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公开(公告)号:JP2018003152A
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:JP2017111988
申请日:2017-06-06
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
发明人: 伊藤 昭彦
IPC分类号: C23C14/34
CPC分类号: C23C14/3464 , C23C14/205 , C23C14/352 , C23C14/505 , H01J37/32715 , H01J37/3429 , H01L23/552 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要: 【課題】冷却手段を用いなくとも、電子部品の温度上昇を抑制し、ミクロンレベルの成膜ができる成膜装置、成膜製品の製造方法及び電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】スパッタガスGが導入される容器であるチャンバ200と、チャンバ200内に設けられ、ワークWを円周の軌跡で循環搬送する搬送部300と、搬送部300により循環搬送されるワークWに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源4を有するとともに、スパッタ源4によりワークWが成膜される成膜ポジションM1、M2を区切る区切部を有する成膜処理部400A〜400Dとを有する成膜装置100。区切部5は、円周の軌跡のうち、成膜中の成膜ポジションM1、M2を通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジションM1、M2以外の領域を通過する軌跡が長くなるように、各成膜処理部400A〜400Dを区切るべく配置されている成膜装置100。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2018095959A
公开(公告)日:2018-06-21
申请号:JP2017227203
申请日:2017-11-27
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
IPC分类号: C23C14/50 , H01L21/677 , H01L21/673 , B65G49/02 , C23C14/34
摘要: 【課題】簡単な構成で、電子部品の加熱を抑制することができる成膜装置の提供。 【解決手段】チャンバ内で電子部品10を循環搬送する搬送部と、電子部品10に成膜する成膜処理部と、搬送部により搬送され、載置面を有するトレイと、載置面に載置され、電子部品10を搭載するための載置部35と、を有し、載置部35は、一方の面に粘着性を有する粘着面36aを有し、他方の面に粘着性を有さない非粘着面36bを有する保持シート36と、一方の面に非粘着面36bに密着する粘着性のある第1の密着面38aを有し、他方の面にトレイの載置面に密着する粘着性のある第2の密着面38bを有する密着シート38と、を有し、粘着面36aは、電子部品10を貼り付けるための貼付領域Sを有し、少なくとも貼付領域Sに対応する非粘着面36bの領域の全体に亘り第1の密着面38aが密着している成膜装置。 【選択図】図6
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公开(公告)号:JP6966227B2
公开(公告)日:2021-11-10
申请号:JP2017111988
申请日:2017-06-06
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
发明人: 伊藤 昭彦
IPC分类号: C23C14/34
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公开(公告)号:JP2019039041A
公开(公告)日:2019-03-14
申请号:JP2017161645
申请日:2017-08-24
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
摘要: 【課題】異なる容易軸方向を含む電磁波シールド層を容易に形成できる成膜装置を提供する。 【解決手段】スパッタリングにより電子部品の表面に成膜材料を堆積させて成膜する複数の成膜処理部40A〜40Dと、電子部品を搬送することにより、複数の成膜処理部40の少なくとも一つの成膜領域と、非成膜領域とを繰り返し通過させる搬送部と、を有し、複数の成膜処理部40A〜40Dのうちの少なくとも一つの成膜処理部40Aは、電子部品の天面に沿う第1の方向の定着磁束を含む磁界を形成する磁性部を有し、他の少なくとも一つの成膜処理部40Cは、電子部品の天面に、第1の方向に交差する第2の方向の定着磁束を含む磁界を形成する磁性部と、を有する。 【選択図】図5
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公开(公告)号:JP2020180370A
公开(公告)日:2020-11-05
申请号:JP2020062178
申请日:2020-03-31
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
摘要: 【課題】水素化シリコン膜を、低コストで効率良く形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。 【解決手段】ワーク10を循環搬送する回転テーブル31を有する搬送部30と、シリコン材料から構成されるターゲット42と、ターゲット42と回転テーブル31との間に導入されるスパッタガスG1をプラズマ化するプラズマ発生器とを有し、スパッタリングによりワーク10にシリコン膜を成膜する成膜処理部40と、水素ガスを含むプロセスガスG2を導入するプロセスガス導入部58と、プロセスガスG2をプラズマ化するプラズマ発生器を有し、ワーク10に成膜されたシリコン膜を水素化する水素化処理部50と、を備え、搬送部30は、ワーク10が成膜処理部40と水素化処理部50とを交互に通過するように搬送する。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2020050925A
公开(公告)日:2020-04-02
申请号:JP2018182845
申请日:2018-09-27
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
IPC分类号: C23C14/34
摘要: 【課題】均一な膜厚分布が得られる成膜装置を提供する。 【解決手段】スパッタリングの成膜材料により形成され、スパッタリングにより削られるスパッタ面SS1,SS2を有する第1のターゲット4A及び第2のターゲット4B,4Cと、前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットに電力を印加する電源部と、成膜対象であるワークWを支持する支持面33aを有する支持部33と、前記支持部を回転させる駆動部と、を有し、前記第1のターゲットと前記第2のターゲットとは、前記支持面の回転軸Cを挟む位置であって、前記回転軸からの距離が異なる位置に配置され、前記第1のターゲットは、前記スパッタ面の中心を通り径方向の断面に直交する軸ax1が、前記支持面の回転軸と平行であり、前記第2のターゲットは、前記スパッタ面の中心を通り径方向の断面に直交する軸ax2が、前記支持面の回転軸に対して傾斜している。 【選択図】図8
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公开(公告)号:JP2018064089A
公开(公告)日:2018-04-19
申请号:JP2017180609
申请日:2017-09-20
申请人: 芝浦メカトロニクス株式会社
CPC分类号: H05K9/0084 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L23/552 , H05K9/0024
摘要: 【課題】パッケージに形成された磁性体の電磁波シールド膜が、良好なシールド特性を得ることができる電子部品、電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】素子11を封止したパッケージ12の天面に、電磁波シールド膜13が形成された電子部品10であって、パッケージ12の天面における電磁波シールド膜13の膜厚が0.5〜9μmであり、パッケージ12の天面の粗さ曲線要素の平均高さRcと、電磁波シールド膜13の膜厚Teとの関係が、Rc≦2Teである。 【選択図】図1
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