公开(公告)号：JP6246676B2

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：JP2014167886

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 石倉 太志 ,  梶田 明広 ,  酒井 忠司 ,  磯林 厚伸 ,  和田 真 ,  斎藤 達朗 ,  北村 政幸 ,  坂田 敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/544 ,  H01L21/28562 ,  H01L2223/54426 ,  H01L29/1606 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP2016174039A

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：JP2015052403

申请日：2015-03-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 和田 真 ,  山崎 雄一 ,  宮崎 久生 ,  梶田 明広 ,  斎藤 達朗 ,  磯林 厚伸 ,  石倉 太志 ,  片桐 雅之 ,  酒井 忠司

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C01B31/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885

Abstract: 【課題】グラフェン配線からドーパントが離脱し難い半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】触媒層14上にグラフェン膜を形成する工程と、グラフェン膜の一部を除去してグラフェン膜に露出した側面を形成する工程と、露出した側面からグラフェン膜中にドーパントを導入する工程と、ドーパントが導入されたグラフェン膜をパターニングしてグラフェン配線15aを形成する工程と、を備える。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种含有几乎不与石墨烯布线分离的掺杂剂的半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件的制造方法包括以下步骤：在催化剂层14上形成石墨烯膜; 通过去除一部分所述石墨烯膜形成暴露于所述石墨烯膜的侧面; 通过暴露的侧面将掺杂剂引入到石墨烯膜中; 以及通过图案化其中引入掺杂剂的石墨烯膜来形成石墨烯布线15a。选择图：图5

公开(公告)号：JP2016171245A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2015051162

申请日：2015-03-13

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 斎藤 達朗 ,  北村 政幸 ,  坂田 敦子 ,  和田 真 ,  梶田 明広 ,  酒井 忠司

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  C01B31/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885

Abstract: 【課題】低抵抗なグラフェン層を含む配線を備える半導体装置を提供すること。 【解決手段】半導体装置は配線10を含む。配線10は、触媒層301およびその上に設けられたグラフェン層400とを含む。触媒層301は触媒領域1C〜5Cを含む。触媒領域1C〜5Cはその順で第1の方向に沿って配置され、触媒領域1C〜5Cは隣り合うもの同士が接している。触媒領域1C,3C,5Cの上面は触媒領域2C,4Cの上面よりも高く、触媒領域1C,3Cの間の距離および触媒領域3C,5Cの間の距離はグラフェンの平均自由長以上である。 【選択図】 図2A

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有包括低电阻石墨烯层的布线的半导体器件。解决方案：半导体器件包括多个布线10.布线10包括催化剂层301和形成在其上的石墨烯层400。 催化剂层301包括催化剂区域1C至5C。 催化剂区域1C〜5C依次沿第一方向排列，催化剂区域1C〜5C分别邻接。 催化剂区域1C，3C和5C的上平面比催化剂区域2C和4C的上平面高。 催化剂区域1C和3C之间的距离以及催化剂区域3C和5C之间的距离大于石墨烯层的平均自由长度。选择图：图2A

公开(公告)号：JP5826783B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2013062590

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 坂田 敦子 ,  北村 政幸 ,  和田 真 ,  片桐 雅之 ,  山崎 雄一 ,  梶田 明広

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP5921475B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：JP2013060653

申请日：2013-03-22

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 斎藤 達朗 ,  和田 真 ,  磯林 厚伸 ,  梶田 明広

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  C01B31/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  B82Y10/00 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  B82Y40/00 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/94

公开(公告)号：JP2016046324A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：JP2014167886

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 石倉 太志 ,  梶田 明広 ,  酒井 忠司 ,  磯林 厚伸 ,  和田 真 ,  斎藤 達朗 ,  北村 政幸 ,  坂田 敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/544 ,  H01L21/28562 ,  H01L2223/54426 ,  H01L29/1606 ,  H01L2924/0002

Abstract: 【課題】高品質のグラフェン層を含む半導体装置を提供すること。 【解決手段】半導体装置は、互いに材料が異なる第1および第2の層101,102を含み、表面に第1および第2の層101,102の境界がある下地層100と、下地層100の表面上に形成され、凸状の領域201aを含む触媒層201とを含む。前記半導体装置は、さらに、凸状の領域201aに接して形成されたグラフェン層301を含む。 【選択図】 図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括高品质石墨烯层的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：接地层100，包括由彼此不同的材料制成的第一和第二层101,102，其中 第一层101和第二层102的边界位于表面上; 以及形成在接地层100的表面上并包括凸区域201a的催化剂层201。 半导体器件还包括形成在凸区域201a附近的石墨烯层301

公开(公告)号：JP5972735B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2012208669

申请日：2012-09-21

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 和田 真 ,  山崎 雄一 ,  梶田 明広 ,  磯林 厚伸 ,  斎藤 達朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C01B31/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/66977 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53276 ,  C01B31/0453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/932

公开(公告)号：JP5813678B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：JP2013027925

申请日：2013-02-15

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 和田 真 ,  宮崎 久生 ,  梶田 明広 ,  磯林 厚伸 ,  斎藤 達朗 ,  酒井 忠司

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/1052 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP5755618B2

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：JP2012196585

申请日：2012-09-06

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 斎藤 達朗 ,  和田 真 ,  磯林 厚伸 ,  山崎 雄一 ,  梶田 明広

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C01B31/02 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53276 ,  B82Y30/00 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/444

公开(公告)号：JP5851369B2

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：JP2012198266

申请日：2012-09-10

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 和田 真 ,  梶田 明広 ,  磯林 厚伸 ,  斎藤 達朗

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C01B31/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/544 ,  B82Y40/00 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002