公开(公告)号：JP5209911B2

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：JP2007204514

申请日：2007-08-06

Applicant: イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company

Inventor： ロバート・ジヨセフ・ボーシヤード ,  ラプ−タク・アンドリユー・チエング ,  ジヨン・ジエラード・ラビン ,  デイビツド・ハーバート・ローチ

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01B1/24 ,  H01J1/00 ,  H01J1/02 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: This invention provides a process for improving the field emission of an electron field emitter comprised of an acicular emitting substance such as acicular carbon, an acicular semiconductor, an acicular metal or a mixture thereof, comprising applying a force to the surface of the electron field emitter wherein the force results in the removal of a portion of the electron field emitter thereby forming a new surface of the electron field emitter.

公开(公告)号：JP5151002B2

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：JP2004271802

申请日：2004-09-17

Applicant: 日亜化学工業株式会社

Inventor： 優 高島 ,  正敏 亀島 ,  寛人 玉置 ,  順司 武市 ,  嘉典 村崎 ,  晋平 木下

IPC: C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  C09K11/56 ,  C09K11/59 ,  C09K11/61 ,  C09K11/63 ,  C09K11/64 ,  C09K11/73 ,  C09K11/77 ,  C09K11/80 ,  H01J1/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/0883 ,  C09K11/565 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7736 ,  C09K11/7739 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7797 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Disclosed is a light-emitting device comprising a light-emitting element (10) which emits lights having a main emission peak wavelength in a range from near ultraviolet region to visible region and phosphors (11). The light-emitting device comprises two or more kinds of phosphors (11) which either have luminescent centers of direct transition type or are directly excited by the light-emitting element (10).

公开(公告)号：JP5150054B2

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：JP2006041260

申请日：2006-02-17

IPC: C08L91/00 ,  C08L101/00 ,  C09D5/22 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  C09D191/00 ,  C09D201/00 ,  C09K11/02 ,  H01B1/22 ,  H01B3/00 ,  H01J1/00

公开(公告)号：JP2011187452A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：JP2011111592

申请日：2011-05-18

Applicant: E I Du Pont De Nemours & Co ,  イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company

Inventor： BOUCHARD ROBERT JOSEPH ,  CHENG LAP-TAK ANDREW ,  LAVIN JOHN GERARD ,  ROACH DAVID HERBERT

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/00 ,  H01J1/02 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a cathode assembly including a process of forming an electron field emitter by printing paste, with the use of the screen printable paste configured of carbon nanotubes. SOLUTION: The method for manufacturing the cathode assembly including the electron field emitter is provided by forming an electron field emitter by using the paste which contains carbon nanotubes as a solid content and can perform screen printing, wherein the carbon nanotubes in the paste used for forming the electron field emitter is less than 9 wt.% to total weight of the solid content. Or, the method may include processes of: making the electron field emitter in contact with a material; removing a part of the electron field emitter by peeling off the material or realigning the electron field emitter; and forming a new surface of the electron field emitter. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造阴极组件的方法，包括通过印刷浆料形成电子发射体的工艺，使用由碳纳米管构成的丝网印刷浆料。 解决方案：制造包括电子场发射体的阴极组件的方法是通过使用包含碳纳米管作为固体含量并可进行丝网印刷的糊料形成电子场发射器来提供的，其中糊料中的碳纳米管 用于形成电子场发射体的固体成分的总重量小于9重量％。 或者，该方法可以包括以下过程：使电子场发射体与材料接触; 通过剥离材料或重新排列电子场发射器去除电子场发射器的一部分; 并形成电子场发射体的新表面。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4741764B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2001294940

申请日：2001-09-26

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 三千代 西村

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J1/00 ,  H01J1/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469

公开(公告)号：JP4546455B2

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：JP2006503150

申请日：2004-01-29

Applicant: ラクシム コーポレーション

Inventor： フレデリック エム． エスピュー ,  ヤン チャン

IPC: F21S2/00 ,  H05B41/24 ,  F21Y111/00 ,  H01J20060101 ,  H01J1/00 ,  H01J7/46 ,  H01J61/02 ,  H01J61/12 ,  H01J61/30 ,  H01J61/52 ,  H01J61/56 ,  H01J65/04 ,  H01P3/16 ,  H05B37/00 ,  H05B41/16 ,  H05B41/26

CPC classification number: H01J61/12 ,  H01J61/025 ,  H01J61/30 ,  H01J61/52 ,  H01J65/044 ,  H01P3/16 ,  Y02B20/22

公开(公告)号：JP2007518226A

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：JP2006546465

申请日：2004-12-23

Applicant: エス.エイ.イー.エス. ゲッターズ エス.ピー.エイ. ,  コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

Inventor： ロナルド ピー ティー カムプ ,  マークト ベニー ジェイ デ ,  クラウディオ ボフィト ,  レオ ジー ジェイ イー マリエン

IPC: H01J61/34 ,  H01J1/00 ,  H01J7/18 ,  H01J9/24 ,  H01J9/38 ,  H01J9/39 ,  H01J61/26 ,  H01J61/82

CPC classification number: H01J9/247 ,  H01J7/183 ,  H01J9/38 ,  H01J61/26 ,  H01J61/34 ,  H01J61/82

Abstract: 高圧放電ランプが、イオン化可能な充填物が設けられた放電空間（１３）を囲む放電容器（１１）が内設された外側エンベロープ（１）を持つ。 放電容器は、２つの互いに対向する首状部（２、３）を持ち、電流供給導体（４、５）が、首状部を通って、放電空間内の一対の電極（６、７）まで延在する。 電気絶縁材料の口金が放電容器を支持する。 口金は外側エンベロープも支持する。 2cc以下の容積を持つ外側エンベロープが、電流供給導体を囲み、気密に口金に接続される。 放電ランプの密封後、放電ランプの動作前に外側エンベロープから残留窒素をポンピングするためのゲッタ（１０）が、外側エンベロープ内に設けられている。 ゲッタ（１０）は少なくとも2.5mbar.mlの窒素を含む。 好ましくは、ゲッタは、ジルコニウムとアルミニウムの合金又はジルコニウムとコバルトの合金を含む。

公开(公告)号：JP3927972B2

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：JP2004191008

申请日：2004-06-29

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 洋一 安藤

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/00 ,  H01J1/05 ,  H01J1/14 ,  H01J1/62 ,  H01J9/18 ,  H01J9/24 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/86 ,  H01J29/87

CPC classification number: H01J9/242 ,  H01J1/316 ,  H01J9/185 ,  H01J29/028 ,  H01J29/864 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/864 ,  H01J2329/8645 ,  H01J2329/8655 ,  H01J2329/8665

公开(公告)号：JP2005347266A

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：JP2005163313

申请日：2005-06-02

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： KIM GENSHAKU ,  HA JAE-SANG ,  LEE JEONG-HEE ,  JEONG TAE-WON ,  KONG BYUNG-YUN

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/00 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter for a field emission and a manufacturing method for the same for lengthening a lifetime by interposing a UV-transmitting resistance layer between a substrate and the emitter. SOLUTION: The manufacturing method including a step of evaporating a transparent electrode 11 on a transparent substrate 10; a step of forming a resistance layer 12 on the transparent electrode 11 by laminating UV-transmitting resistance materials 12; a step of forming an emitter layer 13 on the resistance materials 12 by laminating carbon nanotube; and a step of patterning the emitter layer 13 by a prescribed emitter pattern. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供场发射用发射体及其制造方法，通过在基板和发射极之间插入UV透射电阻层来延长寿命。 解决方案：包括在透明基板10上蒸发透明电极11的步骤的制造方法; 通过层叠紫外线透射电阻材料12在透明电极11上形成电阻层12的步骤; 通过层叠碳纳米管在电阻材料12上形成发射极层13的步骤; 以及通过规定的发射极图案图案化发射极层13的步骤。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005150529A

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：JP2003388158

申请日：2003-11-18

Applicant: Elpida Memory Inc ,  Renesas Kodaira Semicon:Kk ,  Renesas Technology Corp ,  エルピーダメモリ株式会社 ,  株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス小平セミコン

Inventor： ASAKURA YOSHIHIRO ,  KAMIJO MASAYA ,  NAKANISHI AKIHIRO ,  WATANABE TOSHIHIKO ,  AIHARA SUSUMU

IPC: H01L21/60 ,  H01J1/00 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3426 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/4985 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/10681 ,  H05K2201/10757 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead for absorbing an iterative bending stress to be generated in a temperature cycle, and to provide its stress dealing method. SOLUTION: A pair of leads 1, a semiconductor element 2 mounted on each lead 1, a pair of leads 3, and a semiconductor element 4 mounted on each lead 3 are mounted on a printed circuit board 5. A semiconductor element connection terminal 1a of each lead 1 is extended from the semiconductor element 2 outward, and one end of an intermediate inclined part 1b of the lead 1 is bent inward so that a board connecting terminal 1c can be configured. Therefore, the overall length of the lead 1 is made long so that the stress can be distributed and absorbed, and that a tape carrier package can be made compact. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于吸收在温度循环中产生的迭代弯曲应力的引线，并提供其应力处理方法。 解决方案：安装在每个引线1上的一对引线1，安装在每个引线1上的半导体元件2，一对引线3和安装在每个引线3上的半导体元件4安装在印刷电路板5上。半导体元件连接 每个引线1的端子1a从半导体元件2向外延伸，引线1的中间倾斜部分1b的一端向内弯曲，从而可以构造板连接端子1c。 因此，引线1的整体长度变长，使得应力可以分布和吸收，并且可以使带状载体封装紧凑。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI