(Oxide Diffusion)領域境界までの各々のゲートフィンガーの幅または長さが異なる。
摘要翻译： 抑制增加电路尺寸和功率消耗的增加，容易提供抑制放大器的奇次谐波。 该放大器，具有多个栅指的或具有多个具有单个栅指MOS晶体管的放大器，和一个电容的电介质加入到每个栅指的MOS晶体管中，AC信号， 安达连接在输入门的输入端子和上述栅极的输入端之间的可变电阻器，所述可变电阻器，每一个栅极指的栅极电阻，并且，由电容电介质的，期望 多个具有各栅极的输入端子的栅极指的频率特性，宽度或长度，直到OD（氧化物扩散）的低通滤波器的形式的区域边界是不同的。
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公开(公告)号：JP2016225756A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015109040
申请日：2015-05-28
申请人： 三菱電機株式会社
发明人： 平間 哲也
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/0205 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/45479 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/468 , H03F2200/555
摘要： 【課題】低消費電力かつ良好な特性を有する多段増幅器を提供する。 【解決手段】多段増幅器10は、初段増幅器11と、2段目増幅器12と、最終段増幅器13と、初段増幅器11に電流バイアスを供給するバイアス回路31と、最終段増幅器13に電流バイアスを供給するバイアス回路32とを備えている。中間ノード150の電位変動を抑制するように中間ノード150を流れる電流の量を調整する調整回路を設ける。実施の形態1では、2段目増幅器12がこの調整回路の役割を担う。2段目増幅器12には、自己バイアス型CMOSインバータを好ましく適用することができる。バイアス回路31は、回路温度の上昇に応じてバイアスの大きさが増大するように、初段増幅トランジスタTr1、Tr2、Tr3のゲートに電流バイアスを供給する。 【選択図】図3
摘要翻译： 以提供具有低功耗和优异的特性的多级放大器。 一种多级放大器10包括第一级放大器11，第二级放大器12，提供给末级放大器13，偏置电路31提供电流偏置到所述第一级放大器11，电流偏置到最终级放大器13 和偏置电路32。 的调整电路，用于通过中间节点150的调整流动的电流的量，从而抑制中间节点150的电势变化。 在第一实施例中，第二级放大器12起着这个调整电路的作用。 第二级放大器12，可以优选地应用到自偏压型CMOS反相器。 偏压电路31，作为偏压的大小以响应增加以增加电路的温度，供给电流偏压到所述第一级放大器晶体管TR1，TR2，Tr3的栅极。 点域
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公开(公告)号：JP6049673B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2014222927
申请日：2014-10-31
申请人： 株式会社東芝
发明人： 高木 一考
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/555
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公开(公告)号：JP2016165085A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2015045237
申请日：2015-03-06
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/18 , H03F1/42 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/604 , H03F3/607 , H03F3/72 , H03F2200/27 , H03F2200/315 , H03F2200/36 , H03F2200/42 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/519 , H03F2200/555 , H03F2200/75 , H03F2203/7227
摘要： 【課題】出力電力を維持し、少ないサイズ増加で、高遮断周波数の分布型増幅器の実現。 【解決手段】入力側伝送線路と、M(M:2以上の整数)組の増幅回路と、M組の出力側伝送線路と、合成回路と、を有し、入力側伝送線路は、それぞれが同一線路長のM×N(N:2以上の整数)個の単位伝送線路31-1-31-2Nを直列に接続した入力側直列線路と、入力側終端抵抗32と、を有し、M組の増幅回路はそれぞれN個の増幅器33-1A-33-NA,33-1B-33-NBを有し、i(i:1以上、M以下の整数)番目の組のN個の増幅器は、((k−1)M+i)(k:1以上、N以下の整数)番目の入力側直列線路の入力ノードを入力とし、出力側伝送線路は、N個の増幅器の出力間に直列に接続され、各段の増幅器の出力の位相が一致する線路長を有するN個の伝送線路34-1A-34-NA,34-1B-34-NBを含む出力側直列線路を有する分布型増幅器。 【選択図】図5
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种分布式放大器，其保持输出功率并且随着尺寸的增加而增加截止频率。解决方案：分布式放大器包括输入侧传输线，M（M是等于或大于 2）放大器电路组，M组输出侧传输线，以及组合电路。 输入侧传输线包括：串联M×N（N是等于或大于2的整数）的单元传输线31-1至31-2N形成的输入侧串联线，其中线 长度彼此相等：和输入侧终端电阻32.M组放大器电路中的每一个包括N个放大器33-1A至33-NA和33-1B至33-NB。 （（i）是等于或大于1且等于或小于M的整数）N个放大器的集合定义了（（k-1）M + i）th（（k））的输入节点， 是等于或大于1且等于或小于N的整数）输入侧串联线作为输入。 输出侧传输线包括输出侧串联线，其包括在N个放大器的输出之间串联连接的N个传输线34-1A至34-NA和34-1B至34-NB，并且具有这样的线长度： 放大器的输出阶段分阶段匹配。选择图：图5
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公开(公告)号：JP5827759B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2014554645
申请日：2014-06-17
申请人： 旭化成エレクトロニクス株式会社
CPC分类号： H03F1/56 , G01P15/12 , G01P15/123 , G01P3/44 , G01P3/487 , G01R27/02 , H03F3/45071 , H03F3/45475 , H03F3/45932 , H03F2200/261 , H03F2200/294 , H03F2200/504 , H03F2200/555 , H03F2203/45138 , H03F2203/45336 , H03F2203/45528 , H03F2203/45591 , H03F2203/45592
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