KR20210033090A - Microwave amplification circuit

    公开(公告)号:KR20210033090A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:KR1020190113984A

    申请日:2019-09-17

    IPC分类号: H03F1/56 H03F1/12 H03F3/193

    摘要: 본 발명의 실시 예에 따른 입력 신호를 증폭시키기 위한 증폭 회로는 입력 신호를 수신하도록 구성되는 입력 정합 회로 및 증폭 회로의 동작 주파수 대역 밖에서 입력 신호에 대한 이득을 감쇄시키도록 구성되는 입력 감쇄 회로를 포함하는 입력단; 입력단으로부터 제공되는 입력 신호를 증폭시키도록 구성되는 트랜지스터; 및 트랜지스터에 의해 증폭된 신호를 수신하도록 구성되는 출력 정합 회로 및 증폭 회로의 동작 주파수 대역 밖에서 입력 신호에 대한 이득을 감쇄시키도록 구성되는 출력 감쇄 회로를 포함하는 출력단을 포함하고, 입력 감쇄 회로는 접지 전압에 각각 연결된 제 1 저항 및 제 2 저항, 입력 정합 회로 및 제 2 저항 사이에 연결된 제 1 수동 소자, 그리고 제 1 수동 소자와 제 1 저항 사이에 연결된 제 2 수동 소자를 포함하고, 그리고 제 1 수동 소자는 인덕터 및 커패시터 중 하나이고 그리고 제 2 수동 소자는 인덕터 및 커패시터 중 다른 하나이다.

    電力増幅モジュール
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018117217A

    公开(公告)日:2018-07-26

    申请号:JP2017006036

    申请日:2017-01-17

    发明人: 長谷 昌俊

    IPC分类号: H03F3/68 H03F3/24

    摘要: 【課題】高出力電力及び高い線形性を実現する電力増幅モジュールを提供する。 【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を分配する分配回路と、第1増幅器と、第2増幅器と、合成部において入力信号の増幅信号を出力する合成回路と、第1増幅器と第2増幅器の間を接続する抵抗素子と、抵抗素子に並列接続された第1キャパシタとを備え、合成回路は、第1増幅器の出力端子と合成部の間に直列接続された第1インダクタと、第2増幅器の出力端子と合成部の間に直列接続された第2インダクタと、一端が合成部に接続され、他端が接地された第2キャパシタとを備え、第1増幅器の出力端子から合成部を経由して第2増幅器に至る第3信号の位相は、第1インダクタ及び第2キャパシタにおいて略45度遅れ、第2インダクタ及び第2キャパシタにおいて略45度遅れ、第1増幅器の出力端子から第1キャパシタを経由して第2増幅器に至る第3信号の位相は略90度進む。 【選択図】図1

    電力増幅モジュール
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018032951A

    公开(公告)日:2018-03-01

    申请号:JP2016163064

    申请日:2016-08-23

    IPC分类号: H03F3/189

    摘要: 【課題】素子のばらつきがあっても高調波終端回路の特性劣化が抑制される電力増幅モジュールを提供すること。 【解決手段】電力増幅モジュールは、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅器と、増幅器の後段に設けられ、増幅信号の高調波成分を減衰させる高調波終端回路であって、少なくとも1つのFETを備える高調波終端回路と、少なくとも1つのFETのゲート電圧を制御することにより、少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整する制御回路と、を備え、制御回路が少なくとも1つのFETの寄生容量の容量値を調整することにより、高調波終端回路の共振周波数が調整される。 【選択図】図1