公开(公告)号：JP5468496B2

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：JP2010188836

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  忠司 酒井 ,  雄一 山崎 ,  雅之 片桐 ,  真理子 鈴木 ,  真 和田

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP4799623B2

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：JP2009008437

申请日：2009-01-19

Applicant: 富士通セミコンダクター株式会社 ,  株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  信太郎 佐藤 ,  雄一 山崎 ,  雅之 片桐 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01J37/32422 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32357

Abstract: In the growth of carbon nanotubes, the aggregation of catalytic fine particles therefor is a problem. In order to realize the growth of carbon nanotubes into a high density, the carbon nanotube growing process includes a first plasma treatment step of treating a surface having catalytic fine particles with a plasma species generated from a gas which contains at least hydrogen or a rare gas without carbon element, a second plasma treatment step of forming a carbon layer on the surface of the catalytic fine particles by a plasma generated from a gas which contains at least a hydrocarbon after the first plasma treatment step, and a carbon nanotube growing step of growing carbon nanotubes by use of a plasma generated from a gas which contains at least a hydrocarbon after the second plasma treatment step.

公开(公告)号：JP4509639B2

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：JP2004129632

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  博昭 吉田 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

公开(公告)号：JP4476912B2

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：JP2005285592

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  博昭 吉田 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58

公开(公告)号：JP4267652B2

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：JP2006251810

申请日：2006-09-15

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  博昭 吉田 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01J61/54 ,  H01J61/06 ,  H01J61/88

CPC classification number: H01J61/0732 ,  H01J9/04 ,  H01J9/247 ,  H01J61/0735 ,  H01J61/12 ,  H01J61/302 ,  H01J61/82 ,  H01J61/827

公开(公告)号：JP3889411B2

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：JP2004162102

申请日：2004-05-31

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  博昭 吉田 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01J61/06 ,  H01J1/00 ,  H01J1/05 ,  H01J1/14 ,  H01J1/308 ,  H01J61/067 ,  H01J61/073

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

公开(公告)号：JP3878582B2

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：JP2003202124

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01J61/067 ,  H01J61/72 ,  H01J65/00

公开(公告)号：JP3637301B2

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：JP2001323997

申请日：2001-10-22

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  富男 小野 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01J65/00

公开(公告)号：JP5649494B2

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：JP2011065266

申请日：2011-03-24

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 佐久間　尚志 ,  尚志 佐久間 ,  酒井　忠司 ,  忠司 酒井 ,  雄一 山崎 ,  雄一 山崎 ,  片桐　雅之 ,  雅之 片桐 ,  鈴木　真理子 ,  真理子 鈴木 ,  和田　真 ,  真 和田

IPC: H01L21/3205 ,  C01B31/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

公开(公告)号：JP4869362B2

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：JP2009017687

申请日：2009-01-29

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 尚志 佐久間 ,  雄一 山崎 ,  雅之 片桐 ,  忠司 酒井 ,  真理子 鈴木

IPC: H01L23/522 ,  C01B31/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a carbon nanotube on a CoWP. SOLUTION: The method of manufacturing a carbon nanotube wiring structure includes: a plasma treatment step of plasma-treating a plating layer containing Co on a Cu wiring; an auxiliary catalyst providing step of providing an auxiliary catalyst for growing carbon nanotube to the Co-contained plating layer before or after the plasma treatment step; a heat treatment step of heat-treating the Co-contained plating layer and the auxiliary catalyst provided to the Co-contained plating layer after the plasma treatment step and the auxiliary catalyst providing step; and a carbon nanotube growing step in a plasma CVD method after the heat treatment step. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT