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    アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物
    2.
    发明专利
    アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物 有权
    烷氧基化合物，用于形成薄膜的原料，薄膜和醇溶液的制造方法

    公开(公告)号：JP2015205837A

    公开(公告)日：2015-11-19

    申请号：JP2014087310

    申请日：2014-04-21

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 桜井 淳 ,  畑▲瀬▼ 雅子 ,  吉野 智晴 ,  遠津 正揮

    IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C07C251/08

    CPC分类号： C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F15/06

    摘要： 【課題】自然発火性が無く且つ高い熱安定性を有し、ALD法における薄膜形成用原料として有用なアルコキシド化合物を提供すること。 【解決手段】下記一般式(I)で表されるアルコキシド化合物。 【化1】 (式中、R 1 〜R 3 は各々独立に水素、炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。R 4 は炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。Lは水素、ハロゲン、水酸基、アミノ基、アジ基、ホスフィド基、ニトリル基、カルボニル基、炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。Mは金属原子又はケイ素原子を表し、nは1以上の整数を表し、mは0以上の整数を表し、n+mは金属原子又はケイ素原子の価数を表す。) 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供不具有自燃性和高热稳定性的醇盐化合物，并且可用作通过ALD法形成薄膜的原料。解决方案：提供由以下通式（I）表示的醇盐化合物， 。 式（I）中，R〜R各自独立地表示氢，碳原子数1〜12的烃基，R表示碳原子数1〜12的烃基等，L表示氢，卤素，羟基，氨基 基团，叠氮基，磷化物基，腈基，羰基，碳原子数1〜12的烃基等，M表示金属原子或硅原子，n表示1以上的整数， m表示0以上的整数，n + m表示金属原子或硅原子的化合价。

    ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
    3.
    发明专利
    ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019097768A1

    公开(公告)日：2019-11-21

    申请号：JP2018028271

    申请日：2018-07-27

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 吉野 智晴 ,  遠津 正揮 ,  岡田 奈奈 ,  畑▲瀬▼ 雅子

    IPC分类号： C23C16/14 ,  C07F15/00

    摘要： 本発明は、蒸気圧が高く、従来知られた化合物よりも融点が低いルテニウム化合物、該化合物を含有する薄膜形成用原料及び該原料を用いたルテニウムを含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成するため、下記一般式で表されるルテニウム化合物、当該ルテニウム化合物を含有する薄膜形成用原料及び当該薄膜形成用原料を用いた薄膜の製造方法を提供する。 【化27】 (式中、R 1 〜R 3 は、それぞれ独立に炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。ただし、R 1 がメチル基である場合は、R 2 とR 3 は異なる基である。)

    コバルト化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
    9.
    发明专利
    コバルト化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 有权
    钴化合物，用于形成薄膜的原料和用于生产薄膜的方法

    公开(公告)号：JP2015218116A

    公开(公告)日：2015-12-07

    申请号：JP2014100607

    申请日：2014-05-14

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 吉野 智晴 ,  遠津 正揮 ,  桜井 淳 ,  畑▲瀬▼ 雅子 ,  内生蔵 広幸 ,  西田 章浩

    IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  C07F15/06

    CPC分类号： C07F15/065 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

    摘要： 【課題】融点が低く液体の状態で輸送ができ、低温で分解させることができ、しかも蒸気圧が大きく気化させ易いコバルト化合物及びそれを用いた薄膜形成用原料を提供する。 【解決手段】式(I)で表されるコバルト化合物。 (R 1 〜R 3 は各々独立にC1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基)式(I)で表されるコバルト化合物を含有する薄膜形成用原料を気化させ、コバルトを含有する蒸気を得て、前記蒸気を基体と接触させ、式(I)で表わされるコバルト化合物を分解及び/又は化学反応させて前記基体上に薄膜を形成させる薄膜の製造方法。 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：具有低熔点的钴化合物可以在液态下输送，可以在低温下分解，蒸气压高，容易蒸发; 以及使用该钴化合物形成薄膜的原料。提供一种薄膜的制造方法，其中形成含有式（I）表示的钴化合物的薄膜的原料（其中， Rto Reach独立地表示具有1至5个碳原子的直链或支链烷基）被蒸发以获得含有钴的蒸气，并且由式（I）表示的钴化合物通过将蒸气进入而进行分解和/或化学反应 与衬底接触以在衬底上形成薄膜。