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    銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
    1.
    发明专利
    銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 有权
    铜化合物，用于形成薄膜的原料和用于生产薄膜的方法

    公开(公告)号：JP2015218117A

    公开(公告)日：2015-12-07

    申请号：JP2014100611

    申请日：2014-05-14

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 吉野 智晴 ,  遠津 正揮 ,  桜井 淳 ,  西田 章浩 ,  岡部 誠

    IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08

    CPC分类号： C07F1/08 ,  C07C215/08 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

    摘要： 【課題】本発明は、融点が低く液体の状態で輸送ができ、しかも蒸気圧が大きく気化させ易い銅化合物及びそれを用いた薄膜形成用原料を提供することを課題とする。 【解決手段】本発明の銅化合物は、下記一般式(I)で表される。 【化1】 一般式(I)中、R 1 〜R 3 は、各々独立に炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し;ただし、R 1 及びR 2 がメチル基である場合、R 3 は炭素数2〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し;R 1 がメチル基であり、R 2 がエチル基である場合、R 3 はメチル基又は炭素数3〜5の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基を表す。また、本発明の薄膜形成用原料は、上記一般式(I)で表される銅化合物を含有する。 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：具有低熔点的铜化合物可以液态运输，具有高蒸汽压并且可以容易地蒸发; 以及使用铜化合物形成薄膜的原料。溶液：提供由以下通式（I）表示的铜化合物。 （其中，Rto Reach独立地表示具有1至5个碳原子的直链或支链烷基;当Rand Rare为甲基时，R表示具有2至5个碳原子的直链或支链烷基;当R为甲基时 R表示乙基，R表示碳原子数3〜5的直链或支链烷基）。另外，用于形成薄膜的原料含有上述通式（I）表示的铜化合物。

    アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物
    4.
    发明专利
    アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物 有权
    烷氧基化合物，用于形成薄膜的原料，薄膜和醇溶液的制造方法

    公开(公告)号：JP2015205837A

    公开(公告)日：2015-11-19

    申请号：JP2014087310

    申请日：2014-04-21

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 桜井 淳 ,  畑▲瀬▼ 雅子 ,  吉野 智晴 ,  遠津 正揮

    IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C07C251/08

    CPC分类号： C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F15/06

    摘要： 【課題】自然発火性が無く且つ高い熱安定性を有し、ALD法における薄膜形成用原料として有用なアルコキシド化合物を提供すること。 【解決手段】下記一般式(I)で表されるアルコキシド化合物。 【化1】 (式中、R 1 〜R 3 は各々独立に水素、炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。R 4 は炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。Lは水素、ハロゲン、水酸基、アミノ基、アジ基、ホスフィド基、ニトリル基、カルボニル基、炭素原子数1〜12の炭化水素基などを表す。Mは金属原子又はケイ素原子を表し、nは1以上の整数を表し、mは0以上の整数を表し、n+mは金属原子又はケイ素原子の価数を表す。) 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供不具有自燃性和高热稳定性的醇盐化合物，并且可用作通过ALD法形成薄膜的原料。解决方案：提供由以下通式（I）表示的醇盐化合物， 。 式（I）中，R〜R各自独立地表示氢，碳原子数1〜12的烃基，R表示碳原子数1〜12的烃基等，L表示氢，卤素，羟基，氨基 基团，叠氮基，磷化物基，腈基，羰基，碳原子数1〜12的烃基等，M表示金属原子或硅原子，n表示1以上的整数， m表示0以上的整数，n + m表示金属原子或硅原子的化合价。

    コバルト化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
    7.
    发明专利
    コバルト化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 有权
    钴化合物，用于形成薄膜的原料和用于生产薄膜的方法

    公开(公告)号：JP2015218116A

    公开(公告)日：2015-12-07

    申请号：JP2014100607

    申请日：2014-05-14

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 吉野 智晴 ,  遠津 正揮 ,  桜井 淳 ,  畑▲瀬▼ 雅子 ,  内生蔵 広幸 ,  西田 章浩

    IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  C07F15/06

    CPC分类号： C07F15/065 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

    摘要： 【課題】融点が低く液体の状態で輸送ができ、低温で分解させることができ、しかも蒸気圧が大きく気化させ易いコバルト化合物及びそれを用いた薄膜形成用原料を提供する。 【解決手段】式(I)で表されるコバルト化合物。 (R 1 〜R 3 は各々独立にC1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基)式(I)で表されるコバルト化合物を含有する薄膜形成用原料を気化させ、コバルトを含有する蒸気を得て、前記蒸気を基体と接触させ、式(I)で表わされるコバルト化合物を分解及び/又は化学反応させて前記基体上に薄膜を形成させる薄膜の製造方法。 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：具有低熔点的钴化合物可以在液态下输送，可以在低温下分解，蒸气压高，容易蒸发; 以及使用该钴化合物形成薄膜的原料。提供一种薄膜的制造方法，其中形成含有式（I）表示的钴化合物的薄膜的原料（其中， Rto Reach独立地表示具有1至5个碳原子的直链或支链烷基）被蒸发以获得含有钴的蒸气，并且由式（I）表示的钴化合物通过将蒸气进入而进行分解和/或化学反应 与衬底接触以在衬底上形成薄膜。

    金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
    8.
    发明专利
    金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019044448A1

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：JP2018029923

    申请日：2018-08-09

    申请人： 株式会社ADEKA

    发明人： 岡田 奈奈 ,  畑▲瀬▼ 雅子 ,  西田 章浩 ,  桜井 淳

    IPC分类号： C07F5/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  C07C215/08

    摘要： 本発明は、下記一般式(1)で表される金属アルコキシド化合物、これを含有してなる薄膜形成用原料、および該原料を用いて金属を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法を提供することにある: 【化1】 (式中、R 1 は、水素原子または炭素原子数1〜4のアルキル基を表し、R 2 は、イソプロピル基、第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1−エチルプロピル基または第3ペンチル基を表し、R 3 は、水素または炭素原子数1〜4のアルキル基を表し、R 4 は、炭素原子数1〜4のアルキル基を表し、Mは、スカンジウム原子、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、プロメチウム原子、サマリウム原子、ユウロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子、ホルミウム原子、エルビウム原子、ツリウム原子、イッテルビウム原子またはルテチウム原子を表し、nは、Mで表される原子の価数を表す。ただし、Mがランタン原子である場合、R 2 は第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1−エチルプロピル基または第3ペンチル基である。)