公开(公告)号：JP2020117754A

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：JP2019008638

申请日：2019-01-22

申请人： HITACHI METALS LTD

发明人： SUENAGA KAZUFUMI ,  SAGAWA HIDEYUKI ,  SUGIYAMA TAKEHIRO

IPC分类号： C25D7/06 ,  C23C18/20 ,  C23C18/22 ,  C23C18/26 ,  C23C18/31 ,  C25D5/56 ,  C25D7/00 ,  H01B5/14 ,  H01B7/18 ,  H01B13/00

摘要： 【課題】フッ素樹脂からなる線状の絶縁体とその表面を被覆するめっき層を備え、絶縁体とめっき層の密着性が高い線状部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、表面に複数のクラック状の溝を有する、フッ素樹脂からなる線状の絶縁体11と、絶縁体11の表面を被覆するめっき層であるシールド12と、を備え、絶縁体11の表面の状態が、算術平均粗さRaが40nm以上と、二乗平均粗さRmsが80nm以上の、少なくともいずれか一方の条件を満たす、ケーブル1を提供する。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015046544A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2013178024

申请日：2013-08-29

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： SUENAGA KAZUFUMI ,  SHIBATA KENJI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  HORIKIRI FUMIMASA ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L21/3065 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316

摘要： 【課題】鉛を含まないニオブ酸アルカリ系圧電体を用いた薄膜素子を、その圧電体特性を劣化させることなしに微細加工できる製造方法を提供する。【解決手段】圧電体薄膜素子の製造方法は、基板11上に下部電極膜12を形成する下部電極膜12形成工程と、下部電極膜12上にニオブ酸アルカリ系圧電体からなる圧電体薄膜13’を形成する圧電体薄膜形成工程と、圧電体薄膜13’上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン15’形成工程と、圧電体薄膜13’に対してドライエッチングを行うことによって、圧電体薄膜13’に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程と、微細加工された圧電体薄膜13’に対して酸素中プラズマ暴露処理を行うことによって、圧電体薄膜13’の圧電体特性を回復させるプラズマ暴露処理工程とを有する。【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够使用不含Pb的碱铌酸酯类压电物质细化处理薄膜元件的方法，而不会降低其压电性能。解决方案：一种制造压电薄膜元件的方法包括： 在基板11上形成下电极膜12的电极膜12的形成工序; 压电薄膜形成步骤，用于在下电极薄膜12上形成由铌酸酯基压电体构成的压电薄膜13'; 用于形成蚀刻掩模以在压电薄膜13'上具有所需图案的蚀刻掩模图形15'形成步骤; 压电薄膜蚀刻步骤，用于通过干蚀刻压电薄膜13'将所需图案的压电薄膜13'精细加工; 以及等离子体曝光处理步骤，通过对被精细加工的压电薄膜13'进行氧的等离子体曝光处理来恢复压电薄膜13'的压电特性。

公开(公告)号：JP2015056517A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：JP2013189152

申请日：2013-09-12

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： SUENAGA KAZUFUMI ,  SHIBATA KENJI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  HORIKIRI FUMIMASA ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29

摘要： 【課題】鉛を含まないニオブ酸アルカリ系圧電体を用い、高い圧電体特性を有しかつ薄膜素子毎の特性のばらつきが小さい圧電体薄膜素子を可能とする圧電体薄膜積層基板を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電体薄膜積層基板は、基板上に下部電極膜と圧電体薄膜とが順次積層されており、前記圧電体薄膜層は、ニオブ酸ナトリウムカリウムリチウム(組成式(NaxKyLiz)NbO3、0≦̸x≦̸1、0≦̸y≦̸1、0≦̸z≦̸0.2、x+y+z=1)からなり、前記下部電極膜は、平均膜厚が100 nm以上350 nm以下であり、膜厚の面内分布における相対標準偏差が14%以下であることを特徴とする。【選択図】図5

摘要翻译： 要解决的问题：通过使用无铅铌酸盐碱性压电材料来提供压电材料膜层压板，其能够使压电材料特性高的压电材料膜元件的排列和其特性变化小。解决方案：A 根据本发明的压电材料膜叠层板依次层叠底部电极膜和压电材料膜。 由压电材料膜构成的层包括铌酸钠钠（其组成式由（NaKLi）NbO）给出，其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤0.2，x + y + z = 1）。 下电极膜的平均厚度为100〜350nm; 在其厚度的面内分布中，相对标准偏差为14％以下。

公开(公告)号：JP2015053417A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：JP2013186048

申请日：2013-09-09

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： HORIKIRI FUMIMASA ,  SHIBATA KENJI ,  SUENAGA KAZUFUMI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L21/306 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/338

摘要： 【課題】鉛を含まないニオブ酸アルカリ系圧電体を用いた薄膜素子を、その圧電体特性を劣化させることなしに低コストで微細加工できる製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電体薄膜素子の製造方法は、基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、前記下部電極膜上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体薄膜を形成する圧電体薄膜形成工程と、前記圧電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、前記圧電体薄膜に対してフッ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記圧電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程とを有し、前記エッチングマスクは、前記圧電体薄膜と接する耐フッ酸性の金属層および該金属層上に形成される耐フッ酸性の有機組成物層が積層構造をなしていることを特徴とする。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种使用基于碱性铌酸盐的无铅压电体的薄膜元件的制造方法，其中元件可以以低成本进行微制造而不会降低其压电特性。解决方案：压电器的制造方法 根据本发明的薄膜元件具有：在基板上形成下电极膜的下电极膜形成工艺; 在下电极膜上形成由铌酸钾钠组成的压电薄膜的压电薄膜形成工艺; 蚀刻掩模图案形成工艺，其在所述压电薄膜上形成蚀刻掩模为期望的图案; 以及通过使用含有氢氟酸的蚀刻剂对压电薄膜进行湿蚀刻，将期望图案微调至压电薄膜的压电薄膜蚀刻工艺。 在蚀刻掩模中，形成有压电薄膜的耐氢氟酸金属层和形成在金属层上的具有耐氢氟酸性的有机组合物层形成层叠结构。

公开(公告)号：JP2014207429A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：JP2014009043

申请日：2014-01-22

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： SHIBATA KENJI ,  NOGUCHI MASAKI ,  SUENAGA KAZUFUMI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  HORIKIRI FUMIMASA

IPC分类号： H01L41/187 ,  C01G33/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L41/047 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316

CPC分类号： H01L41/0805 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

摘要： 【課題】圧電薄膜層の比誘電率の低減を可能にした圧電薄膜素子、圧電センサ及び振動発電機を提供する。【解決手段】圧電薄膜素子1は、基板と、基板上に形成された下部電極層20と、下部電極層20上に形成された組成式が(K1−xNax)NbO3(0.4≦̸x≦̸0.7)のペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電薄膜層30と、圧電薄膜層30上に形成された上部電極層40とを備え、圧電薄膜層30は、分極−電界のヒステリシスループと電界を示すx軸との交点をEc−及びEc+としたとき、(Ec−+Ec+)/2の値が10.8kV/cm以上であり、かつ、分極−電界のヒステリシスループと分極を示すy軸との交点をPr−及びPr+としたとき、(Pr−+Pr+)/2の値が−2.4μC/cm2以下である。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够降低压电薄膜层的相对介电常数的压电薄膜器件，并提供压电传感器和振动发电机。解决方案：一种压电薄膜器件 1包括：基座; 形成在基底上的下电极层20; 形成在下电极层20上的压电薄膜层30，其包含具有钙钛矿结构并由组成式表示的（KNa）NbO（0.4≤x≤0.7）的铌酸钾钠; 以及形成在压电薄膜层30上的上电极层40.关于压电薄膜层30，如果偏振电场磁滞回线和表示电场的X轴的交点为Ecand Ec， （Ec + Ec）/ 2的值为10.8kV / cm以上; 如果极化电场磁滞回线和显示极化的Y轴的交点为Prand Pr，则（Pr + Pr）/ 2的值为-2.4μC/ cm以下。

公开(公告)号：JP2014056988A

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：JP2012201829

申请日：2012-09-13

申请人： Hitachi Metals Ltd ,  日立金属株式会社

发明人： HORIKIRI FUMIMASA ,  SHIBATA KENJI ,  SUENAGA KAZUFUMI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  NOMOTO AKIRA ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/39 ,  B41J2/16 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a substrate with a piezoelectric thin film capable of microfabricating a non-lead piezoelectric thin film in a short time by wet etching, and a method for manufacturing a piezoelectric thin film element.SOLUTION: In one aspect, there is provided a method for manufacturing a substrate 1 with a piezoelectric thin film including the steps of: forming a lower electrode 11 on a substrate 10; forming a piezoelectric thin film 12 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by a composition formula (KNa)NbOon the lower electrode 11; and wet etching the piezoelectric thin film 12 using an etching mask containing a Cr film 14, the wet etching uses an etchant composed of a mixture of hydrofluoric acid and hydrochloric acid or sulfuric acid.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种通过湿法蚀刻在短时间内能够使非引线压电薄膜微调的压电薄膜的制造方法，以及压电薄膜元件的制造方法。 一方面，提供了一种用于制造具有压电薄膜的基板1的方法，包括以下步骤：在基板10上形成下电极11; 在下电极11上形成由组成式（KNa）NbO表示的碱性氧化铌基钙钛矿结构的压电薄膜12; 并使用含有Cr膜14的蚀刻掩模对压电薄膜12进行湿蚀刻，湿式蚀刻使用由氢氟酸和盐酸或硫酸的混合物组成的蚀刻剂。

公开(公告)号：JP2014123584A

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：JP2012277509

申请日：2012-12-20

申请人： Hitachi Metals Ltd ,  日立金属株式会社

发明人： HORIKIRI FUMIMASA ,  SHIBATA KENJI ,  SUENAGA KAZUFUMI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  KIKUCHI FUJIO ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/22 ,  C01G33/00 ,  C23C14/34 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/39

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a substrate with a KNN piezoelectric thin film finely processed to a desired pattern and capable of lowering a manufacturing cost, and a method for manufacturing a KNN piezoelectric thin film element.SOLUTION: A method for manufacturing a substrate with a piezoelectric thin film comprises the steps of: forming a lower electrode 2 on a substrate 1; forming a piezoelectric thin film 3 composed of potassium sodium niobate on the lower electrode; forming an etching mask film 5 composed of chrome and having a desired pattern on the piezoelectric thin film (etching mask pattern forming step); diffusing an etching accelerating element composed of titanium or tantalum into a piezoelectric thin film in a region other than the region where an etching mask pattern 5' is formed; and applying fine processing of the desired pattern to the piezoelectric thin film by performing wet etching for the piezoelectric thin film in the region where the etching accelerating element is diffused using an etchant containing hydrofluoric acid (piezoelectric thin film etching step).

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种使用精细加工成所需图案并能够降低制造成本的KNN压电薄膜制造基板的方法，以及制造KNN压电薄膜元件的方法。 用压电薄膜制造衬底包括以下步骤：在衬底1上形成下电极2; 在下电极上形成由铌酸钾钠组成的压电薄膜3; 在压电薄膜上形成由铬构成的具有所需图案的蚀刻掩模膜5（蚀刻掩模图案形成步骤）; 将由钛或钽构成的蚀刻加速元件扩散到除了形成蚀刻掩模图案5'的区域之外的区域中的压电薄膜; 并且通过在使用含氢氟酸的蚀刻剂（压电薄膜蚀刻步骤）对蚀刻加速元件扩散的区域中的压电薄膜进行湿式蚀刻，对压电薄膜进行精细加工。

公开(公告)号：JP2015046545A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2013178025

申请日：2013-08-29

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： SUENAGA KAZUFUMI ,  SHIBATA KENJI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  HORIKIRI FUMIMASA ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L21/3065 ,  H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29

CPC分类号： H01L41/297 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/332

摘要： 【課題】鉛を含まないニオブ酸アルカリ系圧電体を用いた薄膜素子を、その圧電体特性を劣化させることなしに微細加工できる製造方法を提供する。【解決手段】圧電体薄膜素子の製造方法は、基板11上に下部電極膜12を形成する下部電極膜形成工程と、下部電極膜12上にニオブ酸アルカリ系圧電体からなる圧電体薄膜13を形成する圧電体薄膜形成工程と、圧電体薄膜13上にエッチングマスク15を所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、圧電体薄膜13に対してドライエッチングを行うことによって、圧電体薄膜13に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程とを有し、エッチングマスク15は、少なくとも圧電体薄膜13と接する層151が酸化物からなる。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够使用不含Pb的碱铌酸酯类压电物质细化处理薄膜元件的方法，而不会降低其压电性能。解决方案：一种制造压电薄膜元件的方法包括： 用于在基板11上形成下电极膜12的电极膜形成步骤; 压电薄膜形成步骤，用于在下电极薄膜12上形成由铌酸酯类压电材料构成的压电薄膜13; 蚀刻掩模图案形成步骤，用于在压电薄膜13上形成希望图案的蚀刻掩模15; 以及压电薄膜蚀刻步骤，用于通过干法蚀刻压电薄膜13，以期望的图案将压电薄膜13精细加工。在蚀刻掩模15中，至少与压电薄膜13接触的层151由 氧化物。

公开(公告)号：JP2014036035A

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：JP2012174837

申请日：2012-08-07

申请人： Hitachi Metals Ltd ,  日立金属株式会社

发明人： SUENAGA KAZUFUMI ,  SHIBATA KENJI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  NOMOTO AKIRA ,  HORIKIRI FUMIMASA

IPC分类号： H01L41/187 ,  B06B1/06 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC分类号： H01L41/18 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric element and a piezoelectric device manufactured stably and having excellent piezoelectric characteristics by controlling the local structure (bonding state of atom) of a piezoelectric layer with high accuracy.SOLUTION: In a piezoelectric element 10 where at least a lower electrode layer 3, a piezoelectric layer 4 represented by a general formula (NaKLi)NbO(0

摘要翻译： 要解决的问题：通过以高精度控制压电层的局部结构（原子的结合状态），提供稳定制造并具有优异的压电特性的压电元件和压电元件。解决方案：在压电元件10中，至少 下电极层3，由通式（NaKLi）NbO（0

公开(公告)号：JP2014207394A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：JP2013085328

申请日：2013-04-16

申请人： 日立金属株式会社 ,  Hitachi Metals Ltd

发明人： HORIKIRI FUMIMASA ,  SHIBATA KENJI ,  SUENAGA KAZUFUMI ,  WATANABE KAZUTOSHI ,  KIKUCHI FUJIO ,  NOGUCHI MASAKI

IPC分类号： H01L41/332 ,  H01L21/308 ,  H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H02N2/00 ,  H02N2/18

摘要： 【課題】短時間かつ高い再現性で所望パターンの微細加工が可能となるKNN圧電体薄膜積層基板およびKNN圧電体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、前記下部電極膜上にKNNからなる圧電体薄膜を形成する圧電体薄膜形成工程と、前記圧電体薄膜上にCrからなるエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、前記圧電体薄膜に対してフッ酸と強酸との混合液からなるエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記圧電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う圧電体薄膜エッチング工程とを有し、前記圧電体薄膜エッチング工程は、密閉されたエッチング槽内で行われ、前記エッチング液中のフッ素濃度が5mol/L以上30mol/L以下であり、かつフッ素濃度の単位時間当たりの平均変化率が10%/h以下であること。【選択図】図3

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于制造KNN压电材料薄膜层压板的方法和制造KNN压电材料薄膜器件的方法，其使得可以在短时间内以高再现性进行所需图案的微加工。 制造KNN压电材料薄膜叠层板的方法包括：在电路板上形成下电极膜的下电极膜形成步骤; 用于在下电极膜上形成由KNN制成的压电材料薄膜的压电材料薄膜形成步骤; 蚀刻掩模图案形成步骤，用于以期望的图案在压电材料薄膜上形成由Cr制成的蚀刻掩模; 以及压电材料薄膜蚀刻步骤，通过使用由氢氟酸和强酸的混合溶液组成的蚀刻剂湿蚀蚀压电材料薄膜，以期望的图案微加工压电材料薄膜。 压电材料薄膜蚀刻步骤在气密密封的蚀刻槽中进行。 在蚀刻剂中，氟的浓度为5-30mol / L，每小时氟浓度的平均变化率为10％/ h以下。