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    温度付与装置及び温度付与方法
    2.
    发明专利
    温度付与装置及び温度付与方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021176201A

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：JP2021123074

    申请日：2021-07-28

    申请人： 株式会社東京精密

    发明人： 久保 祐一 ,  古谷田 昌信 ,  押田 修平 ,  成田 健司 ,  片岡 陵佑

    IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】ダイシングテープの拡張量の差による影響を受けることなくウェーハを個々のチップに円滑に分割することができる温度付与装置及び温度付与方法を提供する。 【解決手段】ウェーハが貼付されたダイシングテープを拡張することによりウェーハを個々のチップに分割する場合に生じるダイシングテープの拡張量の差を低減するための温度付与装置であって、ダイシングテープを含む雰囲気を冷却する雰囲気冷却手段と、ダイシングテープのうち、ウェーハが貼付された領域を局所的に加熱する局所加熱手段と、を備える。 【選択図】図9

    温度付与装置及び温度付与方法
    3.
    发明专利
    温度付与装置及び温度付与方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020155780A

    公开(公告)日：2020-09-24

    申请号：JP2020091104

    申请日：2020-05-26

    申请人： 株式会社東京精密

    发明人： 久保 祐一 ,  古谷田 昌信 ,  押田 修平 ,  成田 健司 ,  片岡 陵佑

    IPC分类号： H01L21/301

    摘要： 【課題】ダイシングテープの拡張量の差による影響を受けることなくウェーハを個々のチップに円滑に分割することができる温度付与装置及び温度付与方法を提供する。 【解決手段】ワーク分割装置10Cにおいて、ダイシングテープ4全体を含む雰囲気を冷却し、第1温度を付与する冷却エアー32と、ダイシングテープのうち、ウェーハ1が貼付された領域よりも外側の非分割領域の領域4Eを冷却エアーよりも低温の第2温度で局所的に冷却する冷却エアー28を備える。 【選択図】図7

    チップ強度の向上を図るレーザ加工システム及びレーザ加工方法
    5.
    发明专利
    チップ強度の向上を図るレーザ加工システム及びレーザ加工方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020074454A

    公开(公告)日：2020-05-14

    申请号：JP2020010218

    申请日：2020-01-24

    申请人： 株式会社東京精密

    发明人： 清水 翼 ,  押田 修平 ,  植木原 明 ,  藤田 隆

    IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/02 ,  B23K26/046 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】チップ強度の向上を図る。 【解決手段】レーザ発振器から出射されたパルスレーザ光を、集光レンズを経由して半導体ウェーハの裏面側からウェーハ内部に照射し、ウェーハ内部に一定間隔の独立した微小空孔を有する改質領域を形成する改質領域形成手段と、半導体ウェーハの裏面から改質領域を研削除去した際に、改質領域内の微小空孔から延びる亀裂が進展して半導体ウェーハの切断の起点となる位置に、改質領域の形成位置を調整する改質領域位置制御手段と、を備える。改質領域位置制御手段は、テーブルによる半導体ウェーハの相対的なZ方向位置調整手段と、圧電素子で構成されるZ微動手段によるコンデンスレンズ位置制御手段とを有する。 【選択図】図1

    抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法
    6.
    发明专利
    抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020025142A

    公开(公告)日：2020-02-13

    申请号：JP2019208031

    申请日：2019-11-18

    申请人： 株式会社東京精密

    发明人： 清水 翼 ,  押田 修平 ,  植木原 明 ,  藤田 隆

    IPC分类号： H01L21/301

    摘要： 【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。 【解決手段】抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置において、ウェーハの裏面側からウェーハの半分の厚みより深い位置にパルスレーザ光を集光して、ウェーハ内部に一定間隔の独立した改質領域を形成する改質領域形成手段と、パルスレーザ光の集光点から下に延びる微小亀裂を残し、ウェーハの裏面から集光点までのレーザ透過部分を研削して除去する研削手段と、研削後、微小亀裂を残しながら研削の加工歪を除去する研磨手段と、を有する。 【選択図】図1

    ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
    7.
    发明专利
    ウェハ加工方法及びウェハ加工システム 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018133593A

    公开(公告)日：2018-08-23

    申请号：JP2018097877

    申请日：2018-05-22

    申请人： 株式会社東京精密

    发明人： 清水 翼 ,  押田 修平 ,  植木原 明 ,  藤田 隆

    IPC分类号： B23K26/53 ,  H01L21/301

    摘要： 【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。 【解決手段】ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って、前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と、前記ウェハをチップ毎に分割することなく、前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する研削工程と、を備える。 【選択図】図14