公开(公告)号：JP2018046251A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2016182006

申请日：2016-09-16

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 横山 昇 ,  藤農 佑樹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 【課題】リーク電流を低減可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第1絶縁層と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、を有する。前記第1半導体領域は、第1方向に延びている。前記第2半導体領域は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第1半導体領域と隣接している。前記第2半導体領域は、第1空洞を有する。前記第1絶縁層は、前記第1空洞の表面に設けられている。前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域の上に設けられている。前記第3半導体領域の第2導電形のキャリア濃度は、前記第2半導体領域の第2導電形のキャリア濃度よりも高い。前記第4半導体領域は、前記第3半導体領域の上に選択的に設けられている。前記ゲート電極は、前記第3半導体領域とゲート絶縁層を介して対面している。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017054958A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015178458

申请日：2015-09-10

申请人： 株式会社東芝

发明人： 横山 昇 ,  佐藤 慎哉 ,  佐久間 智教

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： 【課題】スーパージャンクション構造の特性劣化を抑制することを可能とする半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1導電型半導体層と、半導体層の第1方向において、半導体層の一部と交互に位置し、第2導電型不純物領域が設けられた複数の第1領域と、第1方向において第1領域の間に位置し、第1導電型不純物領域と、第1導電型不純物領域と半導体層との間に位置する第1絶縁体材料とが設けられた第2領域と、第1領域と第2領域の間に設けられ、第2絶縁体材料が設けられた第3領域と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018198267A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2017102560

申请日：2017-05-24

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 藤農 佑樹 ,  横山 昇 ,  奥村 秀樹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 【課題】信頼性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1導電形の半導体層を形成する工程と、前記半導体基板及び前記半導体層にトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内壁面上及び底面上に第2導電形の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン窒化物を含む第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜の側面上及び底面上に、シリコン酸化物を含む第3絶縁膜を形成する工程と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017050423A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015173209

申请日：2015-09-02

申请人： 株式会社東芝

发明人： 佐久間 智教 ,  佐藤 慎哉 ,  横山 昇 ,  島田 視宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/4236

摘要： 【課題】n形半導体領域に含まれるn形不純物量と、p形半導体領域に含まれるp形不純物量と、の差を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1開口を形成する工程と、第2導電形の不純物をイオン注入する工程と、第2導電形の第3半導体層を形成する工程と、を有する。前記第1開口を形成する工程において、第1導電形の第1半導体層の上に設けられた第1導電形の第2半導体層に、第2方向に延び、第3方向において、上部の寸法が下部の寸法よりも長い第1開口を形成する。前記イオン注入する工程において、前記第1開口の前記下部の側面に、第2導電形の不純物をイオン注入する。前記第3半導体層を形成する工程において、前記第1開口の内部に前記第3半導体層を形成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016171232A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2015050766

申请日：2015-03-13

申请人： 株式会社東芝

发明人： 松田 志津江 ,  横山 昇

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 【課題】生産性を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、を有する。第1半導体領域は、第1部分と、第2部分と、を有する。第1部分は、第1方向に延びている。第2部分の第1方向に直交する第2方向の長さは、第1部分の第2方向の長さよりも長い。第2部分は、第1方向に延びている。第1部分と第2部分は、第1方向および第2方向に直交する第3方向において交互に設けられている。第3半導体領域の一部は、第2部分の間に位置している。第3半導体領域の第2導電形の不純物濃度は、第2半導体領域の第2導電形の不純物濃度よりも小さい。ゲート電極は、第2部分の上に設けられている。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够提高生产率的半导体器件及其制造方法。解决方案：根据实施例的半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区域; 第二导电类型的第二半导体区域; 第二导电类型的第三半导体区域; 第一导电类型的第四半导体区域; 栅电极; 和栅极绝缘层。 第一半导体区域具有第一部分和第二部分。 第一部分沿第一方向延伸。 第二部分的与第一方向正交的第二方向上的长度比第一部分的第二方向上的长度长。 第二部分沿第一方向延伸。 第一部分和第二部分在与第一方向和第二方向正交的第三方向上交替地设置。 第三半导体区域的一部分位于第二部分之间。 第三半导体区域中的第二导电类型的杂质浓度小于第二半导体区域中的杂质浓度。 栅电极设置在第二部分上。选择图：图1

公开(公告)号：JP2016163004A

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：JP2015043410

申请日：2015-03-05

申请人： 株式会社東芝

发明人： 佐藤 慎哉 ,  佐久間 智教 ,  横山 昇 ,  松田 志津江

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L21/2257

摘要： 【課題】歩留まりの向上が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】第1導電形の複数の第1半導体領域11と、第2導電形の複数の第2半導体領域12と、第2導電形の第3半導体領域13と、第1導電形の第4半導体領域14と、ゲート電極20と、ゲート絶縁層21と、を有する。第1半導体領域11は、第1方向に延びている。第1半導体領域11は、第1方向と交差する第2方向において複数設けられている。第2半導体領域12は、第1方向に延びている。第1半導体領域11と第2半導体領域12は、第2方向において交互に設けられている。少なくとも1つの第2半導体領域12は、空隙25を有する。空隙25を形成する面のうち少なくとも1つの面の面方位は、(100)である。ゲート絶縁層21は、第3半導体領域13とゲート電極20との間に設けられている。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供可以提高产量的半导体器件和半导体器件制造方法。解决方案：半导体器件包括：多个第一导电类型的第一半导体区域11; 多个第二导电类型的第二半导体区域12; 第二导电类型的第三半导体区域13; 第一导电类型的第四半导体区域14; 栅电极20; 和栅极绝缘层21.每个第一半导体区域11沿第一方向延伸。 多个第一半导体区域11沿与第一方向交叉的第二方向设置。 每个第二半导体区域12沿第一方向延伸。 第一半导体区域11和第二半导体区域12沿第二方向交替设置。 至少一个第二半导体区域12具有空腔25.形成空腔25的平面外的至少一个平面的平面方向为（100）。 栅极绝缘层21设置在第三半导体区域13和栅极电极20之间。选择的图示：图1

公开(公告)号：JP6817895B2

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：JP2017102560

申请日：2017-05-24

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 藤農 佑樹 ,  横山 昇 ,  奥村 秀樹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2015133444A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2014005065

申请日：2014-01-15

申请人： 株式会社東芝

发明人： 横山 昇

IPC分类号： F26B5/06 ,  H01L21/304

CPC分类号： F26B3/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67109

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を維持しながら、半導体基板に付着した水分を除去することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体製造装置は、半導体基板を収容するチャンバを備える。真空部は、チャンバ内を減圧する。加熱部は、半導体基板を加熱する。真空部は、チャンバ内を減圧することによって半導体基板に付着した水分を凍結させる。加熱部は、半導体基板を加熱して半導体基板において凍結した水分を昇華させる。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体制造装置和半导体器件制造方法，其可以在保持半导体器件的可靠性的同时去除附着在半导体衬底上的水分。解决方案：半导体制造装置包括：用于存储半导体衬底的室 ; 用于使腔室减压的真空部件; 以及用于加热半导体衬底的加热部件。 真空部通过对室减压而使附着在半导体基板上的水分冻结。 加热部件加热半导体衬底以使在半导体衬底上冷冻的水分升华。