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    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017054958A

    公开(公告)日：2017-03-16

    申请号：JP2015178458

    申请日：2015-09-10

    申请人： 株式会社東芝

    发明人： 横山 昇 ,  佐藤 慎哉 ,  佐久間 智教

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

    摘要： 【課題】スーパージャンクション構造の特性劣化を抑制することを可能とする半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1導電型半導体層と、半導体層の第1方向において、半導体層の一部と交互に位置し、第2導電型不純物領域が設けられた複数の第1領域と、第1方向において第1領域の間に位置し、第1導電型不純物領域と、第1導電型不純物領域と半導体層との間に位置する第1絶縁体材料とが設けられた第2領域と、第1領域と第2領域の間に設けられ、第2絶縁体材料が設けられた第3領域と、を備える。 【選択図】図1

    半導体装置の製造方法
    3.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017050423A

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：JP2015173209

    申请日：2015-09-02

    申请人： 株式会社東芝

    发明人： 佐久間 智教 ,  佐藤 慎哉 ,  横山 昇 ,  島田 視宏

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/4236

    摘要： 【課題】n形半導体領域に含まれるn形不純物量と、p形半導体領域に含まれるp形不純物量と、の差を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1開口を形成する工程と、第2導電形の不純物をイオン注入する工程と、第2導電形の第3半導体層を形成する工程と、を有する。前記第1開口を形成する工程において、第1導電形の第1半導体層の上に設けられた第1導電形の第2半導体層に、第2方向に延び、第3方向において、上部の寸法が下部の寸法よりも長い第1開口を形成する。前記イオン注入する工程において、前記第1開口の前記下部の側面に、第2導電形の不純物をイオン注入する。前記第3半導体層を形成する工程において、前記第1開口の内部に前記第3半導体層を形成する。 【選択図】図1

    半導体装置および半導体装置の製造方法
    4.
    发明专利
    半導体装置および半導体装置の製造方法 审中-公开
    半导体器件和半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2016163004A

    公开(公告)日：2016-09-05

    申请号：JP2015043410

    申请日：2015-03-05

    申请人： 株式会社東芝

    发明人： 佐藤 慎哉 ,  佐久間 智教 ,  横山 昇 ,  松田 志津江

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L21/2257

    摘要： 【課題】歩留まりの向上が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】第1導電形の複数の第1半導体領域11と、第2導電形の複数の第2半導体領域12と、第2導電形の第3半導体領域13と、第1導電形の第4半導体領域14と、ゲート電極20と、ゲート絶縁層21と、を有する。第1半導体領域11は、第1方向に延びている。第1半導体領域11は、第1方向と交差する第2方向において複数設けられている。第2半導体領域12は、第1方向に延びている。第1半導体領域11と第2半導体領域12は、第2方向において交互に設けられている。少なくとも1つの第2半導体領域12は、空隙25を有する。空隙25を形成する面のうち少なくとも1つの面の面方位は、(100)である。ゲート絶縁層21は、第3半導体領域13とゲート電極20との間に設けられている。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供可以提高产量的半导体器件和半导体器件制造方法。解决方案：半导体器件包括：多个第一导电类型的第一半导体区域11; 多个第二导电类型的第二半导体区域12; 第二导电类型的第三半导体区域13; 第一导电类型的第四半导体区域14; 栅电极20; 和栅极绝缘层21.每个第一半导体区域11沿第一方向延伸。 多个第一半导体区域11沿与第一方向交叉的第二方向设置。 每个第二半导体区域12沿第一方向延伸。 第一半导体区域11和第二半导体区域12沿第二方向交替设置。 至少一个第二半导体区域12具有空腔25.形成空腔25的平面外的至少一个平面的平面方向为（100）。 栅极绝缘层21设置在第三半导体区域13和栅极电极20之间。选择的图示：图1